Chung, Jun Ho;Heo, Tae Hyung;Lee, Jeong Hoon;Lee, Sang Yeop;Kang, Suk Hyun;Kim, So Yeon;Kim, Sae Am;Choi, Bong Geun;Shim, Kwang Bo
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.22
no.5
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pp.241-246
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2012
$Yb^{3+}$, $Er^{3+}$ co-doped $SrMoO_4$ ($SrMoO_4$ : $Yb^{3+}/Er^{3+}$) specimens have been successfully synthesized via the complex citrate-gel method and their structural and optical properties were investigated in detail. Under 980 nm excitation, $SrMoO_4$ : $Yb^{3+}/Er^{3+}$ UC phosphors have been emitted strong green luminescence at 530 and 550 nm with weak red emission around 670 nm corresponding to the intra 4f transitions of $Er^{3+}$ ($^4F_{9/2}$, $^2H_{11/2}$, $^4S_{3/2}$) ${\rightarrow}$$Er^{3+}$ ($^4I_{15/2}$). The optimal doping concentrations of $Er^{3+}$ and $Yb^{3+}$ ions were verified to 2/16 mol% and a possible upconversion mechanism depending on pump power dependence is studied in detail.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.22
no.3
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pp.115-121
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2012
Sapphire single crystals have been highlighted for epitaxial gallium nitride films in high-power laser and light emitting diode (LED) industries. Among the many crystal growth methods, the Kyropoulos process is an excellent commercial method for growing larger, high-optical-quality sapphire crystals with fewer defects. Because the properties and growth behavior of sapphire crystals are influenced largely by the temperature distribution and convection of molten sapphire during the manufacturing process, accurate predictions of the thermal fields and melt flow behavior are essential to design and optimize the Kyropoulos crystal growth process. In this study, computational fluid dynamic simulations were performed to examine the effects of the crucible geometry aspect ratio on melt convection during Kyropoulos sapphire crystal growth. The results through the evolution of various growth parameters on the temperature and velocity fields and convexity of the crystallization interface based on finite volume element simulations show that lower aspect ratio of the crucible geometry can be helpful for the quality of sapphire single crystal.
Photodynamic therapy (PDT) is one of the expectable current cure operation methods. Tumor tissue is treated by abundant oxygen in a body and generated singlet or free radical from exterior laser diode and photosensitizer. Current problem of PDT is the low penetration power of the light beam in a deep seated large tumor and solid tumor thus results in low treatment outcome. In the study, we tried to develop interstitial photodynamics therapy treatment to solve this problem. As the accurate determination of light dosimetry in biological tissue is one of the most important factors affecting the effectiveness of PDT, parameters used in this study are the optical property of biological tissue. Since biological tissues have large scattering coefficient to visible light the penetration depth of a biological tissue in visible light region is only $15\~20$ mm. We showed that it is possible to measure fluence rate and penetration depth within the biological tissues by Monte Carlo simulation very well. Based on the MC simulation study, the effectiveness of interstitial photodynamic therapy on tumor control in solid tumor was proved through in vivo animal experiment.
Objective : Recently, regenerative therapies have been used in clinical trials (heart, cartilage, skeletal). We don't make use of these treatments to spinal cord injury (SCI) patients yet, but regenerative therapies are rising interest in recent study about SCI. Neural precursor/stem cell (NPSC) proliferation is a significant event in functional recovery of the central nervous system (CNS). However, brain NPSCs and spinal cord NPSCs (SC-NPSCs) have many differences including gene expression and proliferation. The purpose of this study was to investigate the influence of neural growth factor (NGF) on the proliferation of SC-NPSCs. Methods : NPSCs ($2{\times}10^4$) were suspended in $100{\mu}L$ of neurobasal medium containing NGF-7S (Sigma-Aldrich) and cultured in a 96-well plate for 12 days. NPSC proliferation was analyzed five times for either concentration of NGF (0.02 and 2 ng/mL). Sixteen rats after SCI were randomly allocated into two groups. In group 1 (SCI-vehicle group, n=8), animals received 1.0 mL of the saline vehicle solution. In group 2 (SCI-NGF group, n=8), the animals received single doses of NGF (Sigma-Aldrich). A dose of 0.02 ng/mL of NGF or normal saline as a vehicle control was intra-thecally injected daily at 24 hour intervals for 7 days. For Immunohistochemistry analysis, rats were sacrificed after one week and the spinal cords were obtained. Results : The elevation of cell proliferation with 0.02 ng/mL NGF was significant (p<0.05) but was not significant for 2 ng/mL NGF. The optical density was increased in the NGF 0.02 ng/mL group compared to the control group and NGF 2 ng/mL groups. The density of nestin in the SCI-NGF group was significantly increased over the SCI-vehicle group (p<0.05). High power microscopy revealed that the density of nestin in the SCI-NGF group was significantly increased over the SCI-vehicle group. Conclusion : SC-NPSC proliferation is an important pathway in the functional recovery of SCI. NGF enhances SC-NPSC proliferation in vitro and in vivo. NGF may be a useful option for treatment of SCI patients pending further studies to verify the clinical applicability.
Lim, Sang Chul;Koo, Jae Bon;Park, Chan Woo;Jung, Soon-Won;Na, Bock Soon;Lee, Sang Seok;Cho, Kyoung Ik;Chu, Hye Yong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.344-344
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2014
Transparent amorphous oxide semiconductors such as a In-Ga-Zn-O (a-IGZO) have advantages for large area electronic devices; e.g., uniform deposition at a large area, optical transparency, a smooth surface, and large electron mobility >10 cm2/Vs, which is more than an order of magnitude larger than that of hydrogen amorphous silicon (a-Si;H).1) Thin film transistors (TFTs) that employ amorphous oxide semiconductors such as ZnO, In-Ga-Zn-O, or Hf-In-Zn-O (HIZO) are currently subject of intensive study owing to their high potential for application in flat panel displays. The device fabrication process involves a series of thin film deposition and photolithographic patterning steps. In order to minimize contamination, the substrates usually undergo a cleaning procedure using deionized water, before and after the growth of thin films by sputtering methods. The devices structure were fabricated top-contact gate TFTs using the a-IGZO films on the plastic substrates. The channel width and length were 80 and 20 um, respectively. The source and drain electrode regions were defined by photolithography and wet etching process. The electrodes consisting of Ti(15 nm)/Al(120 nm)/Ti(15nm) trilayers were deposited by direct current sputtering. The 30 nm thickness active IGZO layer deposited by rf magnetron sputtering at room temperature. The deposition condition is as follows: a rf power 200 W, a pressure of 5 mtorr, 10% of oxygen [O2/(O2+Ar)=0.1], and room temperature. A 9-nm-thick Al2O3 layer was formed as a first, third gate insulator by ALD deposition. A 290-nm-thick SS6908 organic dielectrics formed as second gate insulator by spin-coating. The schematic structure of the IGZO TFT is top gate contact geometry device structure for typical TFTs fabricated in this study. Drain current (IDS) versus drain-source voltage (VDS) output characteristics curve of a IGZO TFTs fabricated using the 3-layer gate insulator on a plastic substrate and log(IDS)-gate voltage (VG) characteristics for typical IGZO TFTs. The TFTs device has a channel width (W) of $80{\mu}m$ and a channel length (L) of $20{\mu}m$. The IDS-VDS curves showed well-defined transistor characteristics with saturation effects at VG>-10 V and VDS>-20 V for the inkjet printing IGZO device. The carrier charge mobility was determined to be 15.18 cm^2 V-1s-1 with FET threshold voltage of -3 V and on/off current ratio 10^9.
Ahmed, Muhammad Waqar;Rahman, Md. Shahinur;Choi, Sooseok;Shaislamov, Ulugbek;Yang, Jong-Keun;Suresh, Rai;Lee, Heon-Ju
Applied Science and Convergence Technology
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v.26
no.5
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pp.118-128
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2017
The scope of this work is to determine and compare the effect of electron temperature ($T_e$) and number density ($N_e$) on the yield rate and concentration of reactive chemical species ($^{\bullet}OH$, $H_2O_2$ and $O_3$) in an argon, air and oxygen injected negative DC (0-4 kV) capillary discharge with water flow(0.1 L/min). The discharge was created between tungsten pin-to pin electrodes (${\Phi}=0.5mm$) separated by a variable distance (1-2 mm) in a quartz capillary tube (2 mm inner diameter, 4 mm outer diameter), with various gas injection rates (100-800 sccm). Optical emission spectroscopy (OES) of the hydrogen Balmer lines was carried out to investigate the line shapes and intensities as functions of the discharge parameters such as the type of gas, gas injection rate and inter electrode gap distances. The intensity ratio method was used to calculate $T_e$ and Stark broadening of Balmer ${\beta}$ lines was adopted to determine $N_e$. The effects of $T_e$ and $N_e$ on the reactive chemical species formation were evaluated and presented. The enhancement in yield rate of reactive chemical species was revealed at the higher electron temperature, higher gas injection rates, higher discharge power and larger inter-electrode gap. The discharge with oxygen injection was the most effective one for increasing the reactive chemical species concentration. The formation of reactive chemical species was shown more directly related to $T_e$ than $N_e$ in a flowing water gas injected negative DC capillary discharge.
Im, Wanhee;Seo, Dongil;Oh, Kyudeok;Jeong, Young Bin;Youn, Hye Jung;Lee, Hak Lae
Journal of Korea Technical Association of The Pulp and Paper Industry
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v.47
no.5
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pp.91-97
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2015
Papermakers wish to increase the filler content of printing and writing grades because it allows saving in production cost through fiber replacement and improving the formation, and optical and printing properties of the paper. However, high filler loading in the base paper has negative side effects. It reduces the mechanical properties of paper and induces cracking at the fold after coating process. Fold cracking is one of the most frequent quality complaints for magazines, high quality books, etc. Two approaches were examined as methods to reduce fold cracking. One approach was to use preflocculated fillers, which was expected to reduce the fold cracking because it would decrease the interfiber bonding. The other approach was to use a new coating binder that gives greater binding power and thereby provides an opportunity of reducing the fold cracking of coated paper. When filler preflocculation was employed in producing the base paper, fold cracking becomes more severe than conventional filler loading condition. On the other hand, use of nano sized binder in coating improved the tensile properties of the coating layer and thereby decreased the crack area. It was shown that tensile properties of coating layer played an important role in fold cracking of coating.
The optical properties of InAs quantum dots (QDs) grown on a GaAs substrates by migration enhanced molecular beam epitaxy method have been investigated by using photoluminescence (PL) and time-resolved PL measurements. The luminescence properties of InAs/GaAs QDs have been studied as functions of temperature, excitation laser power, and emission wavelength. The PL peak of InAs QDs capped with $In_{0.15}Ga_{0.85}As$ layer (QD2) measured at 10 K is redshifted about 80 nm compared with that of InAs QDs with no InGaAs layer (QD1). This redshift of QD2 is attributed to the increase in dot size due to the diffusion of In from the InGaAs capping layer. The PL decay times of QD1 and QD2 at 10 K are 1.12 and 1.00 ns taken at the PL peak of 1,117 and 1,197 nm, respectively. The reduced decay time of QD2 can be explained by the improved carrier confinement and enhanced wave function overlap due to increased QD size. The PL decay times for both QD1 and QD2 are independent on the emission wavelength, indicating the uniformity of dot size.
The purpose of this study is to investigate the physicochemcal Properties of the cowpea crude and refined starch and to present the basic data for physicochemical factor which gives the properties of Mook to cowpea starch gel. Water binding capacity of crude starch was 235. In and that of refined starch was 186.0%. The pattern of change in swelling power and solubility for increasing temperature started to increase at $60^{\circ}C$ and increased rapidly from $70^{\circ}C$, for both of crude and refined starch. The optical transmittance of 0.2% crude and refined starch suspensions were increased from $65^{\circ}C$ and showed rapid increasement during 68~$80^{\circ}C$, and their curves showed two-stage processes. The gelatinization pattern for 6n crude and refined starch suspensions were investigated by the Brabender amylograph. The corves showed the pasting temperature of $72.0^{\circ}C$ and $72.1^{\circ}C$, peak height of 11303.U. ($88.0^{\circ}C$) and 970 B.U. ($83.5^{\circ}C$) for crude and refined starch, respectively, and both showed high viscosities when cooling. Blue values for crude and refined starch were 0.369 and 0.376 respectively. Alkali number of crude and refined starch were 7.77 and 7.34, and reducing values were 3.60 and 2. 10, respectively. Amylose content of cowpea starch was 33.7%. Periodate oxidation of the starch fractions resulted that amylose had the average molecular weight of 23590, degree of polymerization of 146 and amylopectin had the degree of branching of 3.42, glucose unit per segment of 29.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.15
no.10
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pp.2149-2156
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2011
In this paper, design of a new 3-dimensional (3-D) 16-ary signal constellation with constant envelope is presented and analyzed. Unlike the conventional 16-ary constellations, all signal points of the new constellation are uniformly located on the surface of a sphere so that they have a unique amplitude level and a symmetrical structure. When average power of the constellations is normalized, the presented 16-ary constellation has around 11.4% increased minimum Euclidean distance (MED) as compared to the conventional ones that have non-constant envelope. As a result, a digital communication system which exploits the presented constellation has 1.2dB improved symbol error rate (SER). While signal points of the conventional constant-envelope constellation are not distributed uniformly on the surface of a sphere, those of the proposed constellation has a completely symmetric distribution. In addition, the new signal constellation has much lower computational complexity for practical implementation than the conventional one. Hence, the proposed 3-D 16-ary signal constellation is appropriate for the application to a communication system which strongly requires a constant-envelope characteristic.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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