• 전기전자학회논문지
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• 제26권4호
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• pp.705-709
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• 2022

Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)(P(VDF-TrFE)) 고체 전해질 층의 어닐링 온도가 고분자 멤리스터의 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 형태적 분석에서 100℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (100P(VDF-TrFE)) 박막 대비 200℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (200P(VDF-TrFE)) 박막의 표면 거칠기가 약 5배 크고 두께는 약 20% 작은 것으로 나타났다. 100P(VDF-TrFE)를 갖는 멤리스터 (M100) 대비 200P(VDF-TrFE) 멤리스터 (M200)의 set voltage는 약 50% 감소하였고, reset voltage의 크기는 약 30% 증가하였다. 또한, M200이 M100보다 더 나은 메모리 유지 특성을 갖는 것으로 나타났다. 이러한 차이는 M100 대비 M200 내부의 강한 국소 전기장 때문인 것으로 판단된다. 본 연구는 고분자 멤리스터의 어닐링 온도의 중요성을 제시함에 의의가 있다.

• 센서학회지
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• 제12권1호
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• pp.10-15
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• 2003

초전형 적외선 센서의 감지물질로 사용하기 위해 $PbTiO_3$/P(VDF/TrFE) 복합재료 박막을 스핀코팅방법을 사용하여 제작하였다. 시료는 65 wt% VDF와 35 wt% TrFE의 함량 P(VDF/TrFE) 분말을 사용하였으며 세라믹-고분자 복합재료를 제조하기 위하여 사용된 세라믹은 $PbTiO_3$ 분말을 사용하였다. 제조된 복합재료의 P(VDF/TrFE)와 $PbTiO_3$의 결합성을 확인하기 위해 제조된 박막의 표면은 SEM을 통해 관찰하였고 복합재료의 커패시턴스와 비유전율, 유전손실은 임피던스 분석기 (HP4192A)로 측정하였으며, 복합재료의 초전계수는 반도체 파라미터 분석기(HP4145B)로 조사하였다.

• 폴리머
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• 제35권5호
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• pp.375-377
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• 2011

두 단계 스핀 코팅 방법을 사용하여 세라믹 체적 분율 0.10과 0.13의 $PbTiO_3$/P(VDF/TrFE) 0~3형 복합재료를 제작하고 분석하였다. 0~3형 $PbTiO_3$/P(VDF/TrFE) 복합재료를 SEM 전자현미경 사진으로 성공적으로 확인할 수 있었다. 이러한 전자현미경 사진을 통하여 복합재료의 0~3형 구조를 재확인하였다. 0~3형 $PbTiO_3$/P(VDF/TrFE) 복합재료는 P(VDF/TrFE) 공중합체보다 센서용 전기적 특성이 우수함을 나타내었다. 그러므로 이러한 낮은 유전상수와 높은 초전계수를 나타내는 0~3형 $PbTiO_3$/P(VDF/TrFE) 복합재료는 더 높은 성능을 나타낼 수 있는 새로운 초전형 센서 재료로 사용될 수 있다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제50권1호
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• pp.1-5
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• 2001

P(VDF/TrFE) copolymer thin films with 70/30 and 80/20 mol% VDF (polyvinylidene fluoride) and TrFE (trifluoroethylene) rates were prepared by using a vapor deposition method, During thin films were prepared, the substrate temperatures were maintained at 30 $^{\circ}C$ and 120 $^{\circ}C$, and the heating source temperature was fixed at 350 $^{\circ}C$. Contary to PVDF homopolymer, P(VDF/TrFE) copolymers showed the Curie point(Tc) below the melting point. The Curie point (Tc) and the melting point of the P(VDF/TrFE) copolymers were changed as a function of substrate temperature and the VDF mol%. The Curie point and the melting point of P(VDF/TreFE) thin films decreased and increased with increasing substrate temperature, respectively. Also with increasing VDF mol%, the melting point decreased slightly, however the Curie point increased.

• 센서학회지
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• 제20권2호
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• pp.114-117
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• 2011

A thick 25 ${\mu}m$ thickness poled P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor has been fabricated and then thin 1.6 ${\mu}m$ thickness P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor has been fabricated also. These thick and thin P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor was mounted in TO-5 housing to detect infrared light of 5.5 ~ 14 ${\mu}m$ wavelength for human body detecting with each other. The noise output voltage of the thick P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor were 380 mV and NEP(noise equivalent power) is $3.95{\times}10^{-7}$ W which is the similar value with the commercial pyroelectric infrared ray sensor using ceramic materials as a sensing material. The NEP and specific detectivity $D^*$ of the thin P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor were $2.13{\times}10^{-8}$ W and $9.37{\times}106$ cm/W under emission energy of 13 ${\mu}W/cm^2$ respectively. These result caused by lower thermal diffusion coefficient of a thin 1.6 ${\mu}m$ thickness PVDF/TrFE film than the thick 25 ${\mu}m$ thickness poled P(VDF/TrFE) film pyroelectric infrared ray sensor.

• Composites Research
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• 제28권3호
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• pp.75-80
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• 2015

Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene; P(VDF-TrFE))는 여러 분야에서 다양한 형태로 활용되고 있는 유망한 전기활성고분자이다. 이 재료는 전기-기계적 특성을 가지고 있기 때문에 다양한 형태의 센서와 구동기로 활용되고 있으며, 복합재료 구조의 거동을 관찰하는 센서로도 활용이 가능하다. 본 논문에서는 세 가지 방법; (1) 전기적 폴링, (2) 어닐링-냉각, (3) 압축을 사용하여 P(VDF-TrFE) 공중합체 필름의 ${\beta}$ 상 결정구조 향상시켜 센서로서의 특성을 강화하기 위한 연구를 수행하였다. P(VDF-TrFE) 필름에 대한 각 방법의 효과를 조사하기 위해 X-선 회절을 통한 미세구조분석을 수행하였다. 실험 결과, 전기적 폴링, 어닐링-냉각, 그리고 압축 방법 모두 P(VDF-TrFE) 필름의 ${\beta}$ 상 결정구조 향상에 효과적이었으며 대조군 (45.29%)대비 최대 62.80%까지 ${\beta}$ 상 결정도가 향상됐다.

• 센서학회지
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• 제9권1호
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• pp.9-14
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• 2000

스핀 코팅 방법으로 제조된 P(VDF/TrFE) 막의 유전적 특성을 조사하였다. 막의 결정성과 막질을 개선하기 위해 스핀 코팅 후에 3 단계에 걸친 열처리 공정을 하였다. 상부전극을 마스크로 사용하는 간단한 P(VDF/TrFE) 막의 식각공정과 조건을 확립하였다. 분극을 여러 단계에 걸쳐 하는 정확한 분극공정을 실현하였다. 스핀코팅으로 제조된 막의 두께는 용액농도 10 wt%, 스핀속도 3000 rpm, 스핀시간 30초에서 $1.87\;{\mu}m$였다. 제조된 P(VDF/TrFE) 막의 유전상수와 유전손실을 측정하였다. 1 kHz의 주파수에서 분극전 P(VDF/TrFE) 막의 유전상수는 13.5, 유전 손실은 0.042로 나타났으며 분극후 각각 11.5, 0.037로 나타났다.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제4C권2호
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• pp.73-76
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• 2004

0-3 PbTiO$_3$/P(VDF/TrFE) nanocomposite thin films for passive pyroelectric infrared sensors were fabricated by a two-step spin coating technique. 65wt% VDF and 35 wt% TrFE was formed into a P(VDF/TrFE) powder. Nano size PbTiO$_3$ powder was used. 0-3 connectivity of PbTiO$_3$/P(VDF/TrFE) composite film was successfully achieved and observed using SEM photography. The dielectric constant and pyroelectric coefficient were measured and compared with P(VDF/TrFE). A very low dielectric constant (13.48 at 1KHz and sufficiently high pyroelectric coefficient (3.101 nC/$\textrm{cm}^2$ㆍk at 5$0^{\circ}C$) were measured. This nanocomposite can be used for a new pyroelectric infrared sensor to achieve better performance.

• 한국재료학회지
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• 제17권4호
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• pp.236-238
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• 2007

[ 0-3PbTiO_3/P$ ](VDF/TrFE) nanocomposites thin films for passive pyroelectric infrared sensor have been fabricated by two-step spin coating technique. 65 wt% VDF and 35 wt% TrFE was formed to a P(VDF/TrFE) poder Nano size $PbTiO_3$ powder was used. 0-3 connectivity of $PbTiO_3$(VDF/TrFE) composites film is achieved and also observed by SEM photography successfully. The dielectric constant, and pyroelectric coefficient measured and compared with P (VDF/TrFE). A very low dielectric constant (13.48 at 1 kHz) and high enough pyroelectric coefficient (3.101 $nC/cm^2$.k at $50^{circ}C$) neasured. This nanocomposites can be used for a new pyroelectric infrared sensor for better performance.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.209-212
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• 2018

본 논문에서는 P(VDF-TrFE)유기물 강유전체 기반 metal-ferroelectric-metal (MFM) capacitor 와 차세대 반도체 물질인 질화갈륨 반도체를 활용한 네거티브 커패시턴스 전계효과 트랜지스터를 제작 및 분석 하였다. 27 nm의 두께의 P(VDF-TrFE) MFM 커패시터의 분극지수는 4 MV/cm에서 $6{\mu}C/cm^2$ 값을 나타내었으며 약 65 ~ 95 pF의 커패시턴스 값을 나타내었다. 강유전체의 커패시턴스와 전계효과 트랜지스터의 커패시턴스 매칭을 분석하기 위해 제작된 P(VDF-TrFE) MFM 커패시터는 GaN 전계효과 트랜지스터의 게이트 전극에 집적화 되었으며 집적화되기 전 104 mV/dec 의 문턱전압 이하 기울기에서 82 mV/dec 값으로 개선된 효과를 보였다.