• 한국전자파학회논문지
• /
• 제17권1호
• /
• pp.60-66
• /
• 2006

본 논문에서는 PIN 다이오드를 이용하여 다양한 편파 변환 특성을 갖는 마이크로스트립 원형 패치 안테나를 제안하였다. 안테나의 방사 패치에 두 개의 튜닝 스터브를 일정 거리를 두어 배치하고 PIN 다이오드로 각각의 튜닝 스터브를 방사 패치에 대하여 전기적으로 단락과 개방으로 스위칭함으로써 편파 변환 특성을 갖도록 하였다. 각각의 PIN 다이오드의 on/off 특성에 따라 안테나의 방사 특성은 두 주파수대의 선형 편파와 원형 편파, 우화전 원형 편파와 좌회전 원형 편파의 특성을 나타내게 된다. PIN 다이오드가 모두 on 또는 모두 off일 때 선형 편파가 발생하게 되고, 둘 중에 하나만 on되면 원형 편파 특성을 나타내게 된다. 안테나 측정 결과, 선형 편파일 경우에는 -10 dB 임피던스 대역폭은 각각 57.0 MHz($2.4\%$)와 50.0 MHz($2.1\%$)이며 방사 패턴에 있어서는 -15 dB 이하의 교차 편차 특성을 나타내었다. 또한, 원편파로 동작하는 경우, 좌${\cdot}$우 회전 편파에 대하여 모두 약 $1.3\%$의 축비 대역폭을 가졌으며 축비의 최소값은 0.2와 0.9 dB로 측정되었다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제27권9호
• /
• pp.834-843
• /
• 2016

본 논문에서는 PIN 다이오드를 이용한 S-대역 고출력 경로선택형 SP4T 및 SP4T 구동회로의 설계를 보였다. 격리도 개선을 위하여 SP4T의 각 경로(path)는 직렬 및 병렬 PIN 다이오드 2개를 cascade하여 구성하였다. 설계된 SP4T 회로는 칩-형 PIN 다이오드와 박막(thin-film) 기법으로 제작된 20 mil AIN 기판을 사용하여 구현하였다. 또한, 설계된 SP4T의 구동회로는 1개의 multiplexer와 4개의 NMOS-PMOS push-pull 쌍을 이용하여 구성하였다. 온-웨이퍼 측정결과, 제작된 SP4T는 최대 삽입손실 1.1 dB, 최소격리도 41 dB의 특성을 보였다. 구동회로의 PIN 다이오드의 on-off, off-on 천이시간은 동일 PIN 다이오드의 패키지를 이용하여 시험하였으며, 모두 약 100 nsec 이하의 천이시간을 보였다. 150 W 입력 고출력 시험 결과, 격리도와 삽입손실은 동축 패키지의 손실 및 부정합을 고려하면 온-웨이퍼 측정결과에 준하는 결과를 얻었다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제17권4호
• /
• pp.368-379
• /
• 2006

본 논문에서는 기존의 실험 위주의 설계 기법보다는 해석적 방법에 의하여 3단으로 구성된 평판형 리미터 설계 및 제작 기법을 제시하였다. 해석 결과 PIN 다이오드로 구성된 리미터에 고출력의 RF 입력이 인가될 경우 두 가지 형태의 누설 전력이 발생하며 이의 PIN 다이오드 파라미터와 연관성을 설명하였다. 설계된 리미터 회로는 1단과 2단은 PIN diode로 구성되며 3단은 Schottky 다이오드를 사용 구성하였다. 이를 통하여 제작된 리미터회로는 약신호시 삽입 손실 0.8 dB, 20 W RF 입력시 첨두 누설 전력(spike leakage) 12 dBm, 정상 누설 전력 12 dBm의 사양을 보여주고 있다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제18권4호
• /
• pp.364-371
• /
• 2007

본 논문에서는 와이브로 기지국 시스템을 위한 고전력 PIN 다이오드 스위치와 고속 스위치 구동회로에 대한 설계와 측정 결과를 제공한다. 일반적인 전력용 팩키지 다이오드의 기생 인덕턴스에 의한 격리도 열화를 막고 다이오드 스위치의 전력 능력을 향상시키기 위해 칩 형태의 다이오드를 사용하였으며, 본딩 와이어에 의한 직렬 인덕턴스는 전송선로의 임피던스에 쉽게 흡수될 수 있도록 회로를 구성하였다. 구현된 스위치 모듈은 사용된 다이오드의 개수를 최대한 줄이면서 최대의 성능을 얻을 수 있도록 설계되었으며 2.35 GHz에서 써큘레이터의 손실을 포함하여 약 0.84 dB의 삽입 손실과 80 dB 이상의 격리도 특성을 보였다. 또한 TTL 신호를 통한 스위치 모듈의 제어를 위해 스위치 구동회로를 설계, 제작하였으며 스위칭 속도는 200 nsec로 측정되었다. 스위치 모듈은 디지털 변조된 고전력 신호에 의해 전력능력이 시험되었으며 70 W의 전력이 인가되는 경우에도 정상적으로 동작하는 특성을 보여주었다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
• /
• 제39권1호
• /
• pp.63-67
• /
• 2015

백색 발광 다이오드는 조명과 통신이 동시에 가능하여 많은 주목을 받고 있다. 본 논문에서는 고출력 백색 LED와 저가형 광 다이오드, 프레넬 렌즈로 구성된 가시광 통신의 특성을 연구하였다. LED 구동회로는 고전력 MOSFET과 MOSFET 전용 구동칩을 사용하여 LED가 고속으로 온오프 되게 스위칭 하였다. 사용한 LED의 대역폭은 8 MHz로 측정되었다. 그러나 실내 조명환경을 고려한 500 lx 조도 하에서 통신 속도는 PIN 광 다이오드인 SFH213의 낮은 스펙트럼 감도와 낮은 신호전력으로 인해 1 Mbps까지만 가능하였다. 시스템 대역폭을 확장하기 위하여 프레넬 렌즈를 적용한 경우 수신단의 PIN 광 다이오드에 LED의 집광된 광 전력이 입사되도록 하여 LED의 대역폭까지 변조될 수 있었다. 프레넬 렌즈에 의한 신호대 잡음비는 40 dB 이상 향상되었다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제23권7호
• /
• pp.791-796
• /
• 2012

RF 리미터(limiter)는 원하지 않는 신호로부터 수신단을 보호하기 위해 사용되는 소자로서, 임계값 이상의 모든 입력신호에 대해 일정한 출력을 제공한다. 다이오드를 사용하는 RF 리미터는 작은 신호는 통과시키는 반면, 어떤 임계값 이상의 신호는 감쇄시켜서 전달한다. 현대의 레이더 시스템에서 수신기를 보호하기 위해 사용되는 RF 리미터는 새로운 간섭 위협이나 복잡한 전자파 환경의 도전으로부터 극복할 수 있는 절대 필요한 역할을 수행한다. 본 논문은 고출력 RF 리미터를 구현하기 위해 PIN 다이오드와 Limit 다이오드의 조합으로 구성된 회로를 제안한다. PIN 다이오드는 스위치의 격리도(isolation) 특성을 이용하는 것과 같이 다이오드의 격리도 특성을 이용하는 개념을 적용한다. S-대역에서 200 us 펄스폭을 갖는 2 kW RF 리미터를 개발하였다. 그 측정 결과는 예측한 값과 잘 일치함을 알 수 있다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제23권9호
• /
• pp.1065-1072
• /
• 2012

본 논문에서는 레이다 시스템의 수신단의 도파관 리미터와 대역 통과 여파기를 하나의 소자로 구현하는 방법을 제시하고자 한다. 먼저 대역 통과 여파 특성을 갖는 아이리스 구조를 제안하고 PIN 다이오드를 연결하여 도파관에 입사되는 전력의 크기에 따른 PIN 다이오드 바이어스 동작 특성에 따라서 각각 여파기와 리미터로 동작하는 구조를 설계하였다. 제작된 구조는 낮은 전력의 마이크로파가 입사하는 경우, 10 GHz에서 -0.7 dB의 삽입 손실을 갖는 통과 대역을 형성하는 여파기로, 높은 전력의 마이크로파가 입사하는 경우 대략 25 dB의 분리도를 갖는 리미터로 동작한다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제13권10호
• /
• pp.2066-2070
• /
• 2009

본 논문에서는 한 개 PIN 다이오드와 두 개 저항을 이용하여 $\pi$-형 고정 감쇠기 구조 형태의 전압 제어 방식의 가변 감쇠기를 설계 및 제작하였다. 제안된 가변 감쇠기는 저항과 외부 인가 전압에 따른 PIN 다이오드의 저항 값의 변화에 따라 원하는 일정 감쇠 범위에서 동작하며, 작은 크기의 회로로 낮은 입력 VSWR 특성과 혼변조 발생 특성을 갖는다. 또한, 제안된 가변 감쇠기에서는 PIN 다이오드에 추가적인 개방 선로를 연결하여 감쇠량의 변화에 따른 위상 변화량을 적게 하였다. 추가적인 개방 선로의 길이는 Deloach 방법과 초고주파 회로 특성을 이용하여 계산하였다. 제안된 가변 감쇠기의 특성을 살펴보기 위하여 2110~2170 MHz 주파수 대역에서 마이크로스트립 기판을 이용하여 가변 감쇠기를 제작하였다. 제작된 감쇠기는 0~2.7 V의 전압 범위에서 4 dB의 감쇠량의 변화를 가졌으며, 이 때 위상 변화량은 2도 이내, 반사계수(S11)는 -20 dB 이하의 값을 가졌다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
• /
• 한국원자력학회 2001년도 춘계학술발표회요약집
• /
• pp.426.1-426
• /
• 2001

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제14권6호
• /
• pp.625-629
• /
• 2003

GaAs PIN 다이오드를 이용하여 저손실 고출력 MMIC 리미터를 설계하고 제작하였다. 고전력 수용 능력을 증가시키기 위하여 새로운 GaAs PIN 다이오드 에피구조를 제안하였다. 2종류의 리미터 회로를 설계하고 그리미팅 전력을 측정하였다. 측정결과에서 리미팅 전력은 설계회로 토폴로지에 따라 달라졌다. 제작된 2단 리미터의 리미팅 전력은 14 ㎓에서 각각 17 ㏈m과 23 ㏈m으로 측정되었다.