• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제11권1호
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• pp.7-10
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• 1990

The interaction of tetraphenylphthalic anhydride with o-chlorotoluene under Friedel-Craft condition gives 2-(4-chloro-3-methyl)benzoyl-3,4,5,6-tetraphenyl benzoic acid(1), which on reaction with hydrazine derivatives gave phthalazinones (2a-d). The behaviour of (2a) towards carbon electrophiles and carbon nucleophiles has been investigated. The chlorophthalazinones (4a) also has been synthesized from the action of $PCl_5/POCl_3$ on (2a). The behaviour of (4a) towards nitrogen, and oxygen nucleophiles also have been described.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권3호
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• pp.259-263
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• 1998

WSi2/CVD-Si/SiO2/Si-substrate의 폴리사이드 구조에서 실리콘 증착 POCl3 확산 그리고 WSi2 증착 유무에 따른 Thin oxide 특성을 연구했다 WSi2 막을 증착하지 않은 CVD-Si/SiO2/Si-substrate 구조에서 CVD-Si을 po-lycrystalline-Si으로 증착한 시편이 amorphous-Si을 증착한 시편보다 산화막 불량이 적다 WSi2 를 증착시킨 WSi2/CVD-Si/SiO2./Si-substrate의 구조에서 CVD-Si의 polycrystalline-Si 혹든 amorphous-Si 의 막 증착에 따른 thin oxide의 불량율 차이는 미미하다 산화막 불량은 CVD-Si에 확산시킨 인(P) 증가 즉 면저항(sheet resistance) 감소로 증가한다. Thin oxide의 절연특성은 WSi2 증착으로 저하된다 WSi2 증착으로 산화막 두께는 증가하나 막 특성은 열등해져 산화막 절연성이 떨어진다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.1054-1056
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• 2002

High temperature Kermal diffusion from $POCl_3$ source usually used for conventional process through put of a cell manufacturing line and potentially reduce cell efficiency through bulk like time degradation. To fabricate high efficiency solar cells with minimal thermal processing, spin-on-doping(SOD) technique can be employed to emitter diffusion of a silicon solar cell. A technique is presented to emitter doping of a mono-crystalline solar cell using spin-on doping (SOD). Moreover it is shown that the sheet resistance variation with RTA temperature and time fer mono-crystalline and multi-crystalline silicon samples. This novel SOD technique was successfully used to produces 11.3% efficiency l04mm by 104mm size mono-crystalline silicon solar cells.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권4호
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• pp.28-32
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• 1992

The electrical properties of ONO interpoly dielectrics grown by polycrystalline silicon have been studied. The polysilicon layer deposited as amorphous state kept its surface smoothness even after subsequent heat cycle induced crystallization. Polysilicon was doped with a POCl$_3$ and arsenic ion implantation. Arsenic was implanted in several different doses. The effective barrier heights calculated from F-N plotting method and breakdown fields increased as the polysilicon doping concentration increased. On the other hand they mere degraded when arsenic concentration in polysilicon exceeded 2{\times}10^{20}[cm^{-3}]$. The reliability of dielectric as monitored by TDDB infant fail and breakdown field showed increasing degradation as doping concentration increased

• 센서학회지
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• 제10권5호
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• pp.292-303
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• 2001

본 연구에서는 수평형 전계 방출 소자를 제작하고 그 특성을 측정하였다. 이를 진공자장 센서에 이용하기 위하여 Lorentz 원리를 응용하여 센서를 설계하고 제작하였다. $POCl_3(10^{20}cm^{-3})$ 도핑된 다결정 실리콘을 전계 방출 소자의 음극 및 양극 재료로 이용하였으며 그 두께는 각각 $2\;{\mu}m$였다. PSG(두께 $2\;{\mu}m$)를 희생층으로 사용하여 최종 단계에서 불산을 이용하여 제거하고 승화건조법을 이용하여 소자의 기판 점착 현상을 방지하였다. 제작된 소자를 유리기판 #1 위에 silver paste로 고정시키고 Cr 전극 패드와 와이어본딩 한 뒤 진공내에서 양극접합공정을 이용하여 소자를 $1.0{\times}10^{-6}\;Torr$에서 진공 실장하였다. 실장 후 게터를 활성화하여 내부진공도를 향상시켰다. 이렇게 패키징된 소자는 두달여 기간 동안 특별한 특성저하 없이 잘 동작되었으며 그 이상의 기간에 대해서는 확인하지 못하였다. 패키징된 자장 센서는 패키징하기 전 진공챔버 내에서 보인 특성치와 별다른 차이 없이 잘 동작되었으며 단지 약간의 전류 감소 현상만이 관찰되었다. 측정된 센서의 감도는 약 3%/T로서 작은 값이었으나 그 가능성을 확인할 수는 있었다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.76.1-76.1
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• 2010

Furnace를 이용한 $POCl_3$ 확산 공정은 실리콘 태양전지 제작과정에서 일반적으로 이용되는 에미터 층 형성 공정이다. 하지만, 확산 공정을 통해 P-N Junction을 형성할 경우 전면과 후면의 contact현상이 발생하게 되고 이를 제거하기 위해 Edge isolation 공정을 거치게 된다. 최근에는 레이저로 V 모양의 홈을 형성하는 방법이 이용되고 있다. 본 연구에서는 p-type 실리콘 웨이퍼 기판에 insulating barrier를 형성하여 edge isolation 공정을 없앤 Non-edge isolation공정을 제시한다. Non p-type 실리콘 웨이퍼에 insulating barrier를 형성한다. Insulating barrier가 형성된 BOE용액과 KOH에서의 견딤성 실험을 진행 하였다. 이후, p-type 단결정 실리콘 태양전지의 확산 공정을 진행하여 Non edge isolation 공정을 진행한 경우와 laser를 이용한 edge isolation 공정을 진행한 태양전지를 제작하여 특성을 비교하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.1063-1066
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• 2006

We report the transparent getter performance of $POCl_3$ and amine based system by using the acid-base reaction in the fastest chemical reaction for top emitting OLEDs. OLED device including synthesized getter component exhibited stable current-voltage curve after 500 hours under $60^{\circ}C$, 90% RH storage condition and showed stable surface performance until 520 hours.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2011년도 춘계학술논문집 1부
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• pp.196-197
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• 2011

실리콘 태양전지의 pn 접합 계면특성을 조사하기 위해서 p형 실리콘 기판 위에 전기로를 이용한 $POCl_3$ 공정을 통하여 n형의 불순물을 주입하여 pn접합을 만들었다. n형 불순물의 확산되어 들어가는 공정시간이 길고 공정온도가 높을수록 면저항은 줄어들었다. n형 불순물의 주입이 많아질수록 pn 접합 계면에서의 전자친화도가 줄어들면서 면저항은 감소되었다고 할 수 있다. n형 반도체의 페르미레벨이 높아지면서 공핍층도 생기지만 n형 불순물이 많아지면서 공핍층의 폭은 점점 좁아지고 쇼키 장벽의 높이도 낮아지면서 자유전자와 홀 쌍의 이동이 쉽게 이루어지게 되었다. n형의 불순물 확산공정시간이 긴 태양전지 셀에서 F.F. 계수가 높게 나타났으며, 효율도 높게 나타났다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권10호
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• pp.1034-1040
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• 1997

A solar cell conversion effiency was degraded by grain boundary effect in polycrystalline silicon. Grain boundaries acted as potential barriers as well as recombination centers for the photo-generated carriers. To reduce these effects of the grain boundaries we investigated various influencing factors such as emitter thickness thermal treatment preferential chemical etching of grain boundaries grid design contact metal and top metallization along boundaries. Pretreatment in $N_2$atmosphere and gettering by POCl$_3$and Al were performed to obtain multicrystalline silicon of the reduced defect density. Structural electrical and optical properties of slar cells were characterized before and after each fabrication process. Improved conversion efficiencies of solar cell were obtained by a combination of pretreatment above 90$0^{\circ}C$ emitter layer of 0.43${\mu}{\textrm}{m}$ Al diffusion in to grain boundaries on rear side fine grid finger top Yb metal and buried contact metallization along grain boundaries.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1430-1432
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• 1997

A solar cell conversion effiency was degraded by grain boundary effect in polycrystalline silicon. To reduce these effects of the grain boundaries, we investigated various influencing factors such as preferential chemical etching of grain boundaries, grid design, transparent conductive thin film, and top metallization along grain boundaries. Pretreatment in $N_2$ atmosphere and gettering by $POCl_3$ and Al were performed to obtain polycrystalline silicon of the reduced defect density. Structural, electrical, and optical properties of solar cells were characterized. Improved conversion efficiencies of solar cell were obtained by a combination of Al diffusion into grain boundaries on rear side, fine grid finger, top Yb metal grid on Cr thin film of $200{\AA}$ and buried contact metallization along grain boundaries.