• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.523-527
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• 2000

Vanadate glasses in the Li$_2$O-P$_2$O$_{5}$-V$_2$O$_{5}$ system containing 10mo1% glass former, P$_2$O$_{5}$ were prepared by melting the batch in pt. crucib1e followed by quenching on the copper plate. We found that Li$_2$O-P$_2$O$_{5}$-V$_2$O$_{5}$ glass-ceramics obtained from nucleation of glass showed significantly higher capacity and longer cycle life than conventionally made crystalline LiCoO$_2$, LiNiO$_2$and LiV$_3$O$_{8}$. In the present paper, We describe electro-chemical properties during crystallization process and find the best crystallization condition of Li$_2$O-P$_2$O$_{5}$-V$_2$O$_{5}$ g1ass as cathod material. Li$_2$O-P$_2$O$_{5}$-V$_2$O$_{5}$ glass-ceramics shows superior rechargeable capacity of 220 mAh/g in the cycling between 2.0 and 3.9V.etween 2.0 and 3.9V.

• 대한수학회보
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• 제49권3호
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• pp.465-479
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• 2012

For $0<p{\leq}{\infty}$ and a convex body $K$ in $\mathbb{R}^n$, Lutwak, Yang and Zhang defined the concept of dual $L_p$-centroid body ${\Gamma}_{-p}K$ and $L_p$-John ellipsoid $E_pK$. In this paper, we prove the following two results: (i) For any origin-symmetric convex body $K$, there exist an ellipsoid $E$ and a parallelotope $P$ such that for $1{\leq}p{\leq}2$ and $0<q{\leq}{\infty}$, $E_qE{\supseteq}{\Gamma}_{-p}K{\supseteq}(nc_{n-2,p})^{-\frac{1}{p}}E_qP$ and $V(E)=V(K)=V(P)$; For $2{\leq}p{\leq}{\infty}$ and $0<q{\leq}{\infty}$, $2^{-1}{\omega_n}^{\frac{1}{n}}E_qE{\subseteq}{\Gamma}_{-p}K{\subseteq}{2\omega_n}^{-\frac{1}{n}}(nc_{n-2,p})^{-\frac{1}{p}}E_qP$ and $V(E)=V(K)=V(P)$. (ii) For any convex body $K$ whose John point is at the origin, there exists a simplex $T$ such that for $1{\leq}p{\leq}{\infty}$ and $0<q{\leq}{\infty}$, ${\alpha}n(nc_{n-2,p})^{-\frac{1}{p}}E_qT{\supseteq}{\Gamma}_{-p}K{\supseteq}(nc_{n-2,p})^{-\frac{1}{p}}E_qT$ and $V(K)=V(T)$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.95-95
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• 2008

본 연구에서는 SiGe p-MOSFET을 제작하여 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성을 측정하였다. Si 기판위에 성장한 $Si_{0.88}Ge_{0.12}$으로 제작된 SiGe p-MOSFET의 채널은 게이트 산화막과 20nm 정도의 Si Spacer 층으로 분리되어 있다. 게이트 산화막은 열산화에 의해 70$\AA$으로 성장되었고, 게이트 폭은 $25{\mu}m$, 게이트와 소스/드레인 사이의 거리는 2.5때로 제작되었다. 제작된 SiGe p-MOSFET은 빠른 동작 특성, 선형성, 저주파 노이즈 특성이 우수하였다. 제작된 SiGe p-MOSFET의 ESD 에 대한 소자의 신뢰성과 내성을 연구하기 위하여 SiGe P-MOSFET에 ESD를 lkV에서 8kV까지 lkV 간격으로 가한 후, SiGe P-MOSFET의 I-V 특성과 게이트 길이, $V_D$, $V_G$의 변화에 따른 저주파 노이즈특성 변화를 분석 비교하였다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2007년도 The 1st International Symposium on Advanced Magnetic Materials
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• pp.142.2-142.2
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• 2007

• 수산해양기술연구
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• 제13권2호
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• pp.1-4
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• 1977

원뿔대 모양의 은대구 통발을 권양할 때의 류휴저항을 측정하고, 그로부터 모랫줄의 굵기,권양의 소요 순마력등을 추산하는 식을 유도했다. 1.통발의 권양속도 v(m/sec)와 류휴저항(수중중량 포함)T(kg)사이에는 대체로 다음과 같은 관계가 성립한다. (a)빈통발을 직립으로 권양할 때: T=$48v^{1\cdot0}$ $45^\circ$ 경사지게 권양할 때: T=$50v^{1\cdot1}$ (단 $0.3\leqq v \leqq1.3$) 이고,이들 사이에 유의차는 없다. (b)밑면에 천을 깐 통발을 직립으로 권양할 때: T=$120^{1\cdot1}$ $45^\circ$ 경사지게 권양할 때: T=98v$^{1=cdot1}$ (단 $0.3\leqq v \leqq0.8$) 2.통발의 유류저항의 최대치를 T=$120v^{1\cdot1}$ (단 $0.3\leqq v \leqq0.8$)이라 보고, 모릿줄로써 P.P.3년 로우프를 쓴다면 d(mm)는 대략 $d=72\frac{D}{H}v^{1\cdot1}$ 을 만족시켜야 한다. 3.권양의 순마력 P(ps)는 $P=\frac{75}{120}\frac{D}{H}v^{2\cdot1}$ 이상일 것이 요구된다.

• 충청수학회지
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• 제21권3호
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• pp.361-370
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• 2008

We consider the Hyers-Ulam type stability of the Cauchy, Jensen, Pexider, Pexider-Jensen differences: $$(0.1){\hspace{55}}C(u):=u{\circ}A-u{\circ}P_1-u{\circ}P_2,\\(0.2){\hspace{55}}J(u):=2u{\circ}\frac{A}{2}-u{\circ}P_1-u{\circ}P_2,\\(0.3){\hspace{18}}P(u,v,w):=u{\circ}A-v{\circ}P_1-w{\circ}P_2,\\(0.4)\;JP(u,v,w):=2u{\circ}\frac{A}{2}-v{\circ}P_1-w{\circ}P_2$$, with respect to bounded distributions.

• 자원환경지질
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• 제18권2호
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• pp.151-157
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• 1985

Events detected by the KIER microearthquake network operated in the Southern Part of Korea for 265 days in 1982~1984 were reviewed, and some of them were identified to be a dynamite explosion from several construction sites. The purpose of the present work is to determine the crustal structure of the Southern Korea using the time-destance data obtained from such explosion seismic records. The time·distance data can be well explained by a crustal model composed of four horizontal layers of which thickness, p and s-wave velocity ($V_p$ and $V_s$) are characterized as follows. 1st layer (surface) ; 0~2km, $V_p=5.5km/sec$, $V_s=3.3km/sec$ 2nd layer (upper crust) ; 2~15km, $V_p=6.0km/sec$, $V_s=3.5km/sec$ 3rd layer (lower crust) ; 15~29km, $V_p=6.6km/sec$, $V_s=3.7km/sec$ 4th layer (upper mantle) ; 29km~ , $V_p=7.7km/sec$, $V_s=4.3km/sec$ The relatively shallow crust·mantle boundary and low $P_n$ velocity compared with the mean values for stable intraplate region are noteworthy. Supposedely, it is responsible for the high heat flow in the South-eastern Korea or an anomalous subterranean mantle. The mean $V_p/V_s$ ratio calculated from the relation between p-wave arrival and s-p arrival times appears to be 1.735 which is nearly equivalent to the elastic medium of ${\lambda}={\mu}$. However, the ratio tends to be slightly larger with the depth. The ratio is rather high compared with that of the adjacent Japanese Island, and the fact suggests that the underlying crust and upper mantle in this region are more ductile and hence the earthquake occurrences are apt to be interrupted. As an alternative curstal model, a seismic velocity structure in which velocities are successively increased with the depth is also proposed by the inversion of the time·distance data. With the velocity profile, it is possible to calculate a travel time table which is appropriate to determine the earthquake parameters for the local events.

• 한국항행학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.302-310
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• 2018

자율주행을 현실화하기 위해 각국에서는 관련통신표준을 기반으로 시스템을 구성하고 있으며, 그 중 무선랜 표준을 제정하는 IEEE에서는 IEEE 802.11p와 WAVE 계열표준을 제정하여 차량통신용 무선통신을 지원하고 있다. 최근 저전력 동작이 부각됨에 따라 보조수신기를 활용하는 표준인 IEEE 802.11ba이 진행 중이며, 그 사용 예시에는 V2P 동작을 포함하고 있다. 이때, V2X 통신에 사용되는 무선 랜 표준인 IEEE 802.11p가 IEEE 802.11ba와 같이 사용 될 경우, 기존 IEEE 802.11ba에서의 추가적인 wake-up frame의 전송으로 인해 채널용량이 지나치게 낮아져 지연시간 요구사항을 맞추지 못할 수 있다. 본 논문에서는 차량용 무선랜 표준인 IEEE 802.11p 및 WAVE가 최근 개발되고 있는 저전력 표준인 IEEE 802.11ba 표준과 결합될 때의 시스템 구성방법을 제시하고 성능분석과 고찰을 통해 미래 자율주행 통신에서 IEEE 802.11ba를 이용한 저전력 V2P 동작을 효과적으로 사용하기 위한 고려사항 및 개선 방안을 제시하고자 한다.

• 호남수학학술지
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• 제40권3호
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• pp.549-559
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• 2018

In this paper, we consider the congruences involving harmonic numbers and the terms of the sequences {$U_{kn}$} and {$V_{kn}$}. For example, for an odd prime number p, $${\sum\limits_{i=1}^{p-1}}H_i{\frac{U_{k(i+m)}}{V^i_k}}{\equiv}{\frac{(-1)^kU_{k(m+1)}}{_pV^{p-1}_k}}(V^p_k-V_{kp})(mod\;p)$$, where $m{\in}{\mathbb{Z}}$ and $k{\in}{\mathbb{Z}}$ with $p{\nmid}V_k$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.91-91
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• 2011

박막태양전지의 높은 효율개선을 위해 TCO층과 p-layer 사이에 buffer layer를 넣어 Voc와 FF를 개선하는 연구가 진행되고 있다. 이에 buffer layer의 활성화 정도를 높이기 위해 p-layer을 최적화 시키고자한다. 이 실험에서 a-Si:B에 N2O를 도핑시켜 Bandgap Energy 2.0 eV, Activation Energy 0.4 eV인 a-SiOx:B 막을 제작하여 buffer layer로 사용하였고 이 buffer layer에 의한 cell의 효율 향상을 최적화 하기위해 ASA simulation을 이용해 p-layer의 Bandgap Energy와 Activation Energy를 가변 하여 보았다. 실험결과 p-layer의 Bandgap Energy 1.95 eV에서 buffer layer와 p-layer사이에서의 barrier가 최소가 됨을 확인 할 수 있었고 Actication Energy 0.5 eV에서 가장 높은 Voc를 가짐을 알 수 있었다. 본 연구를 통해 p-layer의 Bandgap Energy 1.95 eV, Activation Energy 0.5 eV에서 buffer layer를 활성화시키기 위한 p-layer의 최적화 조건을 구현해 볼 수 있었다.