• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1503-1505
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• 1998

Stearic acid was deposited on surface of 9[MHz], AT-cut quartz crystal microbalance as gas sensing material using Langmuir-Blodgett(LB) technique. We measured gas response between deposited LB films and organic gas for various temperature($0{\sim}80^{\circ}C$). The resonant frequency changed due to absorbance of organic gas such as methanol and butanol gas at room temperature. However, the resonant frequency not responded to methanol gas at temperature above melting point of deposited LB films.

• 한국재료학회지
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• 제17권7호
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• pp.352-357
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• 2007

Since a pattern defects "repair" system using a diode pumped solid state laser for Flat Panel Display (FPD) was suggested, a lot of laser systems have been explored and developed for mass-production microfabrication process. A maskless lithography system using 405 nm violet laser and Digital Micromirror Device (DMD) has been developed for PDP and Liquid Crystal Display (LCD) Thin Film Transistor (TFT) photolithography process. In addition, a "Laser Direct Patterning" system for Indium Tin Oxide (ITO) for Plasma Display Panel(PDP) has been evaluated one of the best successful examples for laser application system which is applied for mass-production lines. The "heat" and "solvent" free laser microfabrications process will be widely used because the next-generation flat panel displays, Flexible Display and Organic Light Emitting Diode (OLED) should use plastic substrates and organic materials which are very difficult to process using traditional fabrication methods.

• 인포메이션 디스플레이
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• 제7권3호
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• pp.4-17
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• 2006

차세대 디스플레이로서, 특히 휴대기기를 위한 플레깃블 디스플레이에 대한 관심이 증가되고 있다. 지난 몇 년간 계속적으로 연구가 이루어져 왔음에도 불구하고, 플렉시블 디스플레이는 아직 하나의 '제품'으로서 시장에 진입하지 못하고 있다. 플렉시블 디스플레이는 플라스틱이나 메탈 호일, 플렉시블 유리와 같은 플렉시블 기판이 쓰이는데, 이것은 가벼우면서 얇고 강하며 제조 측면에서 높은 생산성을 가질뿐만 아니라 착용이 가능할 정도의 자유로운 디자인이 가능하다는 장점을 가지고 있다. 이러한 많은 장점으로 인해 플렉시블 디스플레이의 연구와 개발이 빠르게 진행되고 있다. 지난 몇 년 동안 개발된 전기영동(electrophoretic), 유기전계발광(OLED, organic light-emitting diode), 액정(liquid-crystal)과 관련된 플렉시블 디스플레이에 대해 성능 등을 알아보고, 플렉시블 디스플레이용으로 개발된 플라스틱 기판과 그 위에 형성된 유기박막트랜지스터(OTFTs, organic thin film transistors)의 특성을 분석한다. 그리고 oTFTs의 성능과 제작공정의 이해를 위해 self organized process에 대해 설명하고 마지막으로 중요 연구 과제를 제시한다.

• Macromolecular Research
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• 제12권1호
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• pp.141-143
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• 2004

We have investigated the dynamic mechanical behavior of ultra-high molecular weight polyethylene (UHMWPE) irradiated with varying doses of gamma rays. A relaxation peak in the loss factor curve, which has not been reported previously in the literature, is observed at a temperature above the crystal melting temperature. The peak is unique to UHMWPE and appears to be related to the high degree of entanglement. Because the temperature and intensity of the peak are reduced by irradiation-induced chain scission and crosslinking, respectively, we believe that the peak is associated with disentanglement relaxation. The behavior of the storage modulus in the melt state agrees with the classical theory of rubber elasticity.

• 한국콘크리트학회:학술대회논문집
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• 한국콘크리트학회 2004년도 추계 학술발표회 제16권2호
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• pp.817-820
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• 2004

Our country was much developments in change of construction environment along with fast economy development. But, various problems that must think in problem of safety and quality were appeared. Constructions which build through rapid economy development are getting many social criticisms to problem of crack and water leakage at use process. Is situation that huge repair expense to cure this is engaged. Safety problem of construction is indicated socially through various media mediums again.

• 한국표면공학회지
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• 제23권2호
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• pp.1-10
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• 1990

Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) is an epitaxial process utilizaing ane or more of organometallice as reactnte to grow compound semicond semiconductror layers. MOVPE is basically a cold wall process in which reactants are delivered without reacting with each other to the heated substrate where reactants are thermally decomposed to from compound semiconductors through chemical reaction. Since reactants are delivered as gas phase and the formation of the single crystal compunds depends on the thermal decomposition of the reactants, details of MOVPE relies on the hydrodynamics and pyroltsis and chemical reation of reactants inside on reaction chamber. It has been demonstrated that MOVPE is capable of growing virtually all of the III-V, II-VI and IV-VI compound semiconductrs, fabricating ultrathin epilayers, for ming abrupt hetrointerfaces with monolayer transition width, and is suitable for multi-wafer operation yilding a high throghtput. Overiew of reactror componts and layer, characteristics, and status of MOVPE are discussed.

• Journal of the Korean Physical Society
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• 제73권11호
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• pp.1729-1734
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• 2018

Organic-inorganic halide perovskite single crystals undergo phase transition of being cubic, tetragonal, or orthorhombic depending on the temperature. We investigated the $CH_3NH_3PbBr_{3-x}I_x$ single crystals grown by the inverse temperature crystallization method with temperature-dependent UV-Vis absorption and photoluminescence. From the temperature-dependent absorption measurement, the optical band gap is extracted by derivation of absorption spectrum fitting and Tauc plot. In our results, $CH_3NH_3PbBr_{3-x}I_x$ single crystals show that an abrupt change in optical band gap, PL peak position and intensity appears around 120 K - 170 K regions, indicating the phase transition temperature.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권4호
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• pp.145-150
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• 2014

3차원적 선택적 결정 성장 방법에 의해 GaN stripe 구조의 꼭지점 부분에만 GaN 나노로드를 성장하였다. GaN stripe의 꼭지점 부분의 $SiO_2$ 만을 최적화된 포토리소그라피 공정을 이용하여 제거하고 이를 선택적 결정 성장을 위한 마스크로 사용하였다. $SiO_2$가 제거된 꼭지점 부근에만 Au 금속을 증착하고, metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE) 방법에 의해 GaN stripe의 꼭지점 부분에만 GaN 나노로드의 선택적 성장을 실시하였다. GaN 나노로드의 형상과 크기는 결정 성장 온도와 III족 원료의 공급량에 의해 변화가 있음을 확인하였다. Stripe 꼭지점에 성장된 GaN 나노로드는 단면이 삼각형형태를 가지고 있으며 끝으로 갈수록 점점 폭이 좁아지는 테이퍼 형상을 가지며 성장되었다. TEM 관측 결과, 매우 좁은 영역에서만 선택적 결정 성장이 이루어졌기 때문에 GaN 나노로드에서 관통전위(threading dislocations)는 거의 관찰되지 않음을 확인하였다. 선택성장이 시작되는 부분의 결정면과 GaN 나노로드의 성장방향의 결정면 방향의 차이에 기인하는 적층결함(stacking faults)들이 GaN 나노로드의 중심영역에서 생성되는 것을 관찰할 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제21권3호
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• pp.114-118
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• 2011

본 논문에서는 육각형 GaN 피라미드의 꼭지점 부분에만 나노 혹은 마이크로 크기의 GaN 구조를 선택적으로 성장시킬 수 있는 결정 성장 방볍에 대하여 연구하였다. 최적화된 포토리소그라피 공정을 이용하여 육각형 GaN 피라미드 구조의 꼭지점 부분의 $SiO_2$ 마스크 영역만을 제거할 수 있었으며, 이렇게 하여 노출된 육각형 GaN 피라미드의 꼭지점 부분에만 metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE) 결정 성장방법을 사용하여 나노 및 마이크로 크기의 GaN 구조를 선택적으로 성장하였다. GaN 피라미드 꼭지점 부근에 형성된 나노 및 마이크로 G값J 구조는 semi-polar {1-101} 결정면으로 둘러싸인 육각 피라미드 형상을 하고 있으며 그들의 크기는 성장 시간에 의해 쉽게 조절할 수 있음을 확인하였다. TEM 관측 결과, 측면 방향으로 진행하는 관통전위들이 $SiO_2$ 마스크에 의해 효율적으로 차단되어 나노 및 마이크로 GaN 구조에서는 전위 밀도가 감소하는 것을 확인할 수 있었으나 $SiO_2$ 마스크의 끝부분의 매끄럽지 못한 부분에 의해 적층 결함이 발생함을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제25권5호
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• pp.182-187
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• 2015

GaN 스트라이프 구조의 정상 부분에 Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) 방법에 의해 선택적으로 결정 성장된 마이크로 크기의 AlGaN 어레이 구조의 성장과 그 특성에 관해 연구하였다. AlGaN 어레이 구조의 형태 변화가 선택 성장을 위한 노출 면적에 의존한다는 것을 확인하였다. 상대적으로 넓게 노출 된 성장 영역 위에서 선택 성장된 AlGaN 어레이 구조는 기판 위의 GaN 스트라이프와 유사한 규칙적인 모양을 가지는 반면 상대적으로 좁게 노출된 영역 위에서 선택 성장 된 AlGaN 어레이 구조는 불규칙한 모양을 가진다. 한편, Al 조성비가 증가함에 따라 AlGaN 어레이 미세 구조에 대한 고유 포논 진동수도 높아짐을 확인할 수 있었다. 하지만 상대적으로 높은 Al 조성비에서는 고유 포논 진동수는 AlGaN 구조와 그 아래의 GaN 스트라이프 사이의 큰 격자상수 차이와 선택적 결정 성장 과정 동안의 결정면 방향의 변화에 의해 강한 tensile strain으로 인해 다시 감소하는 경향을 보임을 확인하였다.