Semiconductive property of the passivating $TiO_2$ film was investigated by measuring the impedance of passivated titanium electrode in a 0.1 N NaOH solution. The passive film was prepared galvanostatically with $10mA/cm^2$ at formation potential of 50 V in a 1 N $H_2SO_4$ solution. The impedance measurement was conducted by superimposing an ac voltage of 5 m V amplitude with the frequency ranging from 5 to 10000 Hz on a dc bias (applied potential). The donor distribution in the film was depicted from the analysis of the non-linear slope of Mott-Schottky plot. The region with nearly constant concentration of donors near the electrolyte/film interface amounts at about 60 percent of the total film thickness and donor concentration increases largely with distance from the surface in an inner region near the film/metal interface. In a region of the film/metal interface the donor concentration showed a frequency dependence greater than in a region of the electrolyte/film interface. The result of donor concentration against frequency suggests a transition from crystalline to amorphous state with distance from the electrolyte/film interface in the passivating $TiO_2$ films. This is also confirmed by the ac conductivity measurement.
Jung, Jiwon;Hah, Hoe Jin;Lee, Tae jin;Lee, Jae Gil;Lee, Jeong Beom;Kim, Jongjung;Soon, Jiyong;Ryu, Ji Heon;Kim, Jae Jeong;Oh, Seung M.
Journal of Electrochemical Science and Technology
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v.8
no.1
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pp.15-24
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2017
A comparative study was performed on the passivating abilities of surface films generated on lithium titanate (LTO; $Li_4Ti_5O_{12}$) electrodes during pre-cycling at two different rates. The surface film deposited at a faster pre-cycling rate (i.e., 0.5 C) is irregularly shaped and unevenly covers the LTO electrode. Owing to the incomplete coverage of the protective film, this LTO electrode exhibits poor passivating ability. Additional electrolyte decomposition and concomitant film deposition occur during subsequent charge/discharge cycles. As a result of the thick surface film, severe cell polarization occurs and eventually causes cell failure. However, pre-cycling the Li/LTO cell at a slower rate (0.1 C) improves cell polarization and capacity retention; this occurs because the surface film uniformly covers the LTO electrode and provides strong passivation. Accordingly, there is no significant film deposition during subsequent charge/discharge cycling. Additionally, self-discharge is reduced during high-temperature storage.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.14
no.2
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pp.86-89
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2013
Dye-sensitized solar cells have a FTO/$TiO_2$/Dye/Electrode/Pt counter electrode structure, yet more than a 10% electron loss occurs at each interface. A passivating layer between the $TiO_2$/FTO glass interface can prevent this loss of electrons. In theory, ZnO has excellent electron collecting capabilities and a 3.4 eV band gap, which suppresses electron mobility. FTO glass was coated with ZnO thin films by RF-magnetron sputtering; each film was deposited under different $O_2$:Ar ratios and RF-gun power. The optical transmittance of the ZnO thin film depends on the thickness and morphology of ZnO. The conversion efficiency was measured with the maximum value of 5.22% at an Ar:$O_2$ ratio of 1:1 and RF-gun power of 80 W, due to effective prevention of the electron recombination into electrolytes.
Kim, Sungheon;Kim, Taeyong;Jeong, Sungjin;Cha, Yewon;Kim, Hongrae;Park, Somin;Ju, Minkyu;Yi, Junsin
New & Renewable Energy
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v.18
no.1
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pp.29-34
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2022
The most prevalent cause of solar cell efficiency loss is reduced recombination at the metal electrode and silicon junction. To boost efficiency, a a SiOX/poly-Si passivating interface is being developed. Poly-Si for passivating contact is formed by various deposition methods (sputtering, PECVD, LPCVD, HWCVD) where the ploy-Si characterization depends on the deposition method. The sputtering process forms a dense Si film at a low deposition rate of 2.6 nm/min and develops a low passivation characteristic of 690 mV. The PECVD process offers a deposition rate of 28 nm/min with satisfactory passivation characteristics. The LPCVD process is the slowest with a deposition rate of 1.4 nm/min, and can prevent blistering if deposited at high temperatures. The HWCVD process has the fastest deposition rate at 150 nm/min with excellent passivation characteristics. However, the uniformity of the deposited film decreases as the area increases. Also, the best passivation characteristics are obtained at high doping. Thus, it is necessary to optimize the doping process depending on the deposition method.
Thin film being formed on the surface of cobalt in the early stage of electrochemically induced passivation was studied by the three-parameter ellipsometry. The growth of the passive film was complete in a few seconds from the onset of the passivating potential, and was followed by a slight decrease in the thickness in 4-40 seconds. The optical constants of the passive film changed gradually during the changes in the thickness. The thickness and the optical properties at the steady state of passivation depended on the potential of the electrode. From the coulometric data and the optical properties, the composition of the passive films was deduced to be close to those of CoO, ${Co_3}{O_4}$ and ${Co_2}{O_3}$ depending on the potential. Cathodic reduction in the presence of EDTA was found to be an efficient way to obtain film-free reference surface of cobalt.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.55
no.12
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pp.565-569
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2006
Plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) is a well established technique for the deposition of hydrogenated film of silicon nitride (SiNx:H), which is commonly used as an antireflection coating as well as passivating layer in crystalline silicon solar cell. PECVD-SiNx:H films were investigated by varying the deposition and annealing conditions to optimize for the application in silicon solar cells. By varying the gas ratio (ammonia to silane), the silicon nitride films of refractive indices 1.85 - 2.45 were obtained. The film deposited at $450^{\circ}C$ showed the best carrier lifetime through the film deposition rate was not encouraging. The film deposited with the gas ratio of 0.57 showed the best carrier lifetime after annealing at a temperature of $800^{\circ}C$. The single crystalline silicon solar cells fabricated in conventional industrial production line applying the optimized film deposition and annealing conditions on large area substrate of size $125mm{\times}125mm$ (pseudo square) was found to have the conversion efficiencies as high as 17.05 %. Low cost and high efficiency silicon solar cells fabrication sequence has also been explained in this paper.
Hydroxyapatite(HAp) was synthesized using the waste sludge from semiconductor process and used as an anticorrosive pigment. The water absorption of coating pigmented with anticorrosive pigment and the corrosion at interface between coating and substrate were monitored using AC impedance techniques. The anticorrosive performance of HAp was compared with those of red lead(RL) and zinc potassium chromate(ZPC), which have been known as representative anticorrosive pigments. The amount of absorbed water in ZPC- and HAp- pigmented coatings was much higher compared to that in RL-pigmented and unpigmented film. However, it seems that the water absorbed into HAp- or ZPC-pigmented film is beneficial to anticorrosive function. The anticorrosive performance of HAp is superior or at least comparable to those of ZPC and RL. The excellent anticorrosive properties of HAp can be explained by its passivating ability, caused by the reaction of the soluble component of HAp with Fe to form iron phosphate in the presence of water.
Surface passivation using glass powders results in good reliability for high voltage silicon power devices. In this paper, Zinc borosilicate glass was prepared for the purpose of passivating, and a deposition technique of glass films on the silicon surface by electrophoresis in which acetone is used as a suspension medium and a measurement technique of C-V curve has been investigated. Properties were compared using SEM, XRD, C-V Curve as a function of firing condition, temperature and atmosphere were investigated. Under 100V applied, 1 minute, $700^{\circ}C$ firing temperature, and $O_2$ atmosphere, I can get the fine films $5.8{\mu}m$ thickness with Zinc borosilicate glass. As a result of investigation of glass films, it has been found that pre-firing and annealing play an important role to achieve uniform, fine, reliable glass deposition films and Glass/Silicon interlace.
Kim, Hyeong-Jo;Tulugan, Kelimu;Kim, Hyung-Jin;Park, Won-Jo
Journal of Power System Engineering
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v.17
no.1
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pp.110-115
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2013
The electrochemical performance and microstructure of Al-Si, Al-Si/C was investigated as anode for lithium ion battery. The Al-Si nano composite with 5 : 1 at% ratio was prepared by arc-discharge nano powder process. However, some of problem is occurred, when Al nano composite was synthesized by this manufacturing. The oxidation film is generated around Al-Si particles for passivating processing in the manufacture. The oxidation film interrupts electrical chemistry reaction during lithium ion insertion/extraction for charge and discharge. Because of the existence the oxidation film, Al-Si first cycle capacity is very lower than other examples. Therefore, carbon synthsized by glucose ($C_6H_{12}O_6$) was conducted to remove the oxidation film covered on the composite. The results showed that the first discharge cycle capacity of Al-Si/C is improved to 113mAh/g comparing with Al-Si (18.6mAh/g). Furthermore, XRD data and TEM images indicate that $Al_4C_3$ crystalline exist in Al-Si/C composite. In addition the Si-Al anode material, in which silicon is more contained was tested by same method as above, it was investigated to check the anode capacity and morphology properties in accordance with changing content of silicon, Si-Al anode has much higher initial discharge capacity(about 500mAh/g) than anode materials based on Aluminum as well as the morphology properties is also very different with the anode based Aluminum.
The influence of temperature on the treatment efficiency of chlorinated organic substances contained in groundwater by permeable reactive barrier which is composed of $Fe^{\circ}$ has been investigated by constructing the Pourbaix diagrams for Fe-$H_2O$ system at different temperatures based on thermodynamic estimation. In aerobic condition, the equilibrium potentials for $Fe^{\circ}/Fe^{2+}$ and $Fe^{2+}/Fe^{3+}$ were observed to increase, therefore, the dechlorination reaction for organic pollutants by $Fe^{\circ}$ was considered to decline with temperature due to the diminished oxidation of reactive barrier. The result for the variations of the ionization fraction of $Fe^{2+}$ and $Fe^{3+}$ ion in the pH range of 0 ~ 2.5 obtained by employing Visual MINTEQ program showed that the ionization fraction of $Fe^{2+}$ increased with pH, however, that of $Fe^{3+}$ decreased symmetrically and the extent of the variation of ionization fraction for both ions was raised as temperature rises. The equilibrium pH for $Fe^{3+}/Fe(OH)_3$ was examined to decrease with temperature so that the treatment efficiency of chlorinated organic substance was expected to decrease with temperature due to the enhanced formation of passivating film in aerobic condition. The change of the reactivity of a specific chemical species with temperature was defined quantitatively based on the area of its stable region in Pourbaix diagram and depending on this the reactivity of $Fe^{3+}$ was shown to decrease with temperature, however, that of $Fe(OH)_3$ was decreased monotonously as temperature is raised for $Fe^{3+}/Fe(OH)_3$ equilibrium system. In anaerobic condition, the equilibrium potential for $Fe^{\circ}/Fe^{2+}$ was observed to rise and the equilibrium pH for $Fe^{2+}/Fe(OH)_2$ were examined to decrease as temperature increases, therefore, similar to that for aerobic condition the efficiency of the dechlorination reaction for organic substances was considered to be diminished when temperature rises because of the reduced oxidation of $Fe^{\circ}$ and increased formation of $Fe(OH)_2$ passivating film.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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