• Journal of Photoscience
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• 제10권2호
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• pp.185-187
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• 2003

The preparation and the photophysics of organometallic Pt(II) and Ir(III) complexes with 6-ch1oro-3-phenylpyridazine (H6Clppdz) are reported. $K_2$PtCl$_4$ and IrCl$_3$ㆍn$H_{2}O$ cleanly cyclometalate with H6Clppdz, forming the corresponding chloro-bridged dimers, (6Clppdz)Pt($\mu$-Cl)$_2$Pt(6Clppdz) and (6Clppdz)$_2$Ir($\mu$-Cl)$_2$Ir(6Clppdz)$_2$ in good yield. These chloro-bridged dimers are cleaved with acetylacetone (Hacac) to give the corresponding monomer, (6Clppdz)Pt(acac) and (6Clppdz)$_2$ Ir(acac), respectively. Both complexes show bright orange luminescence at room temperature and the emission wavelengths are different depending on the metal and the structure of complexes. (6Clppdz)Pt(acac) shows two sharp emission bands in shorter wavelength ($\lambda$$_{em}$=541 and 580 nm), while (6Clppdz)$_2$ Ir(acac) shows a broad emission band in longer wavelength ($\lambda$$_{em}$=615 nm). Strong spinorbit coupling due to the heavy metal atom allows for the formally forbidden mixing of the $^1$MLCT with the $^3$MLCT and $^3$$\pi$-$\pi$$^{*}$ states.

• 한국결정학회지
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• 제15권2호
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• pp.83-87
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• 2004

유기금속 착화합물 $Me_2Pt(PPh_2CH_2C(t-Bu)=N-N=CMe(2-py)-\kappa^2N,P)$을 phosphino hydrazone $Ph_2PCH_2C(t-Bu)=NNH_2$와 2-acetylpyridine와 $[PtMe2({\mu}-SMe_2)]_2$를 사용하여 합성하였다. X-선 회절법을 이용하여 이 화합물의 분자 구조를 규명하였다. 이 백금 화합물의 결정학적 자료는 monoclinic, space group $P2_1/n,\;a=11.6926(7)\;{\AA},\;b=15.6607(19)\;{\AA},\; c=14.6125(6)\;{\AA},\;\beta=93.018(4)^{\circ},\;Z=4,\;V=2672.0(4)\;{\AA}^3$이다. 결정 구조는 직접법으로 해석하였으며, 5238개의 회절 반점에 대하여 최종 신뢰도 인자 R=0.0363인 분자 모형을 구하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.120-120
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• 1998

Boron nitride (BN) films have attracted a growing interest for a variety of t technological applications due to their excellent characteristics, namely hardness, c chemical inertness, and dielectrical behavior, etc. There are two crystalline phases 1551; of BN that are analogous to phases of carbon. Hexagonal boron nitride (h-BN) has a a layered s$\sigma$ucture which is spz-bonded structure similar to that of graphite, and is t the stable ordered phase at ambient conditions. Cubic boron nitride (c-BN) has a z zinc blende structure with sp3-bonding like as diamond, 따ld is the metastable phase a at ambient conditions. Among of their prototypes, especially 삼Ie c-BN is an i interesting material because it has almost the same hardness and thermal c conductivity as di없nond. C Conventionally, significant progress has been made in the experimental t techniques for synthesizing BN films using various of the physical vapor deposition 밍ld chemical vapor deposition. But, the major disadvantage of c-BN films is that t they are much more difficult to synthesize than h-BN films due to its narrow s stability phase region, high compression stress, and problem of nitrogen source c control. Recent studies of the metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) of I III - V compound have established that a molecular level understanding of the d deposition process is mandatory in controlling the selectivity parameters. This led t to the concept of using a single source organometallic precursor, having the c constituent elements in stoichiometric ratio, for MOCVD growth of 삼Ie required b binary compound. I In this study, therefore, we have been carried out the growth of h-BN thin f films on silicon substrates using a single source precursors. Polycrystalline h-BN t thin films were deposited on silicon in the temperature range of $\alpha$)() - 900 $^{\circ}$C from t the organometallic precursors of Boron-Triethylamine complex, (CZHs)3N:BRJ, and T Tris(dimethylamino)Borane, [CH3}zNhB, by supersonic molecular jet and remote p plasma assisted MOCVD. Hydrogen was used as carrier gas, and additional nitrogen w was supplied by either aDlIDonia through a nozzle, or nitrogen via a remote plasma. T The as-grown films were characterized by Fourier transform infrared spectroscopy, x x-ray pthotoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy, x-ray diffraction, t transmission electron diffraction, optical transmission, and atomic force microscopy.roscopy.

• 한국결정학회지
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• 제18권1_2호
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• pp.1-6
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• 2007

유기금속 화합물 $C_{16}H_{35}B_{10}IrS_2Si$를 o-carborane으로 출발하여 $Cp^*Ir(S_2C_2B{10}H_{10})$을 합성하고, $Me_3SiCHN_2$를 가하여 합성하였다. X-선 회절법을 이용하여 $C_{16}H_{35}B_{10}IrS_2Si$ 화합물의 분자구조를 규명하였다. 이 화합물의 결정학적 자료는 monoclinic, space group $P2_1/n$, $a=10.1986(12)\;{\AA}$, $b=14.834(5)\;{\AA}$, $c=17.139\;{\AA}$, ${\beta}=92.24(2)^{\circ}$, Z=4, $V=2591.0(14)\;{\AA}^3$이다. 결정 구조는 직접법으로 해석하였으며, 완전행렬최소자승법을 정밀화 하였으며 5080개의 회절 반점에 대하여 최종 신뢰도 인자 R=0.053인 분자모형을 구하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권2호
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• pp.62-67
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• 2008

유기금속 화합물 $C_{12}H_{20}B_{10}S_2Co_2$를 o-carborane으로 출발하여 $Cp^*Co(S_2B_2B_{10}H_{10})$을 합성하고, $BH_3{\cdot}THF$를 가하여 합성하였다. X-선 회절법을 이용하여 $C_{12}H_{20}B_{10}S_2Co_2$ 화합물의 분자구조를 규명하였다. 이 화합물의 결정학적 자료는 monoclinic, space group Cc, a=15.981(4) ${\AA}$, b=15.478(17) ${\AA}$, c=12.0562(17) ${\AA}$, ${\beta}=115.063(16)^{\circ}$, Z=4, V=9683(4) ${\AA}^3$이다. 결정 구조는 직접법으로 해석하였으며, 완전행렬최소자승법을 정밀화 하였으며 9948개의 회절 반점에 대하여 최종 신뢰도 인자 R=0.0630인 분자모형을 구하였다.

• 한국결정학회지
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• 제15권2호
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• pp.88-92
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• 2004

유기금속 화합물 $(C_{16}H_{21}B_{10}BrOSn)$를 o-carborane으로부터 출발하여 closo-1-[(methoxyl) methyl]-o-carborane$(HCab^o)$를 합성하고, $SnMe_2Br_2$을 가하여 합성하였다. X-선 회절법을 이용하여 $(C_{16}H_{21}B_{10}BrOSn)$ 화합물의 분자구조를 규명하였다. 이 화합물의 결정학적 자료는 orthorhombic, space group Pna2, a =17.9292(15)$\AA$, b= 7.2066(4)$\AA$, c=13.0582(10)$\AA$, Z=4, V=1687.2(2)$\AA^3$이다. 결정 구조는 직접법으로 해석하였으며, 1724개의 회절 반점에 대하여 최종 신뢰도 인자 R=0.0574인 분자 모형을 구하였다.

• 폴리머
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• 제36권6호
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• pp.693-698
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• 2012

본 연구에서는 높은 분자량의 polylactide(PLA)를 중합하기 위하여 aluminum isopropyl oxide($Al(O-i-Pr)_3$)를 아민기로 표면 기능화된 실리카에 담지하고 이를 촉매로 이용하여 생성된 PLA의 중합특성을 확인하였다. 담지촉매는 먼저 실리카 표면을 아민기를 갖는 실란화합물로 기능화한 후 $Al(O-i-Pr)_3$을 in-situ 합성하였다. 기능기에 담지된 $Al(O-i-Pr)_3$는 MAO(methyl aluminoxane) 존재하에 중합활성을 보였다. $115^{\circ}C$에서는 표면 기능화된 아민기양이 증가할수록 전환율과 분자량이 증가하였고, $130^{\circ}C$에서는 표면 기능화된 아민기양이 증가할수록 전환율은 감소하였으나 분자량은 크게 증가하여 표면 기능화된 아민기양이 3.0 mmol일 경우 44000 g/mol로 가장 높은 분자량을 얻었다. GPC curve를 통해 $115^{\circ}C$ 중합온도에서는 분자량 분포곡선이 bimodal 형태에서 저분자량 부분이 크게 증가하여 shoulder 형태로 변화하였으며 $130^{\circ}C$에서는 GPC 단일피크를 보였다. 균일계 $Al(O-i-Pr)_3$ 촉매보다 아민기로 표면 기능화된 실리카에 담지된 $Al(O-i-Pr)_3$ 촉매가 더 높은 활성과 고분자량의 PLA를 합성할 수 있었다.