• The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.62 no.7
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• pp.963-968
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• 2013

Ionizing Radiation effects on MOS devices provide useful information regarding the behavior of MOS based devices and circuits in the electronic instrumentation parts and instructive data for making the high sensitive sensors. The study presents the results of the analysis on the structural characteristics of MOS capacitor for sensing the ionizing radiation effect. We performed numerical modeling of Ionizing-radiation effect on MOS capacitor and simulation using Matlab program. Also we produced MOS capacitors and obtained useful data through radiation experiment to analyse the characteristic of ionizing radiation effect on MOS capacitor. Increasing the thickness of MOS capacitor's oxide layer enhanced the sensitivity of MOS capacitor under irradiation condition, but the sensitivity of irradiated MOS capacitor is uninfluenced by the area of MOS capacitor. The high frequency capacitance of the MOS capacitor is found to be strongly affected by incident ionizing radiation.

• The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.62 no.7
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• pp.969-973
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• 2013

To simulate the effect of high dose-rate radiation on semiconductor devices, device modeling work has been performed especially in the area of photo-current generation by a PIN diode. The resultant analytical values were compared with experimental ones that were specially designed and performed to benchmark the simulation results. Initial results showed 27.85% error between the simulation and the experiment. The error can be further reduced by improvement both in simulation and in related experiments. The developed technique from the study can be applicable to radiation dosimetry and to analysis on the radiation effects in electronics.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07d
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• pp.2187-2188
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07d
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• pp.2185-2186
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07a
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• pp.553-554
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화 된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션 하였으며, 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/Off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• ETRI Journal
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• v.31 no.3
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• pp.318-320
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• 2009

A switchable Yagi-Uda antenna prototype with radiation pattern reconfiguration is presented in this letter. The proposed reconfigurable antenna is based on the concept of switching between the reflector and director of a Yagi-Uda antenna using a radio frequency PIN diode. As a result, the minimum/maximum radiation can be steered towards desired signals or away from interfering signals in opposite directions. The measured 10 dB impedance bandwidth and gain are 210 MHz (7%) and 8.02 dBi at 3 GHz, respectively. Details of the antenna design and its performance are described and empirically analyzed.

• Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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• v.11 no.5
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• pp.34-41
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• 2008

This paper describes the design of SP3T PIN diode switch which has a 500W high power handling capability in $20{\sim}400MHz$ frequency range. Design factors were investigated and it was confirmed by simulation that the characteristics of insertion loss, VSWR, and isolation met design goal. Also, the capability to handle 500W high power with very fast switching speed of less than $26{\mu}s$ was confirmed and insertion loss of less than 1dB, VSWR of less than 1.4:1, and isolation of higher than 60dB were obtained by experiments.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.285-288
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• 2004

탄화규소 기판의 에피 박막결함으로는 dislocation, micropipe, pin-hole 및 에피층 표면의 여러 가지 결함들이 있다. 이러한 결함들이 탄화규소 쇼트키 다이오드의 항복전압과 어떠한 상관관계가 존재하는지 알아 보기 위해 탄화규소 쇼트키 다이오드를 제작하고, 제작된 소자의 항복전압을 측정하였다. 에피 박막내의 결함 분포를 알아보기 위해 항복전압 측정후 KOH 용액을 이용한 SiC의 에칭을 수행하였으며, 제작된 여러소자들에 대해 항복전압의 분포도와 결함 분포도를 작성, 비교 관찰하였다.

• Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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• 2003.11a
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• pp.104-107
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• 2003

본 논문에서는 VHF대역 기지국용 전력증폭기에 대해 입력레벨이 $0dBm{\pm}1 dB$, 출력이 $45dBm{\pm}1dB$인 증폭기를 모듈화 하여 설계하고 제작 및 측정하였다. 출력 레벨 제어는 Pin Diode 감쇄기를 이용하여 Dynamic Range 40dB 내에서 5단계로 전력제어가 가능하고 입력레벨이 $-4{\sim}0dBm$로 변동될 때 AGC(Auto Gain Control) 회로가 동작 되도록 설계하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1430-1431
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• 2008

In this paper, a optical current transformer has been designed and favricated to improve temperature stability caused materials properties and insulation in measuring system, suing single crystal as faraday effect cells. We used 850[nm] Laser diode as the light source and PIN Photodiode as receiver. For the experiment, the temperature transformation device make by aluminum. The range of current was from 0[A]$\sim$1600[A] and the range of temperature was from -20[$^{\circ}C$] to 50[$^{\circ}C$]. In a same experimental condition magnitude increased input current increase follow by increasing proportion of input current. The result of this study shows that characteristics of OCT are good, and it can be reflected for practical optical sensors.