A compact imaging spectrometer (COMIS) was developed for a microsatellite STSAT-3. The satellite is now rescheduled to be launched into a low sun-synchronous Earth orbit (~700 km) by the end of 2012. Its main operational goal is the imaging of the Earth's surface and atmosphere with ground sampling distance of 27 m and 2 - 15 nm spectral resolution over visible and near infrared spectrum (0.4 - 1.05 ${\mu}m$). A flight model of COMIS was developed following an engineering model that had successfully demonstrated hyperspectral imaging capability and structural rigidity. In this paper we report the environmental test results of the flight model. The mechanical stiffness of the model was confirmed by a small shift of the natural frequency i.e., < 1% over 10 gRMS random vibration test. Electrical functions of the model were also tested without showing any anomalies during and after vacuum thermal cycling test with < $10^{-5}$ torr and $-30^{\circ}C\;-\;35^{\circ}C$. The imaging capability of the model, represented by a modulation transfer function (MTF) value at the Nyquist frequency, was also kept unvaried after all those environmental tests.
The performance analysis of the small satellites launch vehicle using the electric pump cycle as the upper stage engines was performed. The first stage is the launch vehicle that uses the test launch vehicle of the Korea Space Launch Vehicle II and the second stage employs elecpump cycle engine that uses liquid methane and kerosene (RP-1) as fuel. A model for the mass estimation was presented and the analysis was conducted for the range of thrust of 20 to 40 kN and combustion pressure of 3 to 6 MPa with a nozzle expansion ratio of 60 to 100. The mixture ratio with the maximum velocity increment was calculated and the performance of the LEO and SSO payload were calculated from the stage mass estimation. In both the cases, liquid methane, and RP-1 showed maximum payload for 20 kN thrust, 3 MPa combustion pressure, and the nozzle expansion ratio of 100, with a mixture ratio of 3.49 for liquid methane and 2.75 for RP-1. In addition, the ditching points of the first stage and the fairing in the LEO mission were analyzed using ASTOS.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for AgInS₂ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films. AgInS₂ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy(HWE)system. The source and substrate temperatures were 680℃ and 410℃, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD). The carrier density and mobility of AgInS₂ single crystal thin film mea-sured from Hall effect by van der Pauw method are 9.35×10/sup 16/㎤ and 294㎠/V·s at 293K respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the AgInS₂ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation , E/sub g/(T)=2.1365eV-(9.89×10/sup-3/eV/K/)T²(T+2930K). The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the AgInS₂ have been estimated to be 0.1541eV and 0.0129 eV, respectively, by means of the photocur-rent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the Δso definitely exists in the Γ/sub 5/ states of the valence band of the AgInS₂ /GaAs epilayer. The three photo-current peaks ovserved at 10K are ascribed to the A₁-, B-₁and C₁-exction peaks for n=1.
Park, Chang-Sun;Hong, Kwang-Joon;Park, Jin-Sun;Lee, Bong-Ju;Jeong, Jun-Woo;Bang, Jin-Ju;Kim, Hyun
Journal of Sensor Science and Technology
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v.13
no.2
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pp.157-167
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2004
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $CuAlSe_{2}$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $CuAlSe_{2}$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $680^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CuAlSe_{2}$ single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $9.24{\times}10^{16}cm^{-3}$ and $295cm^{2}/V{\codt}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuAlSe_{2}$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_{g}(T)$ = 2.8382 eV - ($8.68{\circ}10^{-4}$ eV/K)$T^{2}$/(T + 155 K). The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $CuAlSe_{2}$ have been estimated to be 0.2026 eV and 0.2165 eV at 10 K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_{5}$ states of the valence band of the $CuAlSe_{2}$. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_{1-}$, $B_{1-}$, and $C_{1-}$ exciton peaks for n = 1.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.17
no.5
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pp.179-186
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2007
Single crystal $CdGa_2Se_4$ layers were grown on a thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate at $420^{\circ}C$ with the hot wall epitaxy(HWE) system by evaporating the polycrystal source of $CdGa_2Se_4$ at $630^{\circ}C$. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD). The carrier density and mobility of single crystal $CdGa_2Se_4$ thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $8.27{\times}10^{17}cm^{-3},\;345cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The photocurrent and the absorption spectra of $CdGa_2Se_4/SI$(Semi-Insulated) GaAs(100) are measured ranging from 293 K to 10 K. The temperature dependence of the energy band gap of the $CdGa_2Se_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation $E_g(T)=2.6400eV-(7.721{\times}10^{-4}eV/K)T^2/(T+399K)$. Using the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model, the crystal field energy(${\Delta}cr$) and the spin-orbit splitting energy(${\Delta}so$) far the valence band of the $CdGa_2Se_4$ have been estimated to be 106.5 meV and 418.9 meV at 10 K, respectively. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_{1^-},\;B_{1^-},\;and\;C_{11}-exciton$ peaks.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $BaIn_2Se_4$ epilayers was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $BaIn_2Se_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $620^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the epilayers was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $BaIn_2Se_4$ epilayers measured from Hall effect by van der Pauw method are $8.94{\times}10^{17}cm^{-3}$ and 343 $cm^2/vs$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $BaIn_2Se_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)$=2.6261 eV-$(4.9825{\times}10^{-3}eV/K)T^2/(T+558 K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $BaIn_2Se_4$ have been estimated to be 116 meV and 175.9 meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $BaIn_2Se_4/GaAs$ epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_1-$, $B_1$-exciton for n = 1 and $C_{21}$-exciton peaks for n=21.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $BaAl_2Se_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $BaAl_2Se_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $610^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $BaAl_2Se_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $8.29{\times}10^{-16}cm^{-3}$ and $278cm^2/vs$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $BaAl_2Se_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=3.4205eV-(4.3112{\times}10^{-4}eV/K)T^2/(T+232 K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $BaAl_2Se_4$ have been estimated to be 249.4 meV and 263.4 meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $BaAl_2Se_4/GaAs$ epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_1$-, $B_1$-exciton for n =1 and $C_{31}$-exciton peaks for n=31.
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.40
no.12
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pp.1032-1039
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2012
The present paper deals with precise relative positioning of formation satellites with long baseline in low Earth orbit making use of L1/L2 dual frequency GPS carrier phase measurements. Kinematic approach means to describe the motion of objects without taking its mass/dynamics model into consideration. The advantage of the kinematic approach is that information about dynamics of the system is not applied, which gives more flexibility and could improve the scientific interest of the observations made by the mission. The ionosphere terms, which are not canceled by double differenced measurement equation in the case of the long baseline, are explicitly estimated as unknown parameters by extended Kalman filter. The estimated float ambiguities by EKF are solved by existing efficient integer vector search strategy under integer least square condition. For the integer vector search, we employ well known MLAMBDA. Finally, The feasibility and accuracy of processing scheme are demonstrated using the GPS measurements for two satellites in low Earth orbit separated by baselines of 100 km.
We present a GPS-derived regional ionosphere model, which estimates Total Electron Content (TEC) in a rectangular grid on the spherical shell over Korea. After dividing longitude and latitude over Korea with 1$^{\circ}$$\times$1$^{\circ}$ spatial resolution, the TEC at the vertex of the grid was estimated by the Kalman filter. The GPS data received from nine nationwide GPS stations, operated by Korea Astronomy Observatory (KAO), were used for this study. To reduce inherent noises, the pseudorange data were phase-leveled by a linear combination of pseudoranges and carrier phases. The solar-geomagnetic reference frame, which is less variable to the ionosphere movement due to the Sun and the geomagnetic field than an Earth-fixed frame, was used. During a quiet time of solar activity, the KAO's regional ionosphere map indicated 30-45 Total Electron Content Unit at the peak of the diurnal variation. In comparison with the Global ionosphere Map of the Center for Orbit Determination in Europe, RMS differences were at the level of 4-5 TECU for five days.
In advance of launch, simulated radiances of the Ocean Scanning Multispectral Imager (OSMI) will be very useful to guess the real imagery of OSMI and to prepare for data processing of OSMI. The data processing system for OSMI which is one of sensors aboard Korea Multi-Purpose Satellite (KOMPSAT) scheduled for launch in 1999 is developed based on the SeaWiFS Data Analysis System (SeaDAS). Simulation of radiances requires information on the spectral band, orbital and scanning characteristics of the OSMI and KOMPSAT spacecraft. This paper also describes a method to create simulated radiances of the OSMI over the oceans. Our method for constructing a simulated OSMI imagery is to propagate a KOMPSAT orbit over a field of Coastal Zone Color Scanner (CZCS) pigment concentrations and to use the values and atmospheric components for calculation of total radiances. A modified Brouwer-Lyddane model with drag was used for the realistic orbit prediction, the CZCS pigment concentrations were used to compute water-leaving radiances, and a variety of radiative transfer models were used to calculate atmospheric contributions to total radiances detected by OSMI. Imagery of the simulated OSMI radiances for 412, 443, 490, 555, 765, 865nm was obtained. As expected, water-leaving radiances were only a small fraction (below 10%) of total radiances and sun glint contaminations were observed near the solar declination. Therefore, atmospheric correction is critical in the calculation of pigment concentration from total radiances. Because the imagery near the sun's glitter pattern is virtually useless and must be discarded, more advanced data collection planning will be required to succeed in the mission of OSMI which is consistent monitoring of global oceans during three year mission lifetime.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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