Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.152-152
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2008
Micro probe with Ni-Co tip was designed. Unit processes for fabricating the micro probe were developed. We are investigated the micro probe tip using by Ni-Co alloy. One-step and three-step needle was fabricated by plating process, CMP, and photolithography process. The plating thickness was varied by current density and time. Futher data will be extract by different process conditions.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.32
no.3
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pp.224-234
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1999
An attempt was made to characterize the relationship between pretreatment processes, electrolysis conditions and behaviors of the plated gold layer. In order to investigate the effect of pretreatment processes on plating, rest potential measurements of various pretreated stainless steels and a.c.-impedance spectroscopy tests were carried out in the strike plating solution. Characteristics of plated gold layers and adhesions between plated gold layers and stainless steel substrates were examined by scratching tests and micro-Vickers hardness tests. The result shows that the strike plating enhanced the adhesion of interface, the cathodic electro-activation pretreatment process improving both corrosion resistance and adhesion strength. The preferred orientations of plated gold layers were examined by the X-ray diffraction technique. As the current density increases, [111] preferred orientation of plated gold layers was found to become well developed.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.56
no.3
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pp.185-191
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2023
The lifetime and corrosion resistance of the coating depends on its thickness and composition. We checked how the plating progressed according to the shape of the product to be plated. There was no significant difference in the composition or thickness of the plating according to the shape of the separately plated products. Samples of different shapes collected from products with complex shapes showed no significant difference in composition depending on the shape, but significant differences in thickness. This difference is due to the difference in applied current density depending on the shape of the product.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2000.11a
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pp.1-2
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2000
In chip plating, several parameters must be taken into consideration. Current density, solution concentration, pH, solution temperature, components volume, chip and media ratio, barrel geometrical shape were most likely found to have an effect to the process yields. The 3 types of barrels utilized in chip plating industry are the onventional rotating barrel, vibrational barrel(vibarrel), and the centrifugal type. Conventional rotating barrel is a close type and is commonly used. The components inside the barrel are circulated by the barrel's rotation at a horizontal axis. Process yield has known to have higher thickness deviation. The vibrational barrel is an open type which offers a wide exposure to electrolyte resulting to a stable thickness deviation. It rotates in a vertical axis coupled with multi-vibration action to facilitate mixed up and easy transportation of components. The centrifugal barrel has its plated work centrifugally compacted against the cathode ring for superior electrical contact with simultaneous rotary motion. This experiment has determined the effect of barrel vibration intensity to the plating thickness distribution. The procedures carried out in the experiment involved the overall plating process., cleaning, rinse, Nickel plating, Tin-Lead plating. Plating time was adjusted to meet the required specification. All other parameters were maintained constant. Two trials were performed to confirm the consistency of the result. The thickness data of the experiment conducted showed thatbthe average mean value obtained from higher vibrational intensity is nearer to the standard mean. The distribution curve shown has a narrower specification limits and it has a reduced variation around the target value. Generally, intensity control in vi-barrel facilitates mixed up and easy transportation of components. However, it is desirable to maintain an optimum vibration intensity to prevent solution intrusion into the chips' internal electrode. A cathodic reaction can occur in the interface of the external and internal electrode. 2H20 + e $\rightarrow$M/TEX> 20H + H2.. Hydrogen can penetrate into the body and create pressure which can cause cracks. At high intensity, the chip's motion becomes stronger, its contact between each other is delayed and so plating action is being controlled. However, the strong impact created by its collision can damage the external electrode's structure there by resulting to bad plating condition.
The current study investigates the electroplating characteristics of Sn-Cu eutectic micro-bumps electroplated on a Si chip for flip chip application. Under bump metallization (UBM) layers consisting of Cr, Cu, Ni and Au sequentially from bottom to top with the aim of achieving Sn-Cu bumps $10\times10\times6$${\mu}m$ in size, with 20${\mu}m$ pitch. In order to determine optimal plating parameters, the polarization curve, current density and plating time were analyzed. Experimental results showed the equilibrium potential from the Sn-Cu polarization curve is -0.465 V, which is attained when Sn-Cu electro-deposition occurred. The thickness of the electroplated bumps increased with rising current density and plating time up to 20 mA/$cm^2$ and 30 min respectively. The near eutectic composition of the Sn-0.72wt%Cu bump was obtained by plating at 10 mA/$cm^2$ for 20 min, and the bump size at these conditions was $10\times10\times6$${\mu}m$. The shear strength of the eutectic Sn-Cu bump was 9.0 gf when the shearing tip height was 50% of the bump height.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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1999.10a
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pp.15-15
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1999
In chip plating, several parameters must be taken into consideration. Current density, solution concentration, pH, solution temperature, components volume, chip and media ratio, barrel geometrical shape were most likely found to have an effect to the process yields. The 3 types of barrels utilized in chip plating industry are the conventional rotating barrel. vibrational barrel (vibarrel), and the centrifugal type. Conventional rotating barrel is a close type and is commonly used. The components inside the barrel are circulated by the barrel's rotation at a horizontal axis. Process yield has known to have higher thickness deviation. The vibrational barrel is an open type which offers a wide exposure to electrolyte resulting to a stable thickness deviation. It rotates in a vertical axis coupled with multi-vibration action to facilitate mixed up and easy transportation of components, The centrifugal barrel has its plated work centrifugally compacted against the cathode ring for superior electrical contact with simultaneous rotary motion. This experiment has determined the effect of barrel vibration intensity to the plating thickness distribution. The procedures carried out in the experiment involved the overall plating process., cleaning, rinse, Nickel plating, Tin-Lead plating. Plating time was adjusted to meet the required specification. All other parameters were maintained constant. Two trials were performed to confirm the consistency of the result. The thickness data of the experiment conducted showed that the average mean value obtained from higher vibrational intensity is nearer to the standard mean. The distribution curve shown has a narrower specification limits and it has a reduced variation around the target value, Generally, intensity control in vi-barrel facilitates mixed up and easy transportation of components, However, it is desirable to maintain an optimum vibration intensity to prevent solution intrusion into the chips' internal electrode. A cathodic reaction can occur in the interface of the external and internal electrode. $2HD{\;}+{\;}e{\;}{\rightarrow}20H{\;}+{\;}H_2$ Hydrogen can penetrate into the body and create pressure which can cause cracks. At high intensity, the chip's motion becomes stronger, its contact between each other is delayed and so plating action is being controlled. However, the strong impact created by its collision can damage the external electrode's structure thereby resulting to bad plating condition. 1 lot of chip was divided into two equal partion. Each portion was loaded to the same barrel one after the other. Nickel plating and tin-lead plating was performed in the same station. Portion A maintained the normal barrel vibration intensity and portion B vibration intensity was increased two steps higher. All other parameters, current, solution condition were maintained constant. Generally, plating method find procedures were carried out in a best way to maintained the best plating condition. After plating, samples were taken out from each portion. molded and polished. Plating thickness was investigated for both. To check consistency of results. 2nd trial was done now using different lot of another characteristics.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.444-445
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2009
The metallic contact system of silicon solar cell must have several properties, such as low contact resistance, easy application and good adhesion. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion as well as desirable contact metal to silicon. Nickel monosilicide(NiSi) has been suggested as a suitable silicide due to its lower resistivity, lower sintering temperature and lower layer stress than $TiSi_2$. Copper and Silver can be plated by electro & light-induced plating method. Light-induced plating makes use the photovoltaic effect of solar cell to deposit the metal on the front contact. The cell is immersed into the electrolytic plating bath and irradiated at the front side by light source, which leads to a current density in the front side grid. Electroless plated Ni/ Electro&light-induced plated Cu/ Light-induced plated Ag contact solar cells result in an energy conversion efficiency of 16.446 % on $0.2\sim0.6\;{\Omega}{\cdot}cm$, $20\;\times\;20\;mm^2$, CZ(Czochralski) wafer.
Kim, Uk-Jung;Kim, Seon-Tae;Kim, Seong-Su;Gwon, Sun-Gil;An, Jun-Mo;Kim, Geun-Hong;Cheon, Chang-Hwan
Korean Journal of Materials Research
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v.11
no.11
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pp.941-946
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2001
Conductive microspheres with a density of 0.2 g/cc were fabricated by electroless silver plating for application to the light-weighted microwave absorbers. The silver plating was conducted with the variation of plating conditions (sensitizing condition, $AgNO_3$, concentration, amount of reducing agent). Specimens have very low electro-resistivity. Under an optimum processing condition, conductive microspheres with uniform silver plating layer can be produced. Rubber-sphere composites were fabricated and their microwave absorbing properties were measured by HP8722D Network Analyzer. It was found that the lower the electrical resistance of microsphere, the better the microwave absorbing properties. Feasibility of microwave absorbers using this microspheres can be demonstrated with the result of microwave reflection loss of -15 dB and thickness of 1.44 mm.
Park, Sang-Jin;Ko, Tae-Jun;Yoon, Juil;Moon, Myoung-Woon;Han, Jun Hyun
Korean Journal of Materials Research
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v.25
no.11
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pp.622-629
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2015
Cu circuits were successfully fabricated on flexible PET(polyethylene terephthalate) substrates using wettability difference and electroless plating without an etching process. The wettability of Cu plating solution on PET was controlled by oxygen plasma treatment and $SiO_x$-DLC(silicon oxide containing diamond like carbon) coating by HMDSO(hexamethyldisiloxane) plasma. With an increase of the height of the nanostructures on the PET surface with the oxygen plasma treatment time, the wettability difference between the hydrophilicity and hydrophobicity increased, which allowed the etchless formation of a Cu pattern with high peel strength by selective Cu plating. When the height of the nanostructure was more than 1400 nm (60 min oxygen plasma treatment), the reduction of the critical impalement pressure with the decreasing density of the nanostructure caused the precipitation of copper in the hydrophobic region.
Journal of the Korean Professional Engineers Association
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v.16
no.3
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pp.68-73
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1983
The metal deposition behavior in the barrel tin plating has been studied for the electronic DIP products, and tried to find out some modified factors in order to explain partial ,current flow behavior of this load. The deposition distribution characteristics for DTP products should be classified with the normal barrel plating as partially conductive load. Deposit distribution curves obtained from one-dimensional model have shown strong dependence n the applied current density, rotating speed of barrel and metal ion concentration of the solution. Theoretical formula J=$\delta$'/${\beta}$-{-c$^3$/${\gamma}$-exp-(1-${\alpha}$)n${\Phi}$} derived from one-dimensional porous model has been proposed for the barrel plating behavior where higher overpotential and concentration changes take place during barrel plating.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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