• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.354-357
• /
• 2002

Thermally grown gate oxide on 4H-SiC wafer was investigated. The oxide layers were grown at l150$^{\circ}C$ varying the carrier gas and post activation annealing conditions. Capacitance-Voltage(C-V) characteristic curves were obtained and compared using various gate electrode such as Al, Ni and poly-Si. The interface trap density can be reduced by using post oxidation annealing process in Ar atmosphere. All of the samples which were not performed a post oxidation annealing process show negative oxide effective charge. The negative oxide effective charges may come from oxygen radical. After the post oxidation annealing, the oxygen radicals fixed and the effective oxide charge become positive. The effective oxide charge is negative even in the annealed sample when we use poly silicon gate. Poly silicon layer was dope by POCl$_3$ process. The oxide layer may be affected by P ions in poly silicon layer due to the high temperature of the POCl$_3$ doping process.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권6호
• /
• pp.589-593
• /
• 2003

실리카 평판광회로는 다양한 광수동소자에 응용이 되고 있으며, 이를 구성하는 SiO$_2$와 GeO$_2$-SiO$_2$ 막은 화염가수분해증착에 의해 증착되었다. SiO$_2$ 막은 산-수소 토치에 SiCl$_4$, POC1$_3$와 BCl$_3$를 주입하여 화염가수반응에 의해 생성되었으며, POC1$_3$/BC1$_3$ 유량비가 증가함에 따라 P 농도는 2.0-2.8 at%까지 증가하였고, 굴절률은 1.4584-1.4605로 증가하였다. GeO$_2$-SiO$_2$ 막의 굴절률은 GeCl$_4$ 유량에 의해 제어되었으며 30-120 sccm으로 증가함에 따라 1.4615-1.4809로 증가하였다.

• 대한화학회지
• /
• 제54권4호
• /
• pp.429-436
• /
• 2010

Guanine (1)으로부터 생물활성이 있는 halogenopurines계 화합물을 합성하였다. Guanine을 acetic anhydride와 반응시켜서 2,9-diacetylguanine (2-1)을 합성하여 얻어진 화합물을 $POCl_3$와 반응시켜서 화합물 3a를 합성하고, 다음 단계에서 2-amino-6-halogenopurines (3b-d)를 합성하였다. 2-Halogenopurines (2-2a-d, 4-2a-d, 5a-d)을 2-amino-6-substituted purines (1, 3a, 4-1)로부터 효율적으로 합성한 후에, 새로운 화합물인 2-2a, 2-2c, 2-2d, 4-2c, 4-2d, 5b, 5c 및 5d를 합성하였다. 합성한 화합물의 구조를 원소분석, $^1H$ NMR, mass spectral data로 확인하였으며, 합성한 화합물에 대한 항균 활성을 시험하였다.

• 산업식품공학
• /
• 제15권4호
• /
• pp.332-337
• /
• 2011

치환제인 PO 농도(2%, 6%, 12%)를 달리하여 제조한 하이드록시프로필화 쌀전분에 가교제인 $POCl_{3}$ 농도(0.005%, 0.02%)를 달리하여 처리한 HPCL 쌀전분을 제조하고, HPCL 쌀전분의 용해도, 팽윤력, pasting 특성 및 열적 특성을 연구하였다. 팽윤력은 일반 쌀전분 보다 다소 낮은 온도에서 증가되기 시작하였으나 그 이후는 모두 낮은 수치를 보여 HPCL 쌀전분이 일반 쌀전분보다 완만한 상승을 나타내었다. 용해도는 HPCL 쌀전분이 일반 쌀전분보다 전체적으로 낮은 값을 나타내었다. 한편 PO 함량이 증가할수록 팽윤력과 용해도 모두 증가하는 경향을 나타내었다. RVA pasting분석 결과, HPCL 쌀전분의 경우 일반 쌀전분보다 최고 점도는 낮아졌고 holding strength와 finalviscosity는 높은 경향을 나타내었으며, breakdown은 낮아지고 setback은 높은 것으로 나타났다. 열적 특성 분석 결과 HPCL 쌀전분의 경우 일반 쌀 전분보다 낮은 $T_{o}, T_{p}, T_{c}$ 및 ${\Delta}H$를 나타내었으며, $POCl_{3}$ 함량이 적을수록 감소폭이 더 큰 것으로 나타났다. 따라서 HPCL 쌀전분의 경우 RVA pasting 특성은 PO 첨가량, 즉 하이드록시프로필화에 따른 영향이 크다고 볼 수 있고 DSC 열적특성은 하이드록시프로필화 및 가교화 모두 영향을 미치는 것으로 생각된다.

• 한국식품과학회지
• /
• 제39권5호
• /
• pp.534-540
• /
• 2007

유과 제조 시 제조 시간을 단축할 수 있는 소재를 개발하기 위하여 찹쌀전분을 $POCl_3$와 반응시켜 가교화 찹쌀전분을 제조하고 이들의 물리화학적 특성을 연구하였다. 가교화 찹쌀전분의 치환율은 0.04-2.73으로 나타났으며, 팽윤력은 일반 찹쌀전분에 비해 약간 증가되는 경향을 보였으며 용해도는 일반 찹쌀전분보다 낮은 경향을 보였다. 등온흡습곡선은 가교화에 따른 유의적인 차이를 보이지 않았다. 전분의 pasting 특성을 검토한 결과, 호화개시온도는 가교화에 따른 변화가 없는 것으로 나타났으며, 최대점도, holding strength, final viscosity, setback은 일반 찹쌀전분보다 높아지는 결과를 나타냈다. 열적특성은 호화개시온도, 최대호화온도, 호화종결온도 그리고 호화엔탈피 모두 각 전분간에 유의적인 차이가 나타나지 않았다. X-ray회절 분석 결과로 볼 때, 가교화 찹쌀전분 및 일반 찹쌀전분 모두 A형의 결정 형태를 나타내었고, 상대적 결정화도의 차이가 나타나지 않는 것으로 보아 가교화가 찹쌀전분의 결정형영역에는 영향을 주지 않는 것으로 보여진다. 가교화 찹쌀전분을 사용하여 제조한 유과의 경우 일반 찹쌀을 장시간 침지한 후 제조한 시료와 비슷한 팽화율을 나타내었으며 시료의 변색 반응이 나타나지 않는 것으로 보아 유과 제조용 소재로서 적합한 것으로 판단되었다.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제25권11호
• /
• pp.1342-1349
• /
• 1988

플리즈마 변수로서 가스조성과 압력 및 RF 전력이 인 및 붕소가 각각 다른 양으로 주입된 다결정 실리콘의 식각율 변화에 미치는 영향을 고찰하였다. $POCl_3$에 의해 인이 주입된 경우, 염소조성보다 불소조성이 많은 영역, 즉 $Cl_2$와 $SF_4$의 비가 17대 33일 때, 가장 큰 비등방성과 가장 작은 선폭손실을 달성하였다. 플라즈마 조건에 관계없이 주입된 불순물 농도의 증가에 다라, 인이 주입된 경우는 식각율이 증가하였고, 붕소가 주입된 경우는 식각율이 반대로 감소하였다. 또한, 급속 열처리에 의한 활성화 시간의 함수로서 인이 주입된 다결정실리콘의 식각율변화를 측정한 결과, 도우핑 농도뿐 아니라 활성화된 운반자, 즉 전자의 농도가 그 식각율 증가에 중요한 역할을 한다는 것을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제7권2호
• /
• pp.33-42
• /
• 1970

액상과 고상의 불순물원을 사용한 이중확산법을 이용하여 초분수형 p-n 접합 VVC다이오드를 열작하고 그 특성을 측정하였다. 먼저 접합부근의 불순물분포를 지수난수로 근사시키고 여기에서 부터 유도되는 인가전압대 접태용총번계, 접합부에서의 섬계로계강도, 규재주파수 등을 고려하여 WC 다이오드외 새로운 담계수법을 위시하였다. 이 설계도표는 원하는 특성의 VVC다이오드를 번표와에서 나접 설계 할수있으므로 매우 사리하다. VVC다이오드는 2.5ohnm-cm의 n형, 실리콘박편위에 도너불순물 POCl3를 사용하여 선을 확정시키고, 다시 억셉터 불순물 BN을 사용하여 붕소를 확산시켜서, 접합깊이 2미크론에 초단계형접합을 만드므로서 제작하였다. 본연구에서 텔레비젼 수상기튜너용으로 시작한 다이오드의 최대용량대 총소용량의 비는 4:1이였고 그외의 전기적 제 특성도 이론적으로 설계한 값들과 거의 합치된 결과를 얻었다. 한편 이때의 실리콘 박편의 제작법과 확산기술에 관하여 간단히 기술하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제24권4호
• /
• pp.473-478
• /
• 2003

3-Amino-2-hydroxy-4(3H)-quinazolinone (3) was prepared via condensation of 1 with hydrazine hydrate. Treatment of 3 with appropriate acid in $POCl_3$, ethyl chloroacetate and activated olefinic compounds in DMF yielded the corresponding 3-(substituted)amino-2-hydroxy-4(3H)-quinazolinones 4, 5 and 6. The electron impact ionization mass spectra of compounds 3 and 4 show a weak molecular ion peak and a base peak of m/z 146 resulting from a cleavage fragmentation. The compounds 5 and 6 give a characteristic fragmentation pattern with a very stable fragment of benzopyrazolone (m/z 132).

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제30권10호
• /
• pp.2413-2418
• /
• 2009

Rates of solvolyses of 4-nitrophenyl phenyl thiophosphorochloridate (4-N$O_2$PhOP(S)(Cl)OPh, $\underline{1}$) in ethanol, methanol, and aqueous binary mixtures incorporating ethanol, methanol, acetone, and 2,2,2-trifluroethanol (TFE) are reported. Thermodynamic parameters were determined at several temperatures in three representative solvents. The extended Grunwald-Winstein equation was applied to 29 solvents and the correlation coefficient (R) showed 0.959. The sensitivities (l = 1.37 and m = 0.62) are similar to those obtained for diphenyl thiophosphorochloridate (($PhO)_2$PSCl, $\underline{2}$), diphenyl phosphorochloridate (($PhO)_2$POCl, $\underline{3}$), diphenyl phosphinic chloride ($Ph_2$POCl, $\underline{4}$), and diphenyl thiophosphinic chloride ($Ph_2$PSCl, $\underline{5}$). The solvolytic reaction mechanism of 4-nitrophenyl phenyl thiophosphorochloridate ($\underline{1}$) is suggested to be proceeded a $S_N$2 process as previously reported result. The activation enthalpies are shown as slightly low as ${\Delta}H^{\neq}\;=\;9.62\;to\;11.9\;kcal{\cdot}mol^{-1}$ and the activation entropies are shown as slightly high negative value as ${\Delta}S^{\neq}\;=\;-34.1\;to\;-44.9\;cal{\cdot}mol^{-1}{\cdot}K^{-1}$ compared to the expected $S_N$2 reaction mechanism. Kinetic solvent isotope effects are accord with a typical $S_N$2 mechanism as shown in the range of 2.41 in MeOH/ MeOD and 2.57 in $H_2O/D_2O$ solvent mixtures.

• Archives of Pharmacal Research
• /
• 제13권2호
• /
• pp.198-200
• /
• 1990

3, 4-Diphenyl-5-cyanopyridazin-6-one 3 was prepared from the reaction of cyano acetamide 2 with benzihydrazone in dry pyridine. A series of its derivatives was prepard. Tolyl and benene sulphonyl derivatives 6a and 6b are also prepared. 3, 4-Diphenyl-5-cyanopyridazin-6-thione 5 was obtained from 3 by the action of $P_2S_5$ while 3, 4 diphenyl-5-cyano 6-chloropyridazine 4 was obtained from 3 by the action POCl$_3$. The reaction of 4 with hydrazine hydrate directly afforded the pyrazolopyridazine derivative 7. Compound 4 also reacted with phenylhydrazine, aniline, thiophenol and anthranilic acid to yield pyridazine derivatives 8, 9, 10 and 11, respectively. On treatment of compound 11 with acetic anhydride it cyclised to afford pyridazino pyrimidine derivatives 12.