Spectral Analysis of The Nanotopography Effect on Oxide CMP Using Improved Single-Side-Polished Si Wafer (향상된 단면연마 실리콘 웨이퍼가 화학적 기계적 연마에서 나노토포그래피에 미치는 영향의 스펙트럼 분석)
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- Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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- 2002.05a
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- pp.134-134
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- 2002