The present study describes an experimental work to reduce supersonic jet noise using a control wire device that is placed into the supersonic jet stream. The jet pressure ratio is varied to obtain the supersonic jets which are operated in a wide range of over-expanded to moderately under-expanded conditions. The wire device is composed of long cylinders with a very small diameter. X-type wire device is applied to control the supersonic jet noise, and its location is varied to investigate the effect of the control wire device on supersonic jet noise. A high-quality Schlieren optical system is used to visualize the flow field of supersonic jet with and without the control wire device. Acoustic measurement is performed to obtain the overall sound pressure level and noise spectra. The results obtained show that the present wire device destroys the shock-cell structures, reduces the shock strength, and consequently leading to a substantial suppression of supersonic jet noise.
InGaAs/GaAs quantum wire structures were grown by low pressure metalorganic chemical vapor deposition by using selective area epitaxy.$ In_{ 0.2}$$Ga_{0.8}$ As/GaAs quantum wire structures were grown on a $SiO_2$ masked GaAs substrate. Quantum wire structures with sharp tips and smooth side walls were grown. We have grown InGaAs/GaAs quantum wire structures using variously opened width of the $SiO _2$ mask. Even though the opening widths of $SiO_2$ masked GaAs substrate were different, similar shapes of triangular structures were grown. Using various kinds of differently opened $SiO_2$ masked area, it would be possible to grow quantum wire structures with various thicknesses. The quantum wire structures are formed near the pinnacle of the triangular structure. Therefore, the fabrication of the uniquely designed integrated optical devices which include light emitting sources of multiple wavelength is possible.
Gwantae Kim;Insung Park;Jeongtae Kim;Hosup Kim;Jaehun Lee;Hongsoo Ha
한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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제25권4호
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pp.24-27
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2023
Until now, many research activities have been conducted to commercialize high-temperature superconducting (HTS) wires for electric applications. Most of all researchers have focused on enhancing the piece length, critical current density, mechanical strength, and throughput of HTS wires. Recently, HTS magnet for generating high magnetic field shows degraded performance due to the deformation of HTS wire by high electro-magnetic force. The deformation can be derived from widthwise thickness non-uniformity of HTS wire mainly caused by wet processes such as electro-polishing of metal substrate and electro-plating of copper. Gradient sputtering process is designed to improve the thickness uniformity of HTS wire along the width direction. Copper stabilizing layer is deposited on HTS wire covered with specially designed mask. In order to evaluate the thickness uniformity of HTS wire after gradient sputtering process, the thickness distribution across the width is measured by using the optical microscope. The results show that the gradient deposition process is an effective method for improving the thickness uniformity of HTS wire.
본 연구에서는 대면적 나노 금속 격자형 편광 필름 제작에서 증착 두께에 따른 광 특성 연구를 수행하였다. 나노 금속 격자형 편광필름은 PET(Polyethylene phthalate)기판 위에 알루미늄 선 격자 구조로 구성된다. 본 연구에서는 대면적 편광필름 제작을 위한 증착공정을 통한 금속 격자 형성을 목표로 하였으며, 금속 격자형 편광 필름 제작에 있어 최적의 투과율과 소광비를 가지는 금속 박막 형성 조건을 도출하였다. 최적화 공정에 의해 나노 금속 격자형 편광필름은 140 nm 주기, 70 nm 선폭, 70 nm의 금속층 높이를 가지는 금속 격자 구조로 제작 되었다. 분석결과 600 nm 파장에서 80% 이상의 최고 투과율 및 $10^6$ 이상의 소광비를 가지는 나노 금속 격자 편광필름의 높은 광 특성을 확인하였다.
We developed wire frame drive unit based on SMA for the 3D Shape display. Our basic concept is wire frame combination connected with a chain form which can create various shapes and it compared with pin array mechanism which is not able to display mushroom shape. It imitates antagonist mechanism of human musculoskeletal system. we create similar motion using repair-relaxation mechanism and locking mechanism by SMA. Therefore, in this paper, we propose SMA control solution for actuating repair-relaxation mechanism and locking mechanism. In our control system. we use optical sensor and quantitative angle between wire frames for closed loop control. And we supply amplified current for SMA by circuit composed of transistor and apply PWM signal to circuit for efficient control. So, wire frame drive unit enable diversity angle control based on sensor data. And then combination of wire frame drive units will create various objects.
NiTi alloy has been used for orthodontic wire due to good mechanical properties, such as elastic strength, friction resistance, and high corrosion resistance. Recently, these wire were coated by polymer and ceramic materials for aesthetics. The purpose of this study was to investigate electrochemical characteristics of tooth colored NiTi wire using various instruments. Wires (round type and rectangular type) were used, respectively, for experiment. Polymer coating was carried out for wire. Specimen was investigated with optical microscopy (OM), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and energy dispersive x-ray spectroscopy (EDS). The corrosion properties of the specimens were examined using potentiodynamic tests (potential range of -1500 ~ 2000 mV) and electrochemical impedance spectroscopy (frequency range of 100 kHz ~ 10 mHz) in a 0.9 % NaCl solution by potentiostat. From the results of polarization behavior, the passive region of non-coated NiTi wire showed largely, whereas, the passive region of curved NiTi wire showed shortly in anodic polarization curve. In the case of coated NiTi wire, pitting and crevice corrosion occurred severely at interface between non-coated and coated region. From the results of EIS, polarization resistance(Rp) value of non-coated round and rectangular NiTi wire at curved part showed $5.10{\times}10^5{\Omega}cm^2$ and $4.43{\times}10^5{\Omega}cm^2$. lower than that of coated NiTi wire. $R_p$ of coated round and rectangular NiTi wire at curved part showed $1.31{\times}10^6{\Omega}cm^2$ and $1.19{\times}10^6{\Omega}cm^2$.
본 논문은 SFF/SFP 광 송수신기에 사용되는 TO-38 패키지의 대역폭 향상을 위해 여러 구조적 변수를 변화시켜 최적화하여 3dB대역폭의 성능향상을 제안하였다. 먼저 실험을 통해 PIN PD 칩에 인가된 바이어스에 따른 캐패시턴스 값을 구하였으며 TO-can 패키지의 주파수 응답을 측정하여 3.5GHz의 3dB 대역폭을 얻었다. 또한 3차원 시뮬레이션으로 측정치와의 주파수 응답 특성의 일치를 재확인하였다. 더 나은 주파수 응답을 얻기 위해 TO-can 패키지 여러 물리적 구조 변수를 변화시켜 최적화시킨 TO-38 패키지는 3dB대역폭 15GHz의 아주 우수한 성능향상을 보였으며 이는 10Gbps대의 bit rate 성능을 만족할 수 있는 SFF/SFP 광 송수신기 모듈에 적용이 가능하다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제14권4호
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pp.443-450
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2014
This paper presents a 20-Gb/s optical receiver circuit fabricated with standard 65-nm CMOS technology. Our receiver circuits are designed with consideration for parasitic inductance and capacitance due to bonding wires connecting the photodetector and the circuit realized separately. Such parasitic inductance and capacitance usually disturb the high-speed performance but, with careful circuit design, we achieve optimized wide and flat response. The receiver circuit is composed of a transimpedance amplifier (TIA) with a DC-balancing buffer, a post amplifier (PA), and an output buffer. The TIA is designed in the shunt-feedback configuration with inductive peaking. The PA is composed of a 6-stage differential amplifier having interleaved active feedback. The receiver circuit is mounted on a FR4 PCB and wire-bonded to an equivalent circuit that emulates a photodetector. The measured transimpedance gain and 3-dB bandwidth of our optical receiver circuit is 84 $dB{\Omega}$ and 12 GHz, respectively. 20-Gb/s $2^{31}-1$ electrical pseudo-random bit sequence data are successfully received with the bit-error rate less than $10^{-12}$. The receiver circuit has chip area of $0.5mm{\times}0.44mm$ and it consumes excluding the output buffer 84 mW with 1.2-V supply voltage.
광 백 플레인이나 광 연결용으로 활용될 수 있는 연성 광 PCB의 핵심 요소인 광 배선(도파로)의 전파 특성을 분석하였으며, 광배선 제작 공정에서 발생할 수 있는 구조적 오차로 인한 전파 손실 발생 문제를 다루었다.제작 공차 분석을 통해 전파 손실을 -1 dB/mm 이하로 유지하기 위해서는 광 배선 측벽 각도가 $1^{\circ}$ 이내로 제어되어야 하며, 결합 손실과 구부러짐 손실을 각각 -1 dB 이하로 유지하기 위해서는 광원과 광 배선 간격은 $160\;{\mu}m$ 이내, 횡방향 정렬 오차는 ${\pm}15\;{\mu}m$ 이내, 광원 각도는 $6^{\circ}$ 이하로 정렬되어야 하며, 광 배선의 구부러짐 반경은 5 mm 이상이 되어야 함을 알 수 있었다.
네트워크 프로세서는 기존의 네트워크 시스템들이 하드웨어적인 처리로 만족시키던 Wire-Speed의 패킷 처리 성능과 소프트웨어적인 처리로 만족시키던 네트워크 서비스에 대한 유연성을 동시에 만족시킬 수 있는 유일한 대안으로 제시되고 있다. 본 논문은 네트워크 장비를 이러한 네트워크 프로세서를 이용하여 구현함으로써 Wire-Speed의 패킷 처리가 가능하고 다양한 인터페이스가 수용 가능한 것으로서, 패킷 포워딩 엔진 보드의 구현 및 시험 결과를 언급하였다. 초고속 광 가입자망 시스템의 가입자 정합 장치에는 POS(Packet Over SONET) 인터페이스, 기가비트 이더넷 인터페이스 및 EPON(Ethernet Passive Optical Network) 인터페이스 등 다양한 가입자 인터페이스가 존재한다. 따라서, 광 가입자 망 시스템에 사용되어지는 패킷 포워딩 엔진은 다양한 가입자 인터페이스를 수용할 수 있어야 함과 동시에 고속의 패킷 포워딩 기능이 가능하여야 한다. 본 논문에서 제안하는 시스템은 쪽 보드(Daughter Board)의 형태로 물리 층 기능을 구현하고, 이 물리 층 기능 모듈의 식별자 인식을 통하여 네트워크 프로세서의 물리 인터페이스가 탑재된 기능 모듈과 정합할 수 있는 인터페이스로 소프트웨어적으로 설정하도록 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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