• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제17권8호
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• pp.3-12
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• 2004

유기 박막 트랜지스터 (Organic Thin film Transistors ； 이하 OTFT)는 1986년부터(1) 반도체 장치의 새로운 부류로 급속하게 발전해 오고 있다. 반도체 산업에 있어 이러한 유기물질의 큰 발전은 1947년에 있었던 최초의 inorganic FET (Field Effect Transistor) 탄생에 버금갈 만한 성과라고 여겨진다.(중략)

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.310-311
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• 2009

New X-shaped crystalline molecules have been synthesized through various coupling reactions and their electronic properties were investigated. They exhibit good solubility in common organic solvents and good self-film forming properties. They are intrinsically crystalline as they exhibit well-defined X-ray diffraction patterns from uniform and preferred orientations of molecules. They also exhibited high field effect mobilities in thin film transistor (TFT) and good device performances.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.754-758
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• 2002

In order to reach the high quality of organic thin films such as high mobility for device applications, it is strongly desirable to study the growth properties of pentacene film as a function of evaporation condition. Here, we report the structure and morphology of thermal evaporated pentacene thin film by AFM, SEM, and XRD as a function of the evaporation rate and substrate temperature. These results play a key role in determining the electric performance of organic thin film transistor devices.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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• pp.264-265
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• 2001

영상표시방법은 관례적인 CRT 방법에 더하여 LCD, TFT-LCD, FED, PDP 등 다양한 방법들이 개발되었거나 개발되고 있다. 유기발광소자(OLED)를 이용한 영상표시법도 최근 그 실용성이 크게 향상된 방법으로 이 OLED를 이용하는 발광소자는 LCD, TFT-LCD 등의 방법과 마찬가지로 다층박막구조를 가지므로 각 박막층의 특성과 계면 급준성 등을 정확하게 평가하는 것은 긴요하다 하겠다. (중략)

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.543-545
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• 2009

With injection-type source delivery system of atomic layer deposition (ALD), bottom-contact and bottom-gate thin-film transistors (TFTs) were fabricated with a poly-4-vinyphenol polymeric dielectric for the first time. The properties of the ZnO TFT were greatly influenced by the device structure and the process conditions. The zinc oxide TFTs exhibited a channel mobility of 0.43 $cm^2$/Vs, a threshold voltage of 0.85 V, a subthreshold slope of 3.30 V/dec, and an on-to-off current ratio of above $10^6$ with solid saturation.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.199-199
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• 2010

최근 평판 디스플레이 산업의 발전에 따라 능동행렬 액정 표시 소자 (AMOLED : Active Matrix Organic Liquid Crystral Display) 가 차세대 디스플레이 분야에서 각광을 받고있다. 기존의 TFT-LCD에 사용되는 a-Si:H는 균일도가 좋지만 전기적인 스트레스에 의해 쉽게 열화되고 낮은 이동도는 갖는 단점이 있으며, ELA (Eximer Laser Annealing) 결정화 poly-Si은 전기적인 특성은 좋지만 uniformity가 떨어지는 단점을 가지고 있어서 AMOLED 및 대면적 디스플레이에 적용하기 어렵다. 따라서 a-Si:H TFT보다 좋은 전기적인 특성을 보이며 ELA 결정화 poly-Si TFT보다 좋은 uniformity를 갖는 SPC (Solid Phase Crystallization) poly-Si TFT가 주목을 받고있다. 본 연구에서는 차세대 디스플레이 적용을 위해서 glass 기판위에 증착된 a-Si을 SPC 로 결정화 시킨 후 TFT를 제작하고 평가하였다. 또한 TFT 형성시에 저온공정을 실현하기 위해서 소스/드레인 영역에 실리사이드를 형성시켰다. 소자 제작시의 최고온도는 $500^{\circ}C$ 이하에서 공정을 진행하는 저온 공정을 실현하였다. Glass 기판위에 a-Si이 80 nm 증착된 기판을 퍼니스에서 24시간 동안 N2 분위기로 약 $600^{\circ}C$ 에서 결정화를 진행하였다. 노광공정을 통하여 Active 영역을 형성시키고 E-beam evaporator를 이용하여 약 70 nm 의 Pt를 증착시킨 후, 소스와 드레인 영역의 실리사이드 형성은 N2 분위기에서 $450^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $550^{\circ}C$에서 열처리를 통하여 형성하였다. 게이트 절연막은 스퍼터링을 이용하여 SiO2를 약 15 nm 의 두께로 증착하였다. 게이트 전극의 형성을 위하여 E-beam evaporator 을 이용하여 약 150 nm 두께의 알루미늄을 증착하고 노광공정을 통하여 게이트 영역을 형성 후 에 $450^{\circ}C$, H2/N2 분위기에서 약 30분 동안 forming gas annealing (FGA)을 실시하였다. 제작된 소자는 실리사이드 형성 온도에 따라서 각각 다른 특성을 보였으며 $450^{\circ}C$에서 실리사이드를 형성시킨 소자는 on currnet와 SS (Subthreshold Swing)이 가장 낮은것을 확인하였다. $500^{\circ}C$와 $550^{\circ}C$에서 실리사이드를 형성시킨 소자는 거의 동일한 on current와 SS값을 나타냈다. 이로써 glass 기판위의 SB-TFT 제작 시 실리사이드 형성의 최적온도는 $500^{\circ}C$로 생각되어 진다. 위의 결과를 토대로 본 연구에서는 SPC 결정화 방법을 이용하여 SB-TFT를 성공적으로 제작 및 평가하였고, 차세대 디스플레이에 적용할 경우 우수한 특성이 기대된다.

• Journal of Information Display
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• 제11권4호
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• pp.160-164
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• 2010

Organic light-emitting devices (OLEDs) have shown superior characteristics and are expected to dominate the nextgeneration flat-panel displays. Active-matrix organic light-emitting diode (AMOLED) displays, however, have stringent demands on the performance of the backplane. In this paper, the development of thin-film transistors (TFTs) based on indium gallium zinc oxide (IGZO) on both Gen 1 and 6 glasses, and their decent characteristics, which meet the AMOLED requirements, are shown. Further, several display prototypes (e.g., 2.4" AMOLED, 2.4" transparent AMOLED, and 32" AMLCD) using IGZO TFTs are demonstrated to confirm that they can indeed be strong candidates for the next-generation TFT technology not only of AMOLED but also of AMLCD (active-matrix liquid crystal display).

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.1386-1389
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• 2005

We report the light illumination effect on the performance of pentacene organic thin-film transistor (OTFT). The TFT performance with and without illumination were measured at various temperatures. The off-state currents increase linearly with light intensity in the region of gate voltage where the holes are majority carriers in the TFT channel. The minimum photocurrents of OTFT increase with increasing light intensity.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.529-530
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• 2005

A voltage driving AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) is useful for large-sized, high resolution OLED display. The conventional 2-TFTs, 1-CAP AMOLED circuit suffer from the threshold voltage variation of TFT. In this paper, a new AMOLED structure is proposed. It is composed of 5-TFTs and 2-capacitors. It is described that the operating principle and the characteristics of the proposed structure and is verified the performance by HSPICE simulation. The result of simulation shows that the effect of the threshold voltage variation in this circuit, is able to neglect.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제2권1호
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• pp.3-9
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• 2009

AMOLED 디스플레이는 LCD에 비해 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 박막화의 용이성 등의 많은 장점들을 갖고 있으나 불균일한 TFT의 전기적 특성과 전원선의 전압 강하에 의한 휘도 불균일, 잔상 현상 및 수명 등과 같은 많은 문제점들이 있다. 이 중에서 본 논문에서는 구동 TFT 소자의 hysteresis 현상에 의해 발생하는 가역적 잔상 현상을 개선하고자 한다. TFT의 hysteresis 특성을 개선하기 위해 게이트 산화막 증착 전에 표면 처리 조건을 변경하였다. 게이트 산화막 증착 전에 실시한 자외선 및 수소 플라즈마 표면 처리는 게이트 산화막과 다결정 실리콘 박막 사이의 계면 trap 밀도를 $3.11{\times}10^{11}cm^{-2}$로 감소시켰고, hysteresis 레벨을 0.23 V로 줄였으며 출력 전류 변화율을 3.65 %로 감소시켰다. 자외선 및 수소 플라즈마 처리를 행함으로써 AMOLED 디스플레이의 가역적 잔상을 많이 개선할 수 있을 것으로 기대된다.