• 제목/요약/키워드: PDP

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Risk Factor Analysis of Cryopreserved Autologous Bone Flap Resorption in Adult Patients Undergoing Cranioplasty with Volumetry Measurement Using Conventional Statistics and Machine-Learning Technique

  • Yohan Son;Jaewoo Chung
    • Journal of Korean Neurosurgical Society
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    • 제67권1호
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    • pp.103-114
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    • 2024
  • Objective : Decompressive craniectomy (DC) with duroplasty is one of the common surgical treatments for life-threatening increased intracranial pressure (ICP). Once ICP is controlled, cranioplasty (CP) with reinsertion of the cryopreserved autologous bone flap or a synthetic implant is considered for protection and esthetics. Although with the risk of autologous bone flap resorption (BFR), cryopreserved autologous bone flap for CP is one of the important material due to its cost effectiveness. In this article, we performed conventional statistical analysis and the machine learning technique understand the risk factors for BFR. Methods : Patients aged >18 years who underwent autologous bone CP between January 2015 and December 2021 were reviewed. Demographic data, medical records, and volumetric measurements of the autologous bone flap volume from 94 patients were collected. BFR was defined with absolute quantitative method (BFR-A) and relative quantitative method (BFR%). Conventional statistical analysis and random forest with hyper-ensemble approach (RF with HEA) was performed. And overlapped partial dependence plots (PDP) were generated. Results : Conventional statistical analysis showed that only the initial autologous bone flap volume was statistically significant on BFR-A. RF with HEA showed that the initial autologous bone flap volume, interval between DC and CP, and bone quality were the factors with most contribution to BFR-A, while, trauma, bone quality, and initial autologous bone flap volume were the factors with most contribution to BFR%. Overlapped PDPs of the initial autologous bone flap volume on the BRF-A crossed at approximately 60 mL, and a relatively clear separation was found between the non-BFR and BFR groups. Therefore, the initial autologous bone flap of over 60 mL could be a possible risk factor for BFR. Conclusion : From the present study, BFR in patients who underwent CP with autologous bone flap might be inevitable. However, the degree of BFR may differ from one to another. Therefore, considering artificial bone flaps as implants for patients with large DC could be reasonable. Still, the risk factors for BFR are not clearly understood. Therefore, chronological analysis and pathophysiologic studies are needed.

테라헤르츠 대역 주파수에서 근거리 무선 통신 응용을 위한 채널 모델 및 무선 링크 성능 분석 (Channel Model and Wireless Link Performance Analysis for Short-Range Wireless Communication Applications in the Terahertz Frequency)

  • 정태진
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제20권9호
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    • pp.868-882
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    • 2009
  • 본 논문에서는 현재 주목을 받고 있는 테라헤르츠 대역의 주파수에서 근거리 무선 통신 응용을 위한 채널 모델과 무선 링크의 성능 분석에 대하여 서술한다. 10 Gbps 이상의 전송 속도를 실현하기 위해서는 주파수 대역폭이 기존의 밀리미터파에서 사용하는 주파수 대역폭보다 더 넓은 대역폭이 필요하며, 이 대역폭을 얻기 위해서는 테라헤르츠 주파수 대역으로 자연적으로 옮겨가지 않을 수 없다. ITU-R P.676-7 모델을 이용하여 테라헤르츠 대역의 대기 전파 감쇠 특성 분석 결과, 중심 주파수 220, 300, 350 GHz에서 약 68, 48, 45 GHz의 주파수 대역폭이 가용하며, 스펙트럼 효율이 1 이하인 변조 방식으로도 10 Gbps 이상의 데이터 속도를 얻을 수 있음을 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 간략화 PDP 모델을 이용하여 실내 공간의 건물 재질에 따른 지연 특성을 분석하였다. 실내 공간의 크기 $6\;m(L){\times}5\;m(W){\times}2.5\;m(H)$에서 콘크리트 벽의 경우 TE 편파에서 RMS 지연 확산은 9.23 ns였다. 이 결과는 참고문헌의 Ray-Tracing 시뮬레이션에서 얻은 10 ns 이내에 근접한다. 옥내 무선 링크 성능 분석 결과, 수신기의 감도는 BPSK 변조 방식을 사용하는 경우 대역폭 $5{\sim}50\;GHz$에 대하여 $-56{\sim}-46\;dBm$이고, 안테나 이득은 10 m 링크에서 $26.6{\sim}31.6\;dBi$였다. AWGN 채널과 LOS 환경을 가정할 때 송신기 출력 -15dBm에서 캐리어 주파수 220, 300, 350 GHz일 때 최대 달성 가능한 데이터 속도는 각각 30, 16, 12 Gbps였다. 이 결과는 BPSK 변조 방식을 사용하여 1 m 링크에서 얻은 결과이다. BER은 $10^{-12}$으로 가정하였고, 송신기 출력을 증가시키면 더욱 높은 데이터 속도를 얻을 수 있다.

해외 복수 시장 진출 기업의 제품 매출 이륙 시점 예측 모형에 관한 연구 (An Exploratory Study on Forecasting Sales Take-off Timing for Products in Multiple Markets)

  • 정재학;정호경
    • Asia Marketing Journal
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    • 제10권2호
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    • pp.1-29
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    • 2008
  • 본 연구는 해외 여러 시장에서 제품을 판매하는 글로벌 기업의 입장에서 복수 시장에서 발생하는 제품 수준의 매출 이륙 시점을 예측할 수 있는 모형을 제시하였다. 이 모형을 이용하여 복수 시장 정보, 제품 속성 정보, 가격 정보, 매출 정보 중 매출 이륙 시점 예측에 유용한 설명 변수들을 규명하기 위해 국내 전자 업체가 2년 5개월간 10개국 시장에 판매한 90종류의 PDP TV, LCD TV들 월별 매출 자료들을 대상으로 실증 분석을 하였다. 분석 결과, 매출 이륙 시점 예측에 유용한 변수들을 다음과 같이 파악할 수 있었다. 첫째, 대상 제품이 표적 시장에 진출하기 이전에 진출한 타 시장에서의 매출 자료를 표적 시장에서의 대상 제품 매출 이륙 시점 예측에 이용하는 것이 가장 중요함을 실증 분석을 통해 알 수 있었다. 특히, 매출 이륙 시점 예측에 동일 제품의 타 시장 혁신 계수를 이용하는 것이 유용한 반면, 동일 제품의 타 시장 모방 계수는 예측력에 도움을 주지 못함을 알 수 있었다. 둘째, 타 제품의 표적 시장 확산 정보는 예상과 달리 대상 제품의 표적 시장에서의 매출 이륙 시점 예측에 기여하는 바는 낮음을 알 수 있었다. 셋째, 일반적 인식처럼 가격과 제품의 속성도 이륙시점의 발생 시기에 영향을 미치는 것을 알 수 있었다. 하지만 제품의 자체 가격 정보 보다 시장 평균 가격 대비 대상 제품 가격 비율이 매출 이륙 시점 예측에 보다 효과적임을 알 수 있었다. 마지막으로, 전기 누적 매출량 역시 PLC 중 초기 시점을 예측하는 상황임에도 불구하고 제품 수준의 매출 이륙 시점 예측에 중요한 변수임을 알 수 있었다. 본 연구에서 제시한 매출 이륙 시점 예측 모형은 평균치에 근거한 일반적 예측과 비교해 볼 때 높은 예측력을 보여 주었다. 본 연구에서 제시한 예측 모형을 이용할 경우 특히 예측 시점이 2기일 때 가장 높음을 알 수 있었다. 본 연구 결과가 기여하는 바를 보면 첫째, 기존 확산모형과 달리 본 연구에서는 제품의 매출 초기 시점인 매출 이륙 시점을 측정하고, 예측하는 모형을 제시하였다. 둘째, 본 연구는 글로벌 시장에서 적용 가능한 제품 수준의 매출 이륙 시점을 예측하였다. 셋째, 본 연구는 처음으로 매출 이륙 시점 예측력을 예측 시점 별로 분석하여 모형의 예측력을 이해하는 데 새로운 접근법을 제시하였다.

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팽이버섯 (Flammulina velutipes)원형질체(原形質體)의 재생(再生), 환원(還元) 및 영양요구성(營養要求性) 균주선발(菌株選拔) (Protoplast Regeneration, Reversion and Isolation of Auxotrophic Mutants in Flammulina velutipes)

  • 신관철;박종성;유영복;여운형
    • 농업과학연구
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    • 제15권1호
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    • pp.15-22
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    • 1988
  • 팽이버섯 원형질체(原形質體)의 재생(再生)과 환원(還元)에 영향(影響)을 미치는 요인(要因)에 대해 조사(調査)하였으며 영양요구성(營養要求性) 돌연변이(突然變異) 균주(菌株) 선발(選拔)을 실시(實施)하여 얻은 결과(結果)는 다음과 같다. 1. 원형질체(原形質體) 재생배지(再生培地)에 첨가(添加)되는 삼투압 조절제(調節劑)로는 0.6M의 sucrose가 가장 우수(優秀)하였고 재생률(再生率)은 0.47~1.32%로 나타났다. 재생용(再生用) 배지(培地)에 몇가지의 영양원(營養源)을 첨가(添加)하였을때 재생률(再生率)의 증가(增加)를 나타내었으며 특히 yeast extract가 팽이버섯의 원형질체(原形質體) 재생(再生)에 효과적(效果的)이었다. 2. 팽이버섯의 원형질체(原形質體) 재생(再生) 형태(形態)는 bud-like cells에서 germ tube가 발달(發達)하는 형태(形態)이었다. 환원(還元)된 균총중(菌叢中)에는 13~18%의 clamp connection을 형성(形成)하지 않는 monokaryon 균주(菌株)들이 발견(發見)되었다. 3. 자외선(U.V.L) 조사시(照射時) 팽이버섯의 포자생존률(胞子生存率)은 180사(砂)에서 16%였고 이때 5계통(系統)의 영양요구성(營養要求性) 균주(菌株)가 선발(選拔)되었다. 이들 중(中) 2균주(菌株)는 nucleic acid requiring strain이었고 3균주(菌株)는 vitamine requiring strain이었다.

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Development of High Functional Black Resin Coated Electrogalvanized Steel Sheet for Digital TV Panel

  • Jo, Du-Hwan;Kwon, Moonjae;Lee, Jae-Hwa;Kang, Hee-Seung;Jung, Yong-Gyun;Song, Yon-Kyun;Jung, Min-Hwan;Cho, Soo-Hyoun;Cho, Yeong-Bong;Cho, Myoung-Rae;Cho, Byoung-Chon;Lim, Kwangsoo;Seon, Pan-Woo;Han, Hyeon-Soop;Jeong, Hwon-Woo;Lee, Jae-Ryung;Kim, Jong-Sang
    • Corrosion Science and Technology
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    • 제12권1호
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    • pp.1-6
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    • 2013
  • Recently Digital TV industry has drastically been moving the illuminating system, which causes an obvious product change from PDP and LCD to LED model to provide high-definition image. Due to strong competition in the digital industry, TV manufacturers make a great efforts to reduce production cost by using low-priced materials such as steels instead of aluminum and plastic etc. In this paper we have developed a new low-priced electrogalvanized steel sheet, which has a black resin composite layer, to substitute conventional high-priced PCM steel and plastic mold for rear cover panel in the digital TV. The black resin composite was prepared by mechanical dispersion of the mixture solution that consists of high solid polyester resin, melamine hardener, black pigment, micronized silica paste, polyacrylate texturing particle and miscellaneous additives. The composite solution was coated on the steel sheet using roll coater followed by induction furnace curing and cooling. Although the coated layer has a half thickness compared to the conventional PCM steels having $23{\mu}m$ thickness, it exhibits excellent quality for the usage of rear cover panel. The new steel sheet was applied to test products to get quality certification from worldwide electronic appliance customers. Detailed discussion provides in this paper including preparation of composite solution, roll coating technology, induction curing technology and quality evaluation from customers.

$RF-O_2$ Plasma 처리한 MgO 박막의 스퍼터링 수율 측정 (Measurement of Sputtering Yield of $RF-O_2$ Plasma treated MgO Thin Films)

  • 정원희;정강원;임연찬;오현주;박철우;최은하;서윤호;김윤기;강승언
    • 한국진공학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.259-265
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    • 2006
  • [ $RF-O_2$ ] plasma 처리한 MgO 박막의 스퍼터링 수율을 집속이온빔 장치를 이용하여 측정하였다. 가속 전압 10 kV의 Ga 이온빔을 주사했을 때 plasma 처리하지 않은 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 0.33 atoms/ion, $RF-O_2$ plasma 처리한 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 0.20 atoms/ion 으로 $RF-O_2$ plasma 처리한 경우 스퍼터링 수율이 낮아졌다. 또한 XPS, AFM을 통해 plasma 처리로 인한 MgO 표면의 변화를 관찰하였다. MgO 박막에 $RF-O_2$ plasma 처리한 후 XPS O 1s spectra의 binding energy와 FWHM 값이 각각 2.36 eV와 0.6167 eV 작아졌고 표면거칠기의 RMS 값 또한 0 32 nm 작아졌다.

Channel and Gate Workfunction-Engineered CNTFETs for Low-Power and High-Speed Logic and Memory Applications

  • Wang, Wei;Xu, Hongsong;Huang, Zhicheng;Zhang, Lu;Wang, Huan;Jiang, Sitao;Xu, Min;Gao, Jian
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제16권1호
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    • pp.91-105
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    • 2016
  • Carbon Nanotube Field-Effect Transistors (CNTFETs) have been studied as candidates for post Si CMOS owing to the better electrostatic control and high mobility. To enhance the immunity against short - channel effects (SCEs), the novel channel and gate engineered architectures have been proposed to improve CNTFETs performance. This work presents a comprehensive study of the influence of channel and gate engineering on the CNTFET switching, high frequency and circuit level performance of carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs). At device level, the effects of channel and gate engineering on the switching and high frequency characteristics for CNTFET have been theoretically investigated by using a quantum kinetic model. This model is based on two-dimensional non-equilibrium Green's functions (NEGF) solved self - consistently with Poisson's equations. It is revealed that hetero - material - gate and lightly doped drain and source CNTFET (HMG - LDDS - CNTFET) structure can significantly reduce leakage current, enhance control ability of the gate on channel, improve the switching speed, and is more suitable for use in low power, high frequency circuits. At circuit level, using the HSPICE with look - up table(LUT) based Verilog - A models, the impact of the channel and gate engineering on basic digital circuits (inverter, static random access memory cell) have been investigated systematically. The performance parameters of circuits have been calculated and the optimum metal gate workfunction combinations of ${\Phi}_{M1}/{\Phi}_{M2}$ have been concluded in terms of power consumption, average delay, stability, energy consumption and power - delay product (PDP). In addition, we discuss and compare the CNTFET-based circuit designs of various logic gates, including ternary and binary logic. Simulation results indicate that LDDS - HMG - CNTFET circuits with ternary logic gate design have significantly better performance in comparison with other structures.

고속 저전력 VLSI를 위한 가변 샘플링 윈도우 플립-플롭의 설계 (Variable Sampling Window Flip-Flops for High-Speed Low-Power VLSI)

  • 신상대;공배선
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권8호
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    • pp.35-42
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    • 2005
  • 본 논문에서는 전력소모 감소 및 강건성 (robustness) 향상을 위한 새로운 구조의 플립-플롭을 제안한다. 가변 샘플링 윈도우 플립-플롭(Variable sampling window flip-flop, VSWFF)은 입력 데이터에 따라 샘플링 윈도우의 폭을 변화시켜 강인한 데이터-래치 동작을 제공할 뿐 아니라 더욱 짧은 hold time을 갖는다. 또한, 이 플립-플롭은 입력 스위칭 행위(input switching activity)가 큰 경우에 기존의 저전력 플립-플롭보다 내부 전력소모를 감소시킬 수 있다. 클럭 진폭 감쇄형 가변 샘플링 윈도우 플립-플롭(Clock swing-reduced variable sampling window flip-flop, CSR-VSWFF)은 작은 스윙 폭의 클럭을 사용함으로써 클럭분배망(clock distribution network)의 전력소모를 감소시킬 수 있다. 기존의 클럭 진폭 감쇄형 플립-플롭(Reduced clock swing flip-flop, RCSFF)과 달리, 제안된 플립-플롭은 공급전압만으로 동작하므로 고전압의 발생 및 분배로 인한 설계 상의 비용증가를 제거한다. 시뮬레이션 결과, 기존의 플립-플롭과 비교하여 더욱 좁은 샘플링 윈도우에서도 불변의 지연값(latency) 을 유지하고 전력-지연 곱(power-delay product, PDP)이 개선됨을 확인하였다. 제안된 플립-플롭의 성능을 평가하기 위하여 $0.3\mu m$ CMOS 공정기술을 이용하여 테스트 칩을 설계하였으며, 실험 결과, VSWFF는 입력 스위칭 행위가 최대일 때 전력소모가 감소하며 CSR-YSWFF를 이용하여 설계된 동기 카운터는 부가 고전압의 사용 없이 전력소모가 감소됨을 확인하였다.

EPR 측정에 의한 CaMgSi2O6:Eu2+ 형광체의 열적 안정성 연구 (Thermal Stability of CaMgSi2O6:Eu2+ Phosphor by EPR Measurement)

  • 허경찬;김용일;유권상;문병기
    • 한국자기학회지
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    • 제15권4호
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    • pp.246-249
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    • 2005
  • 플라즈마 디스플레이(Plasma Display Panel: PDP)용 청색 형광체인 $CaMgSi_{2}O_6:Eu^{2+}(CMS:Eu^{2+})$를 고상반응(sold-state reaction)법으로 합성하였다. 합성한 재료를 실온에서부터 $1,100^{\circ}C$까지 열처리하여 photoluminescence(PL)와 EPR 측정으로 열적 안정성을 연구하였다. $CMS:Eu^{2+}$ 형광체를 대기 분위기 하에서 상온에서부터 $700^{\circ}C$까지 열처리하였을 때 PL의 변화는 없었으나, $700^{\circ}C$ 이상의 온도에서 열처리 하였을 때는 PL의 감소를 나타내었다. $700^{\circ}C$까지 PL의 안정된 거동을 보이는 것은 구조적으로 안정된 12 면체를 하고 있는 $Ca^{2+}$ 이온의 일부를 $Eu^{2+}$ 이온이 점유하고 있어 $Eu^{2+}$의 원자가 변화에 영향을 미치지 못했으나, $700^{\circ}C$이상의 PL의 감소는 $Eu^{2+}$에서 $Eu^{3+}$의 산화에 의한 것이라는 것을 EPR 흡수세기의 변화로부터 알 수 있었다.

승/감산 연산방법의 개선 및 PTL회로설계 기법을 이용한 저전력 MAC의 구현 (An Implementation of Low Power MAC using Improvement of Multiply/Subtract Operation Method and PTL Circuit Design Methodology)

  • 심기학;오익균;홍상민;유범선;이기영;조태원
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제37권4호
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    • pp.60-70
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    • 2000
  • 시스템 설계의 각 단계에서 저전력 설계기법을 적용하여 8×8+20비트의 MAC을 설계하였다. 알고리듬레벨에서는 MAC의 중요한 명령어 중의 하나인 승/감산연산을 위한 하드웨어의 설계에서 기존의 방식에 비하여 트랜지스터를 감소할 수 있는 새로운 기법을 제안하였으며, 회로 레벨에서는 동일한 로직을 CMOS로 구현한 경우보다 PDP(power-delay-product) 측면에서 우수한 성능을 가지는 NMOS pass-transistor 로직으로 구성된 새로운 Booth 셀렉터 회로를 제안하였다. 구조 레벨에서 최종단 덧셈기는 전력소모, 동작속도, 면적, 설계 규칙성 측면에서 가장 우수한 ELM 덧셈기를 사용하였고, 레지스터는 비트당 트랜지스터의 수가 적은 동적 CMOS 단일모서리 천이 플립플롭을 적용하였다. 동작속도를 높이기 위한 방법으로는 2단 파이프라인 구조를 적용했으며, Wallace 트리 블록에 고속 4:2 압축기를 이용하였다. 0.6㎛ 단일폴리, 삼중금속 CMOS 공정으로 설계된 MAC은 모의실험 결과 곱셈 연산시 최대 200㎒ 3.3V에서 35㎽의 전력을 소모하였고, MAC 연산시 최대 100㎒에서 29㎽의 전력을 소모하였다.

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