최근 의료영상저장 및 전송 시스템(Picture Archiving and Communication System, PACS)의 발전과 함께 디지털 영상의 발전이 가속화되면서, 특히 기존의 아날로그 시스템을 활용할 수 있는 컴퓨터 X-선 촬영(Computed Radiography, CR)의 활용도가 높아졌다. 본 연구에서는 실제 임상에서 사용되고 있는 Agfa CR system (Agfa CR 2.5; Agfa, Belgium)과 Fuji CR system (FCR 9000C; Full, Japan)을 이용하여 영상의 정량적 평가에 널리 사용되고 있는 변조전달함수(Modulation Transfer Function, MTF), 잡음력 스펙트럼(Noise Power Spectrum, NPS), 양자검출효율(Detective Quantum Efficiency, DQE)를 통해 시스템간의 성능 비교 및 I.P (Imaging Plate) 크기별 픽셀 크기 차이 및 선량의 변화에 의한 화질영향을 정량적으로 평가하였다. X-선 영상 획득실험을 위하여 국제표준인 IEC 61267에서 제공하는 RQA5의 선질(Additional Filter $0.7+21Al[mm],\;71[kV_p])$을 사용하였다. 실험 결과 Agfa CR 시스템의 경우 10% 응답의 MTF는 $8{\times}10$ inch와 $14{\times}17$ inch I.P에서 각각 3.9, 2.8 cycles/mm으로 측정되었으며, Fuji CR 시스템의 경우 각각 3.4, 3.2 cycles/mm로 측정되었다 선량의 변화에 따른 MTF도 측정결과는, 두 시스템 모두 선량변화에 따른 MTF의 차이는 크지 않았으며, MTF 10% 응답 주파수 영역도 거의 같은 것을 확인하였다. 이러한 결과를 통하여 선량은 영상의 해상력 및 MTF에는 큰 영향을 미치지 않는 것을 확인하였다. NPS의 경우 Agfa CR 시스템의 $100{\mu}m$ 픽셀 크기를 갖는 $8{\times}10$ inch I.P와 $150{\mu}m$ 픽셀 크기를 갖는 $14{\times}17$ inch I.P사이에 큰 차이가 없었다. 또한 두 시스템 모두 선량이 증가할수록 NPS가 좋아지는 결과를 나타내었다. 진단가능영역인 1.5 cycles/mm 주파수 영역에서 DQE의 효율 측정결과 Agfa CR 시스템의 $8{\times}10$ inch I.P가 11%로 측정되었으며, $14{\times}17\;inch\;I.P$는 8.8%로 측정되었다. Agfa CR 시스템의 DQE 효율 차이는 고주파수 영역에서 두드러지게 나타났다. Fuji CR 시스템의 경우 I.P 크기별 픽셀 크기는 $100{\mu}m$로 동일하였기 때문에 DQE 효율 측정결과 큰 차이를 보이지 않았다. 또한 두 시스템 모두 선량이 증가할수록 DQE 효율은 감소함을 나타내었다. 화질평가의 복합적인 요소를 담고 있는 DQE 측정은 장치의 성능을 점검하고, 환자의 피폭선량을 개선시키는데 중요한 역할을 한다. 본 연구에서는 Agfa CR 시스템과 Fuji CR 시스템의 픽셀 크기별, 선량별 DQE를 측정함으로써 CR 시스템의 임상적 응용의 최적화를 위한 기초 자료로서 이용될 것으로 판단된다.
넓은 에너지 갭의 물질인 탄화규소(4H)기판을 사용하여, 초고내압을 위한 접합장벽 쇼트키 구조의 소자를 설계하여 제작하였다. 측정결과로써 소자의 역방향 I-V 특성은 1000V 이상의 항복전압을 보였고 p-grid의 설계 최적 길이는 $3{\mu}m$ 간격이였다. 이 연구에서는 제작한 소자의 공정 조건 파라미터들을 사용하여 I-V 특성을 모델링 하였고 I-V 특성 파라미터들을 추출하여 실제 소자 파라미터와 비교, 분석하였다.
국내에서 분리한 신규 P linteus KACC93057P의 자실체의 형태적 특성을 육안적 으로 관찰한 결과 대가없이 기주부착형으로 자실체표면은 단단한 목질형태 (hardy woody) 로 동심원으로 윤층대 (zonate)와 홈을 형성하고 담갈색을 띠고 있었다. 자실체 뒷면 테두리는 진황색, 내부는 담황갈색을 띠며 현미경 미세구조를 관찰한 결과 관공은 원형또는 각진형이며, 관공구는 5-7 per mm크기로 나타났다. hyphal system은 2분지형이며 포자는 $4.5-6{\times}4-5{\mu}m$크기로 난형또는 유구형 담갈색을 띠어 P linteus와 유사한 특성을 보였다. YGMA배지상에서 KACC93057P는 $25-30^{\circ}C$가 최적온도로 균사체 성장률이 장수상황과 고려상황에 비하여 10-25% 높았으며 균사밀도가 다른 균주보다 현저히 높게 나타났다. ITS-rDNA염기서열비교결과 96% 이상의 상동성으로 I. lonicericola, I. linteus, I. baumii와 근연관계를 형성 하였다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제13권3호
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pp.224-236
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2013
This work presents a comparative study of four Double Gate tunnel FET (DG-TFET) architectures: conventional p-i-n DG-TFET, p-n-p-n DG-TFET, a gate dielectric engineered Heterogate (HG) p-i-n DG-TFET and a new device architecture with the merits of both Hetero Gate and p-n-p-n, i.e. HG p-n-p-n DG-TFET. It has been shown that, the problem of high gate capacitance along with low ON current for a p-i-n TFET, which severely hampers the circuit performance of TFET can be overcome by using a p-n-p-n TFET with a dielectric engineered Hetero-gate architecture (i.e. HG p-n-p-n). P-n-p-n architecture improves the ON current and the heterogeneous dielectric helps in reducing the gate capacitance and suppressing the ambipolar behavior. Moreover, the HG architecture does not degrade the output characteristics, unlike the gate drain underlap architecture, and effectively reduces the gate capacitance.
본 연구에서는 고결시 상재구속압(${\sigma_{sit}}'$), 상대밀도, 그리고 입자특성이 고결모래의 점착력과 고결결합 파괴구속압(${p_i}'_{(BP)}$)에 미치는 영향을 검토하기 위하여 400kPa 까지의 구속압으로 압밀된 고결모래에 대한 배수전단시험을 실시하였다. 시험결과 동일 상대밀도와 석고함유율로 고결된 모래의 점착력과 ${p_i}'_{(BP)}$는 ${\sigma_{sit}}'$에 관계없이 동일하게 결정되어, ${\sigma_{sit}}'$이 고결모래의 강도특성에 미치는 영향은 상대적으로 적은 것으로 나타났다. 반면, 상대밀도나 고결정도가 증가할수록 고결모래의 점착력과 ${p_i}'_{(BP)}$는 증가하였으며, 상대밀도가 점착력에 미치는 영향보다 ${p_i}'_{(BP)}$에 미치는 영향이 더 큰 것으로 나타났다. 또한 입자특성이 다른 세 종류의 모래시료에 대한 결과를 분석한 결과, 시료 입경이 작을수록 입자사이의 접촉점이 증가하여 점착력과 ${p_i}'_{(BP)}$가 크게 결정되었다.
Pleurotus has increased rapidly production and consumption because of highly nutritional value, natural healthy food and so on. The basic studies for Pleurotus need for development of mushroom industry. This study was to investigate the cultural characteristics among 15 strains of 6 species and to analyze their phylogenetic relationships. The cultural characteristics were investigated by mycelial growth activity at different media, temperature and pH. The optimum media for mycelial growth were YM and MCM in most species. The optimum temperature for mycelial growth were $25^{\circ}C$ and $30^{\circ}C$. The optimum pH for mycelial growth were widly range from pH 5.1 to 7.4. Through the RFLP (restriction fragment length polymorphism) of IGS (intergenic spacer) I region in ribosomal DNA, it was analyzed phylogeny of interspecies and intraspecies. Each species was discriminated well as isolates within each species formed clade to be distinguished other species. P. florida was highly similar to P. floridanus, and P. flabellatus was P. cornucopiae. P. fuscus var. ferulae was highly similar to P. eryngii but discriminated different species in analysis of RFLP of IGS I region and showed different characteristics in mycelial culture. RFLP of IGS I region was useful of studying phylogenetic relationships of species and population.
This study was carried out to evaluate the correlations among degree of carbonization, chemical components and chromatic characteristics, and to establish the criterion of carbonizaion in leaf tobacco during aging storage. The flue-cured (B2O) and burley (B2T) leaf tobaccos were redried with conventional practices for each other type, and moisture contents of leaf tobaccos were adjusted to 13, 15, 17 and 19% after redrying. The leaf tobaccos were packed in carton box and stored for 8 months in the controlled-environment rooms($35^{\circ}C$, 65% R.H. and $40^{\circ}C$, 80% R.H.). Degree of carbonization, chemical components, and chromatic characteristics(L ; black-white, a ; red to green, b ; yellow to blue) were invetigated every month. Carbonization Index (C.I.) was established as (equation omitted) in accordance with degree of carbonization in two types. The C.I. value of flue-cured leaf(56.5) for slight carbonization was higher than that of burley leaf(48.0). C.I. and rate of usable leaf, L and b were positively correlated in two types. C.I. was significantly shown positive correlation with pH in two types. The correlations between the predicted and the observed values of slight carbonizating times(month after storage) using C.I. and pH were positive significant in two types. The results suggest that cabonization index may be useful to forecast and prevent the carbonization, and pH may be useful to estimate cabonization indirectly for flue-cured and burley leaves during aging storage.
The electrical and optical switching characteristics of gold-doped silicon p-i-n diodes have been investigated. The device shows a dark switching voltage of about 500 V. The switching voltage decreases rapidly when the illumination level is increased. The differential sensitivity of optical gating over linear region is $d(V_{Th}/V_{Tho})/dP_{Ph}$=0.25/uW. The turn-on delay time and the turn-on rise time decrease with increasing optical pulse power. The turn-off delay and the fall time are negligible.
This paper considers an anisotropic polytropic infiltration equation with a source term $$u_t={\sum\limits_{i=1}^{N}}{\frac{{\partial}}{{\partial}x_i}}\(a_1(x){\mid}u{\mid}^{{\alpha}_i}{\mid}u_{x_i}{\mid}^{p_i-2}u_{x_i}\)+f(x,t,u)$$, where pi > 1, αi > 0, ai(x) ≥ 0. The existence of weak solution is proved by parabolically regularized method. Based on local integrability $u_{x_i}{\in}W_{loc}^{1,p_i}(\Omega)$, the stability of weak solutions is proved without boundary value condition by the weak characteristic function method. One of the essential characteristics of an anisotropic equation different from an isotropic equation is found originally.
The impact ionization MOS (I-MOS) transistor with 50nm channel length is presented by using 2-D device simulator ISE-TCAD. The subthreshold slope cannot be steeper than kT/q since the subthreshold conduction is due to diffusion current. As MOSFETs are scaled down, this problem becomes significant and the subthreshold slope degrades which leads an increase in the off-current and off-state power dissipation. The I-MOS is based on a gated p-i-n structure and the subthreshold conduction is induced by impact ionization. The simulation results show that the subthreshold slope is 11.7 mV/dec and this indicates the I-MOS improves the switching speed and off-state characteristics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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