Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.2
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pp.162-165
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2011
In this paper, $CuInSe_2$ thin film was prepared by use of the co-evaporation method with the variation of the substrate temperature in the range of $100^{\circ}C$ to $400^{\circ}C$. The film was annealed at $300^{\circ}C$ for an hour in a vacuum chamber at $3{\times}10-4$ Pa. After annealing, the thin film prepared at the substrate temperatures of $100^{\circ}C$ and $200^{\circ}C$ was observed. The XRD (x-ray diffraction) pattern of sample prepared at $100^{\circ}C$ showed the single phase formation of $CuInSe_2$. However, at $200^{\circ}C$, there was no apparent difference in the XRD pattern except a variation in the intensity of the peak. As the annealing treatment of substrate improved the crystal structure of the film, it affected to the increase of an electron mobility, resulted in an increase in conductivity and a decrease in resistance. As a results, when the substrate temperature was at $200^{\circ}C$ and $300^{\circ}C$, the sheet resistance was 1.534 $\Omega/\Box$ and 1.554 $\Omega/\Box$, respectively, and the resistivity was $1.76{\times}10-6\;{\Omega}{\cdot}cm$ and $1.7210-6\;{\Omega}{\cdot}cm$, respectively. From the absorption spectrum measurements, there was no variation between the before and after annealing conductions. And it means that the annealing step does not affect the thickness of the thin film.
Journal of the Earthquake Engineering Society of Korea
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v.3
no.2
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pp.9-18
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1999
The seismic over-strength factor Ω is evaluated for 4-story reinforced concrete buildings in Korea, which has low seismic intensity. For this study, the seismic load suggested in' Aseismic guideline research- phase ll' (in Korea) is used. When 3D study-models are designed, span length and bay number are varied and accidental torsional moment is considered. And the models are analyzed by push-over analysis, in which external and internal frame are connected by rigid-link. As a result of numerical experiments, Ω is increased as the bay number or span length is increased. Because, by the including of accidental torsional moment in designing process, the increased ratio of strength of external columns is larger than the increased ratio of span length or bay number. And this makes the failure mode of model closer or strong-column and weak-beam mechanism.
Novel acidic ionic liquids, 1-(${\omega}$-sulfonicacid)propyl-3-methylimidazolium bromide ([$HSO_3$pmim]Br)and 1-(${\omega}$-sulfonicacid)butyl-3-methylimidazolium bromide ([$HSO_3$bmim]Br), were prepared and used as brominating agents, catalysts and solvents in the synthesis of 1,7-dibromoheptane, respectively. 1,7-dibromoheptan with a yield of 95% was obtained at $100^{\circ}C$ for 2 h by simple phase separation. The acidic ionic liquid [$HSO_3$pmim]Br was recycled for 5 times and the yield of 1,7-dibromoheptane did not decrease remarkably, which indicates that catalysts still maintain good selectivity and activity after recycling. The structure of the acidic ionic liquid [$HSO_3$pmim]Br was characterized with IR, and it was found that [$HSO_3$pmim]Br had stronger acidity than other ionic liquid.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.7
no.8
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pp.1591-1597
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2003
In this paper, Active Resonator Oscillator using active inductor and active capacitor with HEMTs(agilent ATF34143) is designed and fabricated. Active inductor with 25$\Omega$ and 2.4nH in 5.5GHz frequency band and Active capacitor with 14$\Omega$ and 0.35pF is designed. Active Resonator Oscillator for LO in ISM band(5.8GHz) is designed with active inductor and active capacitor. Active Resonator Oscillator has been simulated by Agilent ADS 2002C. Active Resonator oscillator implemented on the substrate which has the relative dielectric constant of 3.38, the height of 0.508mm, and metal thickness of 0.018mm. This Active Resonator Oscillator shows the oscillation frequency of 5.68GHz with the output power of 3.6㏈m and phase noise of 81㏈c/Hz at the offset frequency of 100KHz.
Journal of the Korean Society of Fisheries and Ocean Technology
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v.17
no.2
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pp.59-63
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1981
For the purpose of surveying accuracy of the position fix and local fluctuation of Omega signals in south coast of Korea, the author observe continuously the phase difference of the A-C pair and A-E pair form December 1, 1980, to February 28, 1981, at Cheju(33$^{\circ}$31'.0N, 126$^{\circ}$31.9E) and Busan(35$^{\circ}$7'.9 N, 129$^{\circ}$6'. 3 E). The analyzed results are as follows: 1. Omega signals at Cheju and Busan are positive correlation. Mean value of coefficients during all measured time is 0.70 with A-C pair and 0.75 with A-E pair. 2. Range of mean value of difference between the measured PPC at Cheju and Busan is 17.7~21.3 cels with A-C pair and -2.9~2.0 cels with A-E pair. 3. In case of using the differential Omega at Cheju and Busan, mean value of total errors of the position fix is 1.52 miles and its standard deviation is 0.21 miles.
The mixtures of ultra-high molecular weight polythylene (UHMWPE), high density polyethylene (HDPE), process oil (mineral oil) and potassium hexatitanate whisker were melted and mixed at $150^{\circ}C$ for 30min, and prepared by compression molding to the specimen of separator of about $200{\mu}m$ thickness at the same temperature and 5000 psi. Thereafter the pores were formed by extracting process oil with organic solvents. In this study, the range of PR (the ratio polymer to process oil) was varied from 0.1 to 0.5 because the specimen turned into rubbery phase at which PR was below 0.1 whereas it changed into gel phase at which PR was above 0.5. When the specimen was treated with nonpolar organic solvents, process oil was extracted nearly 98%. Tensile strength was $31kg/cm^2$ at PR = 0.426, and resistance of specimen was $37m{\Omega}/cm^2$ at PR = 0.186, and $53m{\Omega}/cm^2$ at PR = 0.426. The $N_2$ adsorption-desorption isotherm showed a hysteresis representing regions of capillary condensation, and the surface area at PR = 0.186 was relatively large as $130cm^2/g$. Potassium hexatitanate whisker was randomly dispersed in between PE layers. It might be that the whisker is intercalated through the PE thin layers oriented by compression.
Objective: The purpose of this study was to investigate the viscoelastic properties related to handling characteristics of composite resins, Methods: A custom designed vertical oscillation rheometer (VOR) was used for rheological measurements of composites. The VOR consists of three parts: (1) a measuring unit, (2) a deformation induction unit and (3) a force detecting unit, Two medium viscous composites, Z100 and Z250 and two packable composites, P60 and SureFil were tested. The viscoelastic material function, including complex modulus $E^{*}$ and phase angle ${\delta}$, were measured. A dynamic oscillatory test was used to evaluate the storage modulus (E'), loss modulus (E") and loss tangent ($tan{\delta}$) of the composites as a function of frequency ($\omega$) from 0.1 to 20 Hz at $23^{\circ}C$. Results: The E' and E" increased with increasing frequency and showed differences in magnitude between brands. The $E^{*}s$ of composites at ${\omega}{\;}={\;}2{\;}Hz$, normalized to that of Z100, were 2.16 (Z250), 4,80 (P60) and 25.21 (SureFil). The magnitudes and patterns of the change of $tan{\delta}$ of composites with increasing frequency were significantly different between brands. The relationships between the complex modulus $E^{*}$, the phase angle ${\delta}$ and the frequency \omega were represented by frequency domain phasor form, $E^{*}{\;}(\omega){\;}={\;}E^{*}e^{i{\delta}}{\;}={\;}E^{*}{\angle}{\delta}$. Conclusions: The viscoelasticity of composites that influences handling characteristics is significant different between brands, The VOR is a relatively simple device for dynamic, mechanical analysis of high viscous dental composites. The locus of frequency domain phasor plots in a complex plane is a valuable method of representing the viscoelastic properties of composites.
The transport and optical properties of $In_2O_3$:Zn(IZO) thin films grown by DC magnetron sputtering deposition have been studied. The deposition temperatures ($T_s$) were varied from room temperature to $400^{\circ}C$ in $50^{\circ}C$ steps. The IZO films are an amorphous phase for $T_s$<$300^{\circ}C$ and polycrystalline phase for $350^{\circ}C$<$T_s$. In contrast to ordinary films, amorphous IZO films have lower resistivity and higher optical transmittance than polycrystalline IZO films. The resistivity of amorphous IZO was in the range of 0.29~0.4 m$\Omega$cm and that of polycrystalline IZO was in the range of 1~4 m$\Omega$cm. The carrier type for IZO film was found to be n-type, and the carrier density, was $3~5{\times}10^{20}/cm^3$. The Hall mobility, $({\mu}_H)$, was 20~$50\textrm{cm}^2$/V.sec. The predominant scattering mechanisms in both amorphous and polycrystalline IZO films were believed to be ionized impurity scattering and lattice scattering. The visible transmittance of the IZO films, which decreases with an increase of TS, was above 80%.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.27
no.8
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pp.510-515
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2014
Thin films of cubic $Na_{0.6}WO_3$, which is one of the sodium tungsten bronze, were fabricated by rf sputtering for the electrode applications in integrated sensors and actuators. A single-phase cubic $Na_{0.6}WO_3$ sputtering target of power type was prepared by conventional solid-state reaction. Thin films were deposited from the powder target, and the as-deposited films were amorphous, thus they annealed by tube furnace or RTP for crystallization. Thin films having cubic phase $Na_xWO_3$ were fabricated by the optimization of sputtering and post-annealing conditions, but single-phase cubic $Na_{0.6}WO_3$ thin films were not obtained. Although the films were not in single phase, they had good electrical conduction properties showing electrical resistivities of $10-4{\Omega}{\cdot}cm$ order.
Park, Sung-Jin;Kim, In-Soo;Kim, Sang-Kyun;Choi, Se-Young
Korean Journal of Materials Research
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v.18
no.2
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pp.61-64
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2008
Electrical optical switching and structural transformation of $Ge_{15}Sb_{85}$, $Sb_{65}Se_{35}$ and N2.0 sccm doped $Sb_{83}Si_{17}$ were studied to investigate the phase change characteristics for PRAM application. Sb-based materials were deposited by a RF magnetron co-sputtering system and the phase change characteristics were analyzed using an X-ray diffractometer (XRD), a static tester and a four-point probe. Doping Ge, Se or Si atoms reinforced the amorphous stability of the Sb-based materials, which affected the switching characteristics. The crystallization temperature of the Sb-based materials increased as the concentration of the Ge, Se or Si increased. The minimum time of $Ge_{15}Sb_{85}$, $Sb_{65}Se_{35}$ and N2.0 sccm doped $Sb_{83}Si_{17}$ for crystallization was 120, 50 and 90 ns at 12 mW, respectively. $Sb_{65}Se_{35}$ was crystallized at $170^{\circ}C$. In addition, the difference in the sheet resistances between amorphous and crystalline states was higher than $10^4{\Omega}/{\gamma}$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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