GaAs MESFET의 소신호 등가 모델에서 외부 푀로 성분들을 결정하는 개선된 방법을 제시하였다. 정화간 내부 회로 성분값들을 구하기 위하여 외부 회로 성분들을 제거하는 것이 중요하다. 전송선로를 포함한 기생 인덕터와 커패시터로 이루어지 ㄴ외부 회로를 정립하고, 산란 행렬로부터 이들의 값을 구한 후에 내부 회로 성분을 구하였다. 특히 기생 인덕턴스와 커패시턴스값들은 주파수에 따라 거의 일정한 변화를 보였다.
Radiated noise from high frequency transformers (HTFs) of switching mode power supply is mainly caused by the leakage inductance and the parasitic capacitance of HTFs. Generally, the radiated noise can be reduced by adding snubbers to switching power circuits or shielding HTFs. Radiated noise, however, is mainly affected by the shielding method. In this paper, the various shielding methods to reduce the radiated noise of EMI are analyzed, compared in the experimental studies. And it is proved that the radiated noise can be reduced according to the shielding methods of HFTs and the electrical connection between shields and power circuit.
parallel bonding wires separaated with a screeing bonding wire are proposed and characterized in order to redue mutual coupling and parasitics of high-speed and high-density device packaging. The mehtod of moments (MoM) with the incorporation of the ohmic loss has been used in a wide range of frequencies. From the calculated results, we have found that the screening bonding wire effectively reduces inductive and capacitive crostalk levels more than 3dB. the parasitic self inductance is also reduced more than 12% by the screening effect. Therefore, for a general VLSi package, the packaging density can be increased more than 30% using the screening bonding wire. This screeing bonding wire and the analysis can be effectively used to reduce crosstalk and increase packaging density of high density devices.
We present a 25-Gb/s optical transmitter composed of a Si ring modulator and CMOS driver circuit. The Si ring modulator is realized with 220-nm Si-on-insulator process and the driver circuit with 65-nm CMOS process. The modulator and the driver are hybrid-integrated on the printed circuit board with bonding wires. The driver is designed so that the parasitic bonding wire inductance provides enhanced driver bandwidth. The transmitter successfully demonstrates 25-Gb/s operation.
This paper proposes the new soft switching DC-DC converter. We reported the experimental results of the new soft switching DC-DC converter. The proposed converter is to resonate between the leakage inductance of the transformer and the parasitic capacitances of the main switches for zero voltage switching. The voltage stresses of the two switches are the input voltage, it can improve the efficiency and a reduced height used two transformers. Theoretical analysis of the converter along with experimental results is provided. Finally, a 3.3V/20A prototype converter operation at 100kHz is built and experimental waveform verifies the analysis.
In this paper, zero voltage switched half bridge converter and an active-clamped, zero voltage switched forward converter equipped with self-driven synchronous rectifier is designed and investigated for high efficiency BC-DC converter. A synchronous rectifier is has a lower conduction power loss than shottky diode rectifier. The purpose of this paper is to investigate the effect of parasitic inductance in a synchronous rectifier of DC-DC converters and examine overall efficiency of zero voltage switched DC-DC converters.
There is an increasing demand for efficient high power/weight auxiliary power supplies for use on high speed traction application. Many new conversion techniques have been proposed to reduce the voltage and current stress of switching components, and the switching losses in the traditional pulse width modulation(PWM) converter. Especially, the phase shift full bridge zero voltage switching PWM techniques are thought most desirable for many applications because this topology permits all switching devices to operate under zero voltage switching(ZVS) by using circuit parasitic components such as leakage inductance of high frequency transformer and power device junction capacitance. The proposed topology is found to have higher efficiency than conventional soft-switching converter. Also it is easily applicable to phase shift full bridge converter by applying an energy recovery snubber consisted of fast recovery diodes and capacitors.
Recently, there is an increasing demand for efficient high power/weight auxiliary power supplies for use on high speed traction application. many new conversion techniques have been proposed to reduce the voltage and current stress of switching components, and the switching losses in the traditional pulse width modulation(PWM) converter. Among them, the phase shift full bridge zero voltage switching PWM techniques are thought most desirable for many applications because this topology permits all switching devices to operate under zero voltage switching(ZVS) by using circuit parasitic components such as leakage inductance of high frequency transformer and power device junction capacitance. The proposed topology is found to have higher efficiency than conventional soft-switching converter. Also it is easily applicable to phase shift full bridge converter by applying an energy recovery snubber consisted of fast recovery diodes and capacitors.
With the recent emphasis on the importance of energy conservation, studies on high-efficiency elevator systems are being continuously conducted. Therefore, pulse width modulation converters are commonly used in traction drives on elevator systems. Wide bandgap devices have been increasingly commercialized, and their application to power conversion systems, such as renewable and energy storage system, has been gradually increasing. In this study, a SiC inverter for an elevator traction drive is investigated. In particular, an inverter is designed to minimize stray and parasitic inductance. Input and output filters are designed by considering switching frequency. The designed SiC inverter reduces volume by approximately 32% compared with that of a Si inverter, and power converter efficiency is over 98.8%.
This paper applies a structural technique with uniform parallel switch characteristics in gates and power loops to minimize the ringing and current imbalance that occurs when a general discrete package (TO-247)-based power semiconductor device is operated in parallel. Also, this propose a heat sink integrated switching module with heat sink design flexibility and high power density. The developed heat dissipation-integrated switching module verifies the symmetry of the parasitic inductance of the parallel switch through Q3D by ansys and the validity of the structural technique of the parallel switch using the LLC resonant converter experiment operating at a rated capacity of 7.5 kW.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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