Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.45
no.5
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pp.12-18
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2008
Ag paste was employed for source and drain electrode of OTFTs and for the data metal lines of OTFT-OLED array on PC(polycarbonate) substrate. We tested two kinds of Ag-pastes such as pastes for 325 mesh and 500 mesh screen mask to examine the pattern ability and electrical performance for OTFTs. The minimum feature size was 60 ${\mu}m$ for 325 mesh screen mask and 40 ${\mu}m$ for 500 mesh screen mask. The conductivity was 60 $m{\Omega}/\square$ for 325 mesh and 133.1 $m{\Omega}/\square$ for 500 mesh. For the OTFT performance the mobility was 0.35 $cm^2/V{\cdot}sec$ and 0.12 $cm^2/V{\cdot}sec$, threshold voltage was -4.7 V and 0.9 V, respectively, and on/off current ratio was ${\sim}10^5$, for both screen masks. We applied the 500 mash Ag paste to OTFT-OLED array because of its good patterning property. The pixel was composed of two OTFTs and one capacitor and one OLED in the area of $2mm{\times}2mm$. The panel successfully worked in active mode operation even though there were a few bad pixels.
The CdSe thin films were grown on the Si(100) wafers by a hot wall epitaxy method (HWE). The source and substrate temperature are $600^{\circ}C$ and $430^{\circ}C$ respectively. The crystalline structure of epilayers was investigated by double crystal X-ray diffraction(DCXD). Hall effect on the sample was measured by the van der Pauw method and studied on the carrier density and mobility dependence on temperature. From Hall data, the mobility was increased in the temperature range 30K to 150K by impurity scattering and decreased in the temperature range 150k to 293k by the lattice scattering. In order to explore the applicability as a photoconductive cell, we measured the sensitivity(${\gamma}$), the ratio of photocurrent to darkcurrent(pc/dc), maximum allowable power dissipation(MAPD), spectral response and response time. The results indicated that the photoconductive characteristic were the best for the samples annealed in Cu vapor compare with in Cd, Se, air and vacuum vapour. Then we obtained the sensitivity of 0.99, the value of pc/dc of $1.39{\times}10^{7}$, the MAPD of 335mW, and the rise and decay time of 10ms and 9.5ms, respectively.
Journal of the Korean Graphic Arts Communication Society
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v.30
no.3
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pp.45-56
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2012
Printing technology is accepted by appropriate technology that smart phones, tablet PC, display(LCD, OLED, etc.) precision recently in the electronics industry, the market grows, this process in the ongoing efforts to improve competitiveness through the development of innovative technologies. So printed electronics appeared by new concept. This technology development is applied on electronic components and circuits for the simplification of the production process and reduce processing costs. Low-temperature process making possible for widening, slimmer, lighter, and more flexible, plastic substrates, such as(flexible) easily by forming a thin film on a substrate has been studied. In the past, the formation of the electrode used a screen printing method. But the screen printing method is formation of fine patterns, high-speed printing, mass production is difficult. The roll-to-roll printing method as an alternative to screen printing to produce electronic devices by printing techniques that were used traditionally in the latest technology and processing techniques applied to precision control are very economical to implement fine-line printing equipment has been evaluated as. In order to function as electronic devices, especially the dozens of existing micro-level of non-dot print fine line printing is required, the line should not break at all, because according to the specifications required to fit the ink transfer conditions should be established. In this study of roll-to-roll printing conductive paste suitable for gravure offset printing by developing Ag paste for forming fine patterns to study the basic physical properties with the aim of this study were to.
GZO single layer, Ni buffered GZO(GZO/Ni), Ni intermediated GZO (GZO/Ni/GZO) and Ni capped GZO (Ni/GZO) films were prepared on poly-carbonate (PC) substrates by RF and DC magnetron sputtering without intentional substrate heating and then the influence of the Ni (2 nm thick) thin film on the optical, electrical and structural properties of GZO films were investigated. As deposited GZO single layer films show the optical transmittance of 81.3% in the visible wavelength region and a resistivity of $1.0{\times}10^{-2}{\Omega}cm$, while GZO/Ni/GZO trilayer films show a lower resistivity of $6.4{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and an optical transmittance of 74.5% in this study. Based on the figure of merit, it can be concluded that the intermediated Ni thin film effectively enhances the opto-electrical performance of GZO films for use as transparent conducting oxides in flexible display applications.
Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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2004.05a
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pp.82-85
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2004
Microinterface of W/Omicroemulsion prepared by phosphatidylcholine was used as reaction media of hydrolysis of phosphatidylcholine by phospholipaseA$_2$. Phosphatidylcholine was used as an amphiphile and was acted as a substrate. Organic phase of W/Omicroemulsion in this study was prepared by mixed organic solvents i.e. 2,2,4-trimethylpentane (isooctane) as a main solvent and 1-butanol as a co-solvent. The effect of added 1-butanol was remarkable not only on reaction beginning but also on high reaction rate. The hydrolysis reaction was dramatically initiated when 1-butanol was injected into the running isooctane/PC system. The enhancement by 1-butanol addition into single organic solvent was our original finding compare with previous conventional organic solvent. The reaction rate was elevated by the added amount of 1-butanol. The enhanced reaction rate was about 150-folds. This enhancement was speculated as 1-butanol adsorption on the microinterface. The adsorbed 1-butanol improved the properties of microinterface, especially its mobility was increased by difference of the chain length between phosphatidylcholine and 1-butanol. PhospholipaseA$_2$ molecules were located on the microinterface due to modified mobility of microinterface. Located phospholipaseA$_2$ on the microinterface reacted easily with phosphatidylcholine molecule. As a result high reaction rate was obtained. Microinterfacial properties were successfully improved by adsorbed 1-butanol molecule, and were favorable to appear higher reactivity of phospholipaseA$_2$.
Metal-chelate derivatives have been investigated intensively as an emitting layer and recognize to have excellent electroluminescence(EL) properties. We synthesized new luminescent material, 1,4-dihydoxy-5,8-naphtaquinone $Aiq_3$ complex($Al_2Nq_4$) and investigated the electrical optical properties. OLED has potential candidates for information display with merits of thickness, low power and high efficiency. Although the OLED show a lot of advantages for information display, it has the limit of inorganic(metal)/ organic interface. In this study, the two methods are used to study the interface of metal/organic in OLED. First, we treated $O_2$ plasma on an ITO thin film by using RIE system, and analyzed the ingredient of ITO thin film according to change of the processing conditions. We used the RDS and the XPS for the ingredient analysis of the surface and bulk. We measured electrical resistivity using Four-Point-Probe and calculated sheet resistance, and ITO surface roughness was measured by using AFM. We fabricated OLED using substrate that was treated optimum ITO surface. Second, we used the buffer layer of CuPc to improve the characteristics of the interface and the hole injection in OLED. The result of the study for electrical and optical properties by using I V L T System(Flat Panel Display Analysis System), we confirmed that the electrical properties and the luminance properties were improved.
The UV hard coating materials are attracting more and more attention to modern industry, in terms of the development of low or non solvent coating materials which will contribute to economizing both materials and energy and to reducing pollution. This study was performed in order to invent UV curable coating materials containing colloidal silica which have actual industrial applications. As results of experiments, the oligomers type and the concentration of colloidal silica acrylate oligomer (SAOC) have an influence on various especially, The properties of UV hardening cooling, such as chemical, abrasion resistance and weatherability, were greatly enhanced, the impact properties of coated polycarbonate substrate were improved compared with the noncoated that. The UV cured films containing 30 wt% SAOC obtained showed the best properties.
The reflectance spectrum of optical films thicker than a few microns shows an intensity oscillation due to interference. Since the spectral period of the oscillation is inversely related to film thickness, the thickness of an optical film can be determined from the spectral frequency of the oscillation. For rapid data processing, the spectral frequency is obtained by use of a Fast Fourier Transformation technique. The conventional method of applying a Fast Fourier Transformation to the reflectance spectrum versus photon energy is modified so as to clear the ambiguity in choosing the proper effective refractive index value and to prevent the broadening of the Fourier transformed peak due to the refractive index dispersion. This technique of modified Fast Fourier Transformation is suggested by the authors for the first time to their knowledge. From the analysis of the calculated reflectance spectrum of a 30-${\mu}{\textrm}{m}$-thick dielectric film. it is shown to improve the accuracy in determining film thickness by a great amount. The improved accuracy of the modified Fast Fourier Transformation is also confirmed from the analysis of the reflectance spectra of a sample with 80-${\mu}{\textrm}{m}$-thick cover layer and 13-${\mu}{\textrm}{m}$-thick spacer layer on a PC substrate.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.7
no.1
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pp.70-75
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1997
An improved technique based upon an electron beam evaporation system has been developed to prepare cubic thin films In crystalline semiconductors. Zinc blonde CdSe epilayers were grown on GaAs(100) substrate by an e-beam evaporation method. The lattice parameter obtained from (400) reflection is $6.077\AA$, which is in excellent agreement with the value reported in the literature for zinc blonde CdSe. The orientation of the as-grown CdSe epilayer is determined by electron channeling patterns. The crystallinity of epitaxial CdSe layers were investigated on the double crystal X-ray rocking curve. The carrier concentration and mobility of epilayers deduced by Hall effect measurement are about $10^{18}{\textrm}{cm}^{-3}$, $10^2\textrm{cm}^2/V{\cdot}sec$ at room temperature, respectively. The photocurrent spectrum peak of the epilayer at 30 K exhibits a sharp change at 1.746 eV due to the free exciton of cubic CdSe.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.54
no.4
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pp.16-21
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2017
In this paper, a Small-sized and planer resonator design of Magnetic Resonance - Wireless Power Transfer(MR-WPT) were proposed for practical applications of mobile devices, such as a laptop, a smart-phone and a tablet pc. The proposed MR-WPT system were based on four coil MR-WPT and designed as a transmitter part (Tx) and a receiver part (Rx) both are the same shape with the same loop and resonator. There are four different spiral coil type of resonators with variable of line length, width, gap and turns in $50mm{\times}50mm$ size. The both of top and bottom side of substrate(acrylic; ${\varepsilon}_r=2.56$, tan ${\delta}=0.008$) ere used to generate high inductance and capacitance in limited small volume. Loops were designed on the same plane of resonator to reduce their volume, and there are three different size. The proposed MR-WPT system were fabricated with two acrylic substrate plane of Tx and Rx each, the Rx and Tx loops and resonators were fabricated of copper sheets. There are 12 combinations of 3 loops and 4 resonators, each combination were measured to calculate transfer efficiency and resonance frequency in transfer distance from 1cm to 5cm. The measured results, the highest transfer efficiency was about 70%, and average transfer efficiency was 40%, on the resonance frequency was about 6.78 MHz, which is standard band by A4WP. We proposed small-sized and planer resonator of MR-WPT and showed possibility of mobile applications for small devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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