In this study, optical simulation was used to compare three optical structures that could be applied to the typical organic light-emitting diode to increase the outcoupling efficiency. These were spherical scattering particles (treated as Mie scatterers) embedded in the glass substrate, microlenses formed on the glass substrate, and a diffusing layer (DL) with a Gaussian scattering distribution function inserted between the indium tin oxide (ITO) and the glass substrate. It was found that the application of microlens array and that of scattering particles in the glass substrate exhibited similar enhancements in the outcoupling efficiency when the density and the refractive index of the scattering particles were optimized. The DL located at the interface between the glass and the ITO further enhanced the efficiency because it could further extract the trapped light in the waveguide mode. The appropriate combination of these three structures increased the outcoupling efficiency to about 42%, which is much greater than the typical values of 15-20% when there is no optical structure for light extraction.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.16
no.8
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pp.1653-1662
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2012
Recently, Organic Light Emitting Diode (OLED) that is broadly applied as next generation display has various advantages. However, OLED display causes unbalanced color tone due to the difference of luminance efficiency among luminous elements. In this paper, we propose adaptive color shifter (ACS) to resolve the RGB channel unbalance and to have wide color range of a relatively weak channel using the image processing method. proposed ACS system was simulated using a variety of image. Also, we numerically analyzed using hue histogram, CIE-1931 xyz color space.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2005.07a
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pp.204-205
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2005
Studies on display has been requested some major changes due to the high growth of the handheld terminal market. Therefore, the self emitting OLED(Organic Light Emitting Diode) has been interested as a next generation flat plane display because of its preeminent characteristics such as quick response characteristics, higher performance viewing angle, low power consumption, and panel floating. However, a trend of the display market is moving to three dimensional image processing instead of two dimensional flat display and various researches on display using hologram makes up for the difficulty in three dimensional display using typical flat display. In this study the Lenticular Screen Printing method is presented so that it can be applicable to organic semiconductor display devices and makes possible three dimensional display using flat display for complement the drawback of inorganic semiconductor.
We synthesized bis (2-methyl-8-quinolinolato)(triphenylsiloxy) aluminum (III) (SAlq), a blue-emitting material having a high luminous efficiency, through a homogeneous-phase reaction. The photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) spectra of SAlq show two peaks at 454 nm and 477 nm. Efficient white light-emitting devices are fabricated by doping SAlq with a red fluorescent dye of 4-dicyanomethylene-2-methyl-6-{2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[i,j]quinolizin-8yl) vinyl}-4H-pyran (DCM2). The incomplete energy transfer from blue-emitting SAlq to red-emitting DCM2 results in light-emission of both blue and orange colors. Devices with the structure of ITO/TPD (50 nm)/SAlq:DCM2 (30 nm, 0.5 %)/$Alq_3$ (20 nm)/LiF (0.5 nmj/Al show EL peaks at 456 nm and 482 nm originating from SAlq and at 570 nm from DCM2, resulting in the Commission Internationale d'Eclairage (CIE) chromaticity coordinates of (0.32, 0.37). The device exhibits an external quantum efficiency of about 2.3 % and a luminous efficiency of about 2.41m/W at 100 $cd/m^2$. A maximum luminance of about 23,800 $cd/m^2$ is obtained at the bias voltage of 15 V.
An organic light-emitting diode(OLED) has advantages of low power driving, self light-emitting, wide viewing angle, excellent high resolution, full color, high reproduction, fast response speed, simple manufacturing process, or the like. However, there are still a number of challenges to get over in order to put it to practical use as a high performance display. First of all, the most important thing is to improve the efficiency of the OLED element in order to commercialize it. To this end, its efficiency can be improved by lowering the driving voltage through the improvement of structure of the OLED element and the application of new organic substance. Therefore, in this study, we have manufactured a red OLED element by applying fluorescent dyes to the emitting layer of the element having the structure of ITO/TPD/ Znq2+DCJTB /Znq2/Al and the structure of ITO/CuPc/NPB/ Alq3+DCJTB/Alq3/Al, in order to light-emitting various colors or improve the brightness and the efficiency, and then we have evaluated its electrical and optical characteristics.
Proceedings of the Korea Contents Association Conference
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2008.05a
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pp.301-305
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2008
An organic light-emitting diode(OLED) has advantages of low power driving, self light-emitting, wide viewing angle, excellent high resolution, full color, high reproduction, fast response speed, simple manufacturing process, or the like. However, there are still a number of challenges to get over in order to put it to practical use as a high performance display. First of all, the most important thing is to improve the efficiency of the OLED element in order to commercialize it. To this end, its efficiency can be improved by lowering the driving voltage through the improvement of structure of the OLED element and the application of new organic substance. Therefore, in this study, we have manufactured a red OLED element by applying fluorescent dyes to the emitting layer of the element having the structure of ITO/TPD/Znq2+DCJTB/Znq2/Al and the structure of ITO/CuPc/NPB/Alq3+DCJTB/Alq3/Al, in order to light-emitting various colors or improve the brightness and the efficiency, and then we have evaluated its electrical and optical characteristics.
This paper reports that well-balanced white emission with three primary colors can be achieved with a simple white organic light-emitting diode (WOLED) structure of ITO / $\alpha$-NPD (50 nm) / $\alpha$-NPD: Btp2Ir(acac) (8 wt%, 6 nm) / $\alpha$-NPD (5 nm) / BCP (3 nm) / $Alq_3$: C545T (0.5 wt%, 10 nm) / $Alq_3$ (40 nm) / LiF (0.5 nm) / Al (100 nm). The external quantum efficiency of the device reached 3.8% at a current density (luminance) of 4.6 mA/$cm^2$ (310 cd/$m^2$), and the maximal luminance of the device reached 19,000 cd/$m^2$ at 11.5 V. The insignificant blue shift of the emitting color with an increasing current density can be attributed to the narrowing of the exciton formation zone width.
In this work, pyromellitic dianhydride (PMDA) was used as a cathode interfacial layer in the organic light emitting diodes (OLEDs) and its thickness was optimized. Various electrical and optical characterizations of the OLEDs having various thicknesses of the PMDA cathode interfacial layer revealed that the best OLED performance could be achieved by using 0.5 nm-thick PMDA layer compared to the control device without any interfacial layer.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.8
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pp.638-644
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2010
We have carry out numerical simulation of the electric-optical characteristics of organic light emitting diodes with gradient-doped emitting layer which were reported to be effective in improving luminous efficiency and lifetime. In this paper, the basic structure is comprised of ITO/NPB/$Alq_3$:C545T[%]/$Alq_3$/LiF/Al, six devices by separating the emitting layer of $Alq_3$:C545T[%] were studied. As the result, the uniformly-doped devices exhibited superior luminous efficiency-current density characteristics over conventional undoped device. In the case of gradient-doped devices, electric-optical characteristics were improved similar to uniformed-doped devices, unusually the distribution of traped-charge density in the OLED devices was shown as the staircase.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.14
no.5
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pp.594-600
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2014
A threshold voltage compensation pixel circuit was developed for active-matrix organic light emitting diodes (AMOLEDs) using amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors (a-IGZO-TFTs). Oxide TFTs are n-channel TFTs; therefore, we developed a circuit for the n-channel TFT characteristics. The proposed pixel circuit was verified and proved by circuit analysis and circuit simulations. The proposed circuit was able to compensate for the threshold voltage variations of the drive TFT in AMOLEDs. The error rate of the OLED current for a threshold voltage change of 3 V was as low as 1.5%.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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