• 한국조리학회지
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• 제20권6호
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• pp.235-244
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• 2014

본 연구에서는 냉동형 간편편이식 콩나물의 제품 개발을 위하여 냉동 콩나물의 품질을 개선하고자 데친 콩나물의 냉동속도 및 해동속도에 따른 콩나물의 물리적 품질 특성을 비교하였다. 본 실험에서는 과열증기 가열장치로 데치기 한 콩나물을 강제송풍식 냉동기나 자연대류식 냉동기에서 냉동한 후, 냉동 저장한 콩나물을 전자레인지(출력강도 0, 400, 800 및 1,000 W)에서 시료의 중심부 온도가 $75^{\circ}C$에 도달할 때까지 해동 및 조리하였다. 분석 결과, 콩나물의 냉동속도는 강제송풍식 냉동을 하는 것이 자연대류식 냉동을 하는 것 보다 4배 정도 빨랐으며, 해동시간은 마이크로 웨이브 세기에 따라 단축되었다. 냉 해동한 콩나물의 수분함량은 자연대류식 냉동을 한 후 1,000 W로 해동한 콩나물의 경우 수분손실이 가장 많은 것으로 나타났다. 콩나물의 탄력성은 모든 조건에서 감소하는 경향을 보였으나, 조직의 경도는 강제송풍식 냉동 후 1,000 W에서 해동한 콩나물만 대조군에 비해 높게 나타났다. 현미경 관찰에서는 콩나물을 냉동하면 관다발과 피층의 세포들이 파괴되는 현상이 나타났으며, 냉동 시간과 해동 시간이 길어질수록 그 정도가 더 심하게 나타났다. 냉 해동 콩나물의 품질변화를 전반적으로 비교하였을 때 냉동 속도가 빠르고, 해동 시 전자레인지의 출력이 높을수록 대조구와 비교하여 가장 변화가 적은 것으로 나타났다. 실험결과, 콩나물의 냉해동 속도는 냉동 콩나물의 물리적 품질 변화에 주요한 영향을 미치며, 이러한 냉해동 조건의 조절을 통하여 냉동 콩나물의 품질이 개선된 가공품의 개발이 가능할 것이다. 또한, 이러한 가공 조건들은 다양한 발아식품의 냉동제품 개발의 가공 요인으로도 적용할 수 있을 것으로 판단된다. 그러나 냉동 콩나물의 품질 개선에 관한 연구는 가공조건에 따른 영양학적 품질에 관한 추가 연구를 통하여 물리적, 영양학적으로 우수한 품질의 가공품 개발이 가능할 것으로 판단된다.

• 한국안광학회지
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• 제13권4호
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• pp.127-134
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• 2008

본 연구는 조절 및 이향운동 기능장애 분석을 위한 표준 값을 알아보기 위해 시행하였다. 방법: 안질환이 없고 현성사시 및 간헐 사시가 없으며 조절 및 이향운동 기능장애가 없는 54명(평균연령 25.3${\pm}$2.7세)을 대상으로 하였다. 객관적 편위각을 기준으로 하여 폭주근점, 원거리 및 근거리 사위량을 측정하였고 이후 AC/A비, 상대조절력 및 이향운동 기능을 측정한 후 이 값들을 Morgan의 표준값과 비교 분석하였다. 결과: 원거리 및 근거리 사위량은 각각 1.24${\pm}$2.72${\Delta}$, 2.70${\pm}$4.91${\Delta}$이었고 렌즈차 이용법에 의한 AC/A비는 3.92${\pm}$2.17${\Delta}$/D로 Morgan의 표준값과 거의 같은 값을 보였다. 원거리 음성융합성폭주량은 동일한 값을 보인반면, 양성융합성폭주량은 Morgan의 표준값에 비해 7${\Delta}$ 높은 값을 보였다. 근거리의 전체 이향운동의 범위는 Morgan 값과 큰 차이를 보이지 않은 반면 원거리의 전체 이향운동의 범위는 양성융합성폭주여력이 상대적으로 더 넓은 범위를 가지는 것으로 나타났다. 양성상대조절력은 +0.37D 높은 값이었고, 음성상대조절력은 -0.63D 더 높은 값을 보였다. 결론: 본 연구에 의한 양안시 분석 값들은 Morgan의 표준값이 상당한 근접성 폭주를 포함하고 있을 가능성을 나타낸다. Morgan 표준값과 비교하여 한국인을 대상으로 한 원거리 및 근거리 이향운동량과 근접성 폭주량은, 특히 BO limit 값에서 매우 다른 값을 보이고 있기 때문에 만약 Morgan 값을 한국인의 양안시 분석에 그대로 적용한다면 부정확한 양안시 진단으로 유도될 수도 있다. 본 연구의 측정값은 한국인 정상 젊은 성인의 양안시 분석을 위한 자료로 활용될 수 있을 것으로 생각한다.

• 한국조경학회지
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• 제37권3호
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• pp.105-112
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• 2009

본 연구는 실내용기 내 자연환기처리인 슬릿(Slit)에 대한 내음성 조경식물의 생육반응과 뿌리발달을 살펴봄으로써 실내용기에 대한 다양한 신기술을 활성화키고, 용기 내 바람직한 식재환경을 조성하고자 수행하였으며, 그 결과는 다음과 같다. 슬릿처리 실내용기에 따른 팔손이의 지상부 생육은 대조구에 비해 확연한 차이를 보이지 않았지만, 용기높이가 250mm이상에서 양호한 생육을 나타내 슬릿처리보다는 적정 토심확보가 중요한 것으로 나타났다. 팔손이의 근장은 Control 2(250mm) > Slit 2(250mm) > Control 1(195mm) > Slit 3(360mm) > Control 3(360mm) > Slit 1(195mm)의 순으로 슬릿처리가 없었던 Control 2에서 가장 높은 증가폭을 나타내었다. 근폭은 모든 처리에서 초기값보다 감소하는 경향을 보여 뿌리 발달이 횡적이기 보다는 종적인 것으로 분석되었다. 소엽맥문동의 초장은 슬릿처리가 없었던 대조구에서 점차 증가하는 경향을 보이나 슬릿처리에서는 확연한 생장을 보이지 않았다. 신초수는 슬릿처리 실내 용기들이 대조구에 비해 전반적으로 높은 수치를 나타낸 반면, 생체중과 건조중은 대조구에서 높은 수치를 나타내었다. 소엽맥문동의 근장에 대한 결과를 살펴보면, Slit 2(250mm) > Slit 1(195mm) > Control 2(250mm) > Control 3(360mm) > Slit 3(360mm) > Control 1(195mm) 순으로 나타났다. 자금우는 대체적으로 대조구보다는 슬릿처리 실내용기에서 초장이 높았고, 특히 Slit 2(250mm)에서 Slit 1(195mm)이나 Slit 3(360mm)보다 초장이 가장 긴 것으로 나타났다. 반면, 초장과 신초수를 제외하고 지상부와 뿌리발달은 슬릿처리에 따라 확연한 차이를 보이지 않았다. 근장은 Slit 2(250mm) > Slit 3(360mm) > Control 3(360mm) > Slit 1(195mm) > Control 2(250mm) > Control 1(195mm)의 순으로 슬릿처리 실내용기가 대조구에 비해 높은 반면, 근폭은 전반적으로 감소되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제25권5호
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• pp.173-181
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• 2015

A stoichiometric mixture of evaporating materials for $BaIn_2S_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $BaIn_2S_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $620^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $BaIn_2S_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $6.13{\times}10^{17}cm^{-3}$ and $222cm^2/v{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $BaIn_2S_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=3.0581eV-(3.9511{\times}10^{-3}eV/K)T^2/(T+536K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $BaIn_2S_4$ have been estimated to be 182.7 meV and 42.6 meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $BaIn_2S_4/GaAs$ epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_1$-, $B_1$-exciton for n = 1 and $C_{24}$-exciton peaks for n = 24.

• 대한원격탐사학회지
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• 제39권5_4호
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• pp.1173-1183
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• 2023

한국의 전체 수출입 물동량은 지난 20여년 동안 연평균 약 5.3%씩 증가하였고, 약 99%가량의 화물이 여전히 해상을 통해 운송되고 있는 것으로 나타났다. 최근 해상 물동량 증가, 코로나 및 전쟁 등의 이유로 해상 물류가 혼잡해지고 예측이 어려워지고 있어 지속적인 항만의 모니터링이 중요하다. 다양한 지상 관측 시스템과 automatic identification system (AIS) 정보를 이용하여 항만을 모니터링하고 항만 내 컨테이너 터미널의 효율적 운영과 물동량 예측을 위한 많은 선행 연구가 진행되었다. 하지만, 소형 무역항이나 개발도상국의 무역항의 경우 대형 항만에 비해 환경 문제와 노후화된 인프라 등의 이유로 항만을 모니터링하기에 어려움이 있다. 최근 인공위성의 활용성이 높아짐에 따라 광범위하고 접근하기 어려운 지역에 대해 위성 영상을 이용하여 지속적인 해상 물동량 데이터 수집 및 해양 감시체계 구축을 위한 선행 연구가 진행되고 있다. 본 연구는 고해상도 위성영상을 이용하여 부산 신항을 대상으로 항만 내 컨테이너 터미널에 존재하는 선석에 정박한 선박을 육안으로 탐지하고 선석 활용률을 정량적으로 평가하고자 한다. 국토위성, 아리랑위성 3호, PlanetScope, Sentinel-2A를 이용해 항만 내 선석에 정박하고 있는 선박을 육안으로 탐지하였고 선석에 정박 가능한 전체 선박의 수를 이용하여 선석 활용률을 산출하였다. 산출 결과 2022년 6월 2일의 경우 0.67, 0.7, 0.59로 변화하는 것을 보였으며, 영상 촬영 시각에 따라 선박의 수가 변화한 것으로 확인되었다. 2022년 6월 3일의 경우 0.7로 동일한 것으로 나타났고 이는 선박의 종류는 변화하였으나 촬영 시각에 선박의 수는 동일한 것으로 확인이 되었다. 선석 활용률은 값이 클수록 해당 선석에서의 작업이 활발하게 이루어지고 있는 것을 의미하고 있으며, 이는 선석이 혼잡하여 정박지에서 대기하고 있는 다른 선박의 대기시간이 길어지고 운임료가 증가할 수 있기 때문에 선석 활용률을 이용하여 기초적인 새로운 선박 운항 계획 수립에 도움이 될 것으로 판단된다. 선석에서의 작업시간은 수시간에서 수일이 소요되는데 영상의 촬영 시간 차이에 따른 선석에서의 선박의 변화율을 산출한 결과 4분 49초의 시간차이에도 선박의 변화가 있는 것을 확인할 수 있었다. 이는 관측 주기가 짧고 고해상도 위성영상을 모두 이용한다면 항만내 지속적인 모니터링이 가능할 것으로 사료된다. 그리고 항만 내 선박의 변화를 최소 시간 단위로 확인할 수 있는 위성 영상을 활용하면 항만 관리가 이루어지지 않는 소형 무역항이나 개발도상국의 무역항 등에서도 유용하게 사용할 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국조경학회지
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• 제44권2호
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• pp.37-51
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• 2016

시각중심주의에 편향된 근대의 광학적 메커니즘은 시각의 다채로운 기능을 간과하고 추상적이며, 이성적인 눈으로 사물을 판단하고 공간을 조직함으로써 눈이 사물을 더듬는 기능에 대해서는 간과하였다. 최근에는 시각의 이분법적 지각체계를 넘어서 복합지각에 의해 다른 감각과의 소통을 통한 다양한 경험을 유도하고 있다. 촉지적 지각은 시각뿐만 아니라 다양한 감각과의 상호작용을 통해 주체로 하여금 신체를 동반한 체험을 유도하며, 물성이 가지고 있는 특질과 인간의 다양한 감각적 자극을 꾀하는 역동적인 시각이다. 본 논문은 주체의 능동적 체험을 유도하는 촉지적 지각의 이론적 배경을 고찰하여 촉지적 지각의 주요한 특징을 도출하고 촉지적 지각의 특징이 픽처레스크 정원에서 어떠한 방식으로 나타나는지를 살펴보고자 한다. 촉지적 지각의 주요한 특징을 고찰하기 위해 철학과 미학사에서 아돌프 힐데브란트의 시각론이 알로이스 리글과 빌헬름 보링거, 발터 벤야민, 모르스 메를로 퐁티, 질 들뢰즈에 의해 각각 어떻게 발전, 확장, 재해석되는지를 탐구한다. 이로서 촉지적 지각과 시각적 지각 방식의 주요차이점을 분석하고 촉지적 지각이 가지는 특성을 도출한다. 이후, 촉지적 지각의 특성이 픽처레스크 정원에 어떻게 나타나는지 고찰하기 위해 고전적 정원을 시각적 지각으로 픽처레스크 정원을 촉지적 지각으로 각각 설정하여 분석하고 앞서 도출된 촉지적 지각의 특성을 픽처레스크 정원에 투영하여 고찰한다. 본 연구를 통해 도출된 픽처레스크 정원에 나타난 촉지적 지각에 대한 연구결과는 다음과 같다. 시각적 지각과 대별되는 촉지적 지각의 주요차이점은 경계의 모호함과 애매함, 동적시점의 생성, 불확정적 동선에 의한 운동성 유발, 지각 불가능성에 의한 낯설음과 숭고미로 요약할 수 있다. 픽처레스크 정원에서 경계의 모호함과 애매함은 평면의 불규칙함과 비대칭 요소, 단일시점의 거부로 나타나며, 동적시점의 생성은 서사적 구조의 도입과 회화의 장면구성기법을 재현하면서 기존 정원에 없는 전경, 중경, 원경 요소를 만들면서 공간을 중첩시킴으로써 생성된다. 불확정적 동선에 의한 운동성 유발은 분기하는 동선에 의해 형성되며, 지각 불가능성에 의한 낯설음과 숭고미는 정원에서 다양한 요소의 활용과 '거칠음'과 '불규칙함', '폐허'의 도입으로 나타난다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.154-155
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• 2012

The promise of nano-crystalites (nc) as a technological material, for applications including display backplane, and solar cells, may ultimately depend on tailoring their behavior through doping and crystallinity. Impurities can strongly modify electronic and optical properties of bulk and nc semiconductors. Highly doped dopant also effect structural properties (both grain size, crystal fraction) of nc-Si thin film. As discussed in several literatures, P atoms or radicals have the tendency to reside on the surface of nc. The P-radical segregation on the nano-grain surfaces that called self-purification may reduce the possibility of new nucleation because of the five-coordination of P. In addition, the P doping levels of ${\sim}2{\times}10^{21}\;at/cm^3$ is the solubility limitation of P in Si; the solubility of nc thin film should be smaller. Therefore, the non-activated P tends to segregate on the grain boundaries and the surface of nc. These mechanisms could prevent new nucleation on the existing grain surface. Therefore, most researches shown that highly doped nc-thin film by using conventional PECVD deposition system tended to have low crystallinity, where the formation energy of nucleation should be higher than the nc surface in the intrinsic materials. If the deposition technology that can make highly doped and simultaneously highly crystallized nc at low temperature, it can lead processes of next generation flexible devices. Recently, we are developing a novel CVD technology with a neutral particle beam (NPB) source, named as neutral beam assisted CVD (NBaCVD), which controls the energy of incident neutral particles in the range of 1~300eV in order to enhance the atomic activation and crystalline of thin films at low temperatures. During the formation of the nc-/pm-Si thin films by the NBaCVD with various process conditions, NPB energy directly controlled by the reflector bias and effectively increased crystal fraction (~80%) by uniformly distributed nc grains with 3~10 nm size. In the case of phosphorous doped Si thin films, the doping efficiency also increased as increasing the reflector bias (i.e. increasing NPB energy). At 330V of reflector bias, activation energy of the doped nc-Si thin film reduced as low as 0.001 eV. This means dopants are fully occupied as substitutional site, even though the Si thin film has nano-sized grain structure. And activated dopant concentration is recorded as high as up to 1020 #/$cm^3$ at very low process temperature (＜ $80^{\circ}C$) process without any post annealing. Theoretical solubility for the higher dopant concentration in Si thin film for order of 1020 #/$cm^3$ can be done only high temperature process or post annealing over $650^{\circ}C$. In general, as decreasing the grain size, the dopant binding energy increases as ratio of 1 of diameter of grain and the dopant hardly be activated. The highly doped nc-Si thin film by low-temperature NBaCVD process had smaller average grain size under 10 nm (measured by GIWAXS, GISAXS and TEM analysis), but achieved very higher activation of phosphorous dopant; NB energy sufficiently transports its energy to doping and crystallization even though without supplying additional thermal energy. TEM image shows that incubation layer does not formed between nc-Si film and SiO2 under later and highly crystallized nc-Si film is constructed with uniformly distributed nano-grains in polymorphous tissues. The nucleation should be start at the first layer on the SiO2 later, but it hardly growth to be cone-shaped micro-size grains. The nc-grain evenly embedded pm-Si thin film can be formatted by competition of the nucleation and the crystal growing, which depend on the NPB energies. In the evaluation of the light soaking degradation of photoconductivity, while conventional intrinsic and n-type doped a-Si thin films appeared typical degradation of photoconductivity, all of the nc-Si thin films processed by the NBaCVD show only a few % of degradation of it. From FTIR and RAMAN spectra, the energetic hydrogen NB atoms passivate nano-grain boundaries during the NBaCVD process because of the high diffusivity and chemical potential of hydrogen atoms.

• 한국식품과학회지
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• 제33권4호
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• pp.401-408
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• 2001

몰약 에탄올 추출물은 50 ppm에서, 몰약 헥산 분획물의 경우 25 ppm 첨가 수준에서 Listeria monocytogenes 5 균주에 대해 72시간까지 완전 증식 억제 효과가 있었다. 몰약 헥산 분획물의 항균활성 물질을 분리, 정제하여 얻은 C3-3-2 소획분의 경우는 최소증식저해농도가 10 ppm이었다. 항균활성이 인정된 C3-3-2 소획분의 항균력을 생균수로 측정하였을 때 초기 접종 균수 보다 $5{\sim}6\;log\;cycle$ 정도 감소하는 것을 확인하여 C3-3-2 소획분에 강력한 살균효과가 있음이 입증되었다. 몰약 헥산 분획물은 Bacillus cereus와 Staphylococcus aureus에 대해서 25 ppm, Salmonella enteritidis에 대해서는 50 ppm, Vibrio parahaemolyticus에 대해서는 500 ppm을 액체 배지에 첨가할 때 72시간 동안 완전 증식억제 효과를 나타내었다. 몰약의 항균활성 물질은 m-nonylphenol로 동정되었다. 액체배양법에서 Bioscreen C를 이용하여 optical density를 측정하여 그 항균활성을 확인하였고, 표준한천배양법으로 살균효과를 확인하였던 몰약 단일물질(C3-3-2) 100 ppm을 식품에 적용하였다. 쇠고기와 명태육 마쇄물에 몰약 항균활성 물질을 첨가하여 $32^{\circ}C$와 $5^{\circ}C$에서 저장실험을 실시한 결과, $32^{\circ}C$ 저장온도에서는 쇠고기와 명태육에 첨가한 몰약 C3-3-2 획분의 항균효과는 나타내지 못함을 알 수 있었고, $5^{\circ}C$ 저장온도에서는 쇠고기와 명태육에 첨가된 몰약 C3-3-2 획분은 항균효과가 있었다. 그 중에서도 쇠고기에 처리된 몰약 C3-3-2 획분의 항균효과가 더 우수하였다. 그러나 몰약 C3-3-2 획분의 항균효과가 배양액 상태보다 감소하였는데, 이 결과를 통하여 천연 항균활성 물질을 식품에 적용할 때 그 효과가 감소하는 이유와 그 해결방법에 대한 연구가 필요한 것으로 판단된다.

• 대한치과보철학회지
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• 제48권4호
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• pp.287-293
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• 2010

연구 목적: 본 연구는 연마 술식에 따른 polymethyl methacrylate (PMMA)의 표면 거칠기의 차이를 비교하고, 광중합 광택제가 PMMA의 표면 거칠기에 주는 영향과 이후 칫솔질에 의한 거칠기의 변화를 알아보는데 그 목적이 있다. 연구 재료 및 방법: 총 60개의 $10{\times}10{\times}5\;mm$ 크기의PMMA 시편을 만들었다. 중합 방법 (압력 하 중합과 대기압 하 중합)과 표면 연마 방법 (기계적 연마와 화학적 연마)에 따라 대조군을 포함하여 각 10개씩 총 6군으로 나누었다. 기계적 연마는 카바이드 덴처버로 표면 마무리 한 후, 러버 포인트와 퍼미스를 이용하여 하였으며, 화학적 연마는 표면 마무리 후 광중합 광택제 ($Plaquit^{(R)}$; Dreve-Dentamid GMBH)를 도포하여 실시 하였다. 연마가 완료된 후 비 접촉식 3차원적 표면 형상 분석장치인 Accura $2000^{(R)}$으로 표면거칠기를 측정하였으며, 그 3차원적 영상을 얻었다. 그 후 칫솔질에 의한 마모의 영향을 평가하기 위해 초음파 전동 칫솔을 이용하여 각 시편당 칫솔질을 행하고 다시 Accura $2000^{(R)}$에 의한 표면 분석을 시행하였으며, 거칠기의 정도는 Ra 값으로 표시하였다. 연마 후와 칫솔질 후의 표면 거칠기를 비교하기 위한 통계적 분석은 Mann-Whitney test와 t-test를 이용하여 95% 유의수준에서 실시하였다. 결과: 화학적 연마군은 기계적 연마군에 비해 통계적으로 유의한 작은 평균 표면 거칠기 값을 보였으며 (P = .0045), 일반 대기압 하에서 중합시킨 군에서 그 차이가 더 크게 나타났다 (P = .0138). 초음파 전동 칫솔에 의한 모의 칫솔질 후 표면 거칠기는 기계적 연마군을 제외한 모든 군에서 크게 증가하였으며, 칫솔질 후의 표면 거칠기는 각 군에서 통계적으로 유의한 차이를 보이지 않았다. 결론: 비록 칫솔질에 의한 마모의 영향으로 표면 거칠기가 증가하기는 하지만, 화학적 연마가 기계적 연마에 비해 우수한 표면 거칠기를 보인다고 할 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권6호
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• pp.229-236
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• 2014

수평 전기로에서 $MnAl_2S_4$ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 $MnAl_2S_4$ 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장시켰다. $MnAl_2S_4$ 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 $630^{\circ}C$, 기판의 온도 $410^{\circ}C$였고 성장 속도는 $0.5{\mu}m/hr$였다. 이때 $MnAl_2S_4$ 단결정 박막의 결정성의 조사에서 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 132 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. $MnAl_2S_4$/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수를 293 K에서 10 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap $E_g(T)$는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 $E_g(T)=3.7920eV-(5.2729{\times}10^{-4}eV/K)T^2/(T+786K)$였다. $MnAl_2S_4$ 단결정 박막의 응용소자인 photocell로 사용할 수 있는 pc/dc 값이 가장 큰 광전도셀은 S 증기분위기에서 열처리한 셀로 $1.10{\times}10^7$이었으며, 광전도 셀의 감도(sensitivity)도 S 증기분위기에서 열처리한 셀이 0.93로 가장 좋았다. 또한 최대 허용소비전력(MAPD)값도 S 증기분위기에서 열처리한 셀이 316 mW로 가장 좋았으며, S 증기분위기에서 열처리한 셀의 응답시간은 오름시간 14.8 ms, 내림시간 12.1 ms로 가장 빠르게 나타나, $MnAl_2S_4$ 단결정 박막을 S 분위기에서 $290^{\circ}C$로 30분 열처리한 photocell이 상용화가 가능할 것으로 여겨진다.