• 제목/요약/키워드: PAE

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Hybrid Coupler 제거와 부하 최적화를 이용한 고효율 및 고선형성 전력 증폭기의 관한 연구 (Realization of High Linear and Efficiency Power Amplifier Using Optimum Load Without Hybrid Coupler)

  • 안세환;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제43권2호
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    • pp.88-93
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    • 2006
  • 본 논문은 일반적인 Doherty amplifier보다 더 작은 부하저항을 갖도록 설계하였으며 출력 정합 회로에 PBG구조를 적용하여 IMD(Inter-modulation Distortion)를 억제 시키고 PAE (Power Added Efficiency)를 향상시켰다. 본 논문에서 제안된 전력 증폭기는 기존의 Doherty 전력 증폭기를 기준으로 IMD3는 5.5 dEC, PAE는 $5\%,$ 최대 출력 전력은 8dB back-off point 에서 $18\%$의 성능 개선을 시켰다.

폴리머-시멘트 모르타르의 강도와 내구성 (The Strength and Durability of Polymer-Cement Mortars)

  • 황의환;황택성;오하마 요시히코
    • 공업화학
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    • 제5권5호
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    • pp.786-794
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    • 1994
  • 폴리머-시멘트 모르타르의 강도와 내구성에 대하여 검토하였다. 폴리머-혼화제로서 styrene-butadiene rubber(SBR) 라텍스, ethylene-vinyl acetate(EVA) 에멀젼 및 polyacrylic ester(PAE) 에멀젼을 사용하고, 폴린머-시멘트 비를 다양하게 변화시켜(5, 10, 15, 20 wt%) 공시체를 제작하였다. 내구성의 평가시험으로는 동결융해시험, 내산성시험 및 내열성 시험을 수행하였다. 폴리머-시멘트 모르타르의 내동해성은 폴리머-시멘트비가 증가될수록 현저히 향상되었으나 내산성과 내열성은 저하되었다. SBR 폴리머-시멘트 모르타르의 강도(압축 및 휨강도)는 폴리머-시멘트비가 증가될수록 향상되었으나 EVA 및 PAE 폴리머-시멘트 모르타르는 폴리머-시멘트비 10wt%에서 최대치를 나타내었다.

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GaAs/Ge/Si 구조를 위하여 PAE법을 이용한 Si 기판위에 Ge결정성장 (Ge Crystal Growth on Si Substrate for GaAs/Ge/Si Structure by Plasma-Asisted Epitaxy)

  • 박상준;박명기;최시영
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제26권11호
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    • pp.1672-1678
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    • 1989
  • Major problems preventing the device-quality GaAs/Si heterostructure are the lattice mismatch of about 4% and difference in thermal expansion coefficient by a factor of 2.64 between Si and GaAs. Ge is a good candidate for the buffer layer because its lattice parameter and thermal expansion coefficient are almost the same as those of GaAs. As a first step toward developing heterostructure such as GaAs/Ge/Si entirely by a home-built PAE (plasma-assisted epitaxy), Ge films have been deposited on p-type Si (100)substrate by the plasma assisted evaporation of solid Ge source. The characteristics of these Ge/Si heterostructure were determined by X-ray diffraction, SEM and Auge electron spectroscope. PAE system has been successfully applied to quality-good Ge layer on Si substrate at relatively low temperature. Furthermore, this system can remove the native oxide(SiO2) on Si substrate with in-situ cleaning procedure. Ge layer grown on Si substrate by PAE at substrate temperature of 450\ulcorner in hydrogen partial pressure of 10mTorr was expected with a good buffer layer for GaAs/Ge/Si heterostructure.

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적응형 바이어스 기법을 이용한 와이브로용 고효율 도허티 전력증폭기 설계 (Design of High Efficiency Doherty Power Amplifier Using Adaptive Bias Technique for Wibro Applications)

  • 오정균;최재홍;구경헌
    • 한국항행학회논문지
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    • 제9권2호
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    • pp.164-169
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    • 2005
  • 본 논문에는 2.3GHz대역의 주파수를 이용해 초고속 인터넷 서비스를 제공하는 와이브로용 고효율 도허티 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 도허티 전력증폭기의 효율 향상을 위해 포락선 검파기를 이용하여 입력신호의 크기에 따라 게이트 전압을 조정하여 도허티 증폭기의 전력효율을 개선시키는 방법을 구현하였다. 측정결과, 적응형 바이어스를 적용한 도허티 증폭기는 측정시 입력 신호를 25.6dBm으로 했을 때 P1dB에서 출력전력 34.0dBm과 36.6%의 PAE를 가진다. 이것은 동일 입력레벨에서 AB급 증폭기와 비교해서 출력전력에서 1dB, 효율에서 7.6%의 개선을 보였다.

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로드-풀을 이용한 X-Band GaN HEMT의 최적 임피던스 분석 (Analysis of Optimum Impedance for X-Band GaN HEMT using Load-Pull)

  • 김민수;이영철
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제6권5호
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    • pp.621-627
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    • 2011
  • 본 논문에서는 로드-풀을 이용하여 X-band에서 on-Wafer 상태의 GaN HEMT 소자에 대한 성능을 분석하고 분석한 결과를 바탕으로 최적의 임피던스 점을 분석하였다. 패키징 하기 전 on-Wafer 상태에 있는 반도체 소자의 최적의 임피던스 분석을 통해 소자 자체에서 최적의 성능을 내는 방안을 제안하였다. Gate length가 0.25um이고 Gate Width가 각각 400um, 800um인 소자에 대한 최적의 임피던스를 선정하여 성능을 분석한 결과, 400um는 $P_{sat}$=33.16dBm(2.06W), PAE=67.36%, Gain=15.16dBm의 성능을 가지며, 800um는 $P_{sat}$=35.9 dBm(3.9W), PAE=69.23%, Gain=14.87dB의 성능을 보였다.

마디풀(Polygonum aviculare L.) 추출물의 대식구 면역증강 효과 (Immune-stimulating Effects of Polygonum aviculare L. Extract on Macrophages)

  • 전창배;김영훈;;;노주원;판철호;이재권
    • 약학회지
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    • 제57권6호
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    • pp.394-399
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    • 2013
  • In this study we demonstrated whether the extract of Polygonum aviculare L. (PAE) can be applied to the immune-stimulating responses in macrophages (Raw 264.7 cells). Cell viability was determined by WST-8 assay, and all four doses of PAE (5, 10, 20, and 40 ${\mu}g/ml$) had no significant cytotoxicity during the entire experimental period. PAE increased the production of inducible nitric oxide synthase (iNOS) and nitric oxide (NO), and mRNA expressions and protein levels of pro-inflammatory cytokines(tumor necrotic factor (TNF)-${\alpha}$, interleukin (IL)-$1{\beta}$ and IL-6) in the same cells. These immune-stimulating activities of PAE were found to be caused by the stimulation of $NF{\kappa}B$ signal and phosphorylation of MAP kinases (p38, ERK and JNK).

알루미나 분말을 혼입한 폴리머 개질 페이스트의 성질 (Properties of Polymer-Modified Pastes with Alumina Powder)

  • 주명기;이윤수;연규석
    • 콘크리트학회논문집
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    • 제19권5호
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    • pp.539-547
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    • 2007
  • 본 연구에서는 폴리머 개질 페이스트의 응결 시간, 건조수축, 강도, 동결융해저항성 및 흡수율에 미치는 결합재량 및 알루미나 분말 혼입량의 영향에 대하여 검토하였다. 그 결과, SBR 및 PAE폴리머 개질 페이스트의 응결 시간은 결합재량이 증가함에 따라 지연되는 경향을 보였다. 폴리머 종류에 관계없이 SBR PAE 폴리머 개질 페이스트의 건조수축은 결합재량 및 알루미나 분말 혼입량이 증가함에 따라 감소하는 경향을 나타내었다. 폴리머 종류에 관계없이 SBR 및 PAE 폴리머 개질 페이스트의 인장 및 부착강도는 결합재량 및 알루미나 분말 혼입량이 증가함에 따라 증가하는 경향을 나타냈다. SBR 및 PAE 폴리머 개질 페이스트의 내구성 지수는 폴리머 종류에 관계없이, 알루미나 분말 혼입량의 증가에 따라 증가하는 경향을 보였다. 폴리머 종류에 관계없이 SBR 및 PAE 폴리머 개질 페이스트의 흡수율은 결합재량 및 알루미나 분말 혼입량이 증가함에 따라 감소하는 경향을 나타내었다.

오토클래이브양생에 의한 시멘트 혼화용 폴리머의 내구성 (Durability of Polymers for Cement Modifier in Autoclave Cure)

  • 주명기;이윤수
    • 콘크리트학회논문집
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    • 제15권6호
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    • pp.888-893
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    • 2003
  • 본 연구는 폴리머 시멘트 모르타르 및 콘크리트에 오토클래이브양생을 적용하면 이들의 제성질은 폴리머의 종류에 크게 의존된다. 따라서 본 연구에서는 시멘트 혼화용 폴리머 디스퍼전으로 제작된 폴리머 필름의 오토클래이브양생을 실시하여 그 내구성을 기초물성 및 적외 흡수 스펙트럼의 변화로부터 검토하였다. 그 결과 오토클래이브양생에 의해서 SBR 필름은 성능이 저하되지 않았지만, EVA 및 PAE 필름은 상당히 성능이 저하되었으므로 오토크래이브 양생을 적용하는 경우, SBR 혼입 폴리머 시멘트 모르타르 및 콘크리트는 성능이 저하되지 않았지만, EVA 및 PAE 혼입 폴리머 시멘트 모르타르 및 콘크리트는 폴리머의 비누화에 의해서 뚜렷하게 성능이 저하된다고 판단된다.

마이크로파용 고효율 Doherty 전력증폭기 설계 (A Design of High Efficiency Doherty Power Amplifier for Microwave Applications)

  • 오정균;김동옥
    • 한국항해항만학회지
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    • 제30권5호
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    • pp.351-356
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    • 2006
  • 본 논문에서는 마이크로파 대역의 주파수를 이용해 고효율 도허티 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 도허티 전력증폭기는 MRF 281 LDMOS FET를 사용하여 구현하였고, 도허티 전력 증폭기의 성능을 AB급 증폭기만 있을 때와 비교하였다. 측정결과, 구현한 도허티 전력 증폭기는 P1dB 출력전력이 2.3GHz 주파수에서 33.0dBm을 가진다. 또한, 도허티 증폭기는 주파수 $2.3GHz\sim2.4GHz$에서 이득은 11dB, 입력 반사손실 -17.8dB를 얻었다. 설계된 도허티 증폭기는 AB급 증폭기만 있을 때와 비교해서 평균 PAE는 10% 이상 개선됨을 보였고, 설계된 도허티 증폭기의 최대 PAE는 39%를 갖는다.

마이크로파용 고효율 Doherty 전력 증폭기 설계 (A Design of High Efficiency Doherty Power Amplifier for Microwave applications)

  • 오정균;김동옥
    • 한국항해항만학회:학술대회논문집
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    • 한국항해항만학회 2006년도 춘계학술대회 및 창립 30주년 심포지엄(논문집)
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    • pp.91-96
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    • 2006
  • 본 논문에서는 마이크로파 대역의 주파수를 이용해 고효율 도허티 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 도허티 전력증폭기는 MRF 281 LDMOS FET를 사용하여 구현하였고, 도허티 전력 증폭기의 성능을 AB급 증폭기만 있을 때와 비교하였다. 측정결과, 구현한 도허티 전력 증폭기는 PldB 출력전력이 2.3GHz 주파수에서 33.0dBm을 가진다. 또한, 도허티 증폭기는 주파수 $2.3GHz{\sim}2.4GHz$에서 이득은 11dB, 입력 반사손실-17.8dB를 보인다. 설계된 도허티 증폭기는 AB급 증폭기만 있을 때와 비교해서 평균 PAE는 10% 이상 개선됨을 보였고, 설계된 도허티 증폭기의 최대 PAE는 39%를 갖는다.

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