• 제목/요약/키워드: Off-Body Channel

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WBAN Off-Body 채널에서 안테나 편파의 영향 분석 (Experimental Study on the Effect of Antenna Polarization in WBAN Off-Body Channel)

  • 전재성;안병직;김선우;최재훈
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제24권2호
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    • pp.144-151
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    • 2013
  • 본 논문에서는 무선 인체 통신 중 off-body 채널에서 안테나 편파의 변화에 대한 영향을 알아보기 위한 실험을 수행하였다. 실험은 두 수신 안테나의 편파 조합에 따라 총 4가지로 나누었으며, Line-of-Sight(LOS)와 Non-LOS(NLOS)에 따른 영향도 조사하였다. 그리고 인체의 움직임으로 인하여 생기는 안테나 편파의 변화가 신호에 어떠한 영향을 미치는지 알아보기 위해, 인체를 정지한 상태와 움직이는 상태로 나누어 신호 세기를 측정하여 비교하였다. 본 논문의 결과를 통해 수신 안테나의 편파 및 두 수신 안테나의 편파 조합에 따른 성능을 확인하였다.

Analysis of Absorption Loss by a Human Body in On-to-Off Body Communication at 2.45 GHz

  • Jeon, Jaesung;Lee, Sangwoo;Choi, Jaehoon;Kim, Sunwoo
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제15권2호
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    • pp.97-103
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    • 2015
  • This paper investigates the effect of absorption loss by a human body to the received signal strength with respect to on-body transmitting antenna positions in on-to-off wireless body area networks. This investigation is based on measurement results obtained from experiments performed on human bodies (male and female) using planar inverted-F antennas in an anechoic chamber. The total absorption loss by the human body is also presented through the SEMCAD-X simulations. Our investigation showed that the received signal strength becomes lower when the transmitting antenna is mounted at a specific position where more absorption loss is experienced. The statistical analyses of on-to-off body channel characteristics based on the measurement results are presented.

Buried Channel 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 설계 및 제작 (Design and Fabrication of Buried Channel Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor)

  • 박철민;강지훈;유준석;한민구
    • 전자공학회논문지D
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    • 제35D권12호
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    • pp.53-58
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    • 1998
  • 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 회로의 성능 향상을 위하여 새로운 구조의 4-terminal buried channel poly-Si TFT(BCTFT)를 설계하고 제작하였다. BCTFT는 moderate 도핑이 된 buried channel을 이용하므로 기존의 다결정 실리콘 TFT보다 ON-전류와 전계 효과 이동도가 n-형과 p-형 소자 각각 5배와 10배 향상되었다. BCTFT는 moderate 도핑된 buried 채널과 counter 도핑된 body 사이의 junction 공핍에 의하여 캐리어의 이동이 억제 되므로 OFF-전류가 증가하지 않았다.

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WBAN 채널 특성과 전송 효율 분석 (Channel Characterization and Transmission Efficiency Analysis of Wireless Body Area Network)

  • 안병직;송성무;김선우;최재훈
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권8호
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    • pp.985-994
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    • 2012
  • 본 논문에서는 wireless body area network(WBAN) 채널을 분석하기 위해 실제 채널을 측정하고, 그것의 통계적 특성들을 조사하였다. On-/off-body 채널에서, 인체의 움직임을 고려하기 위해 대표적인 움직임들을 같이 측정하여 그 분석 결과들을 비교하였다. 또한, 세 종류의 신호 전송 기법을 제한된 Outage 확률을 가질 때 최소 소비 전력을 분석하여, 이론적인 총 전력 소비를 계산하였다. 그리고 채널 측정 데이터들을 통해 이론과 실제의 차이를 분석하였다. 본 논문의 결과로 협력 통신을 통하여 전송 효율을 높일 수 있음을 알 수 있으며, 센서 노드의 부착 위치와 움직임이 신호 전송 전력에 어떠한 영향을 미치는지 확인할 수 있다.

WBAN에서 신체 외 고속통신을 위한 UWB 전송 방식의 링크버짓 및 성능 분석 (Link Budget and Performance Analysis of UWB Transmission Method for Off-body HDR Communication in WBAN System)

  • 최낙현;황재호;장성진;김재명
    • 한국ITS학회 논문지
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    • 제8권1호
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    • pp.53-64
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    • 2009
  • 최근 유비쿼터스 사회를 현실화하기 위해서 IT 기술을 차량 산업에 적용하여 인체 영역에서의 무선 통신이 어디에서나 가능하도록 하는 방법에 대한 연구가 이슈화 되고 있다. 본 논문에서는 WBAN 기술의 인체외부 고속 통신을 위한 물리층 심벌 구조를 IEEE 802.15.4a 시스템 구조의 PPM 방식을 바탕으로 제안한다. 총 4가지 방식을 제안하며 채널 부호의 사용 유무, 연집신호에 들어가는 칩의 수에 따라 각 시스템을 구별하였다. 링크예산 계산을 통하여 요구되는 SNR을 구하였으며, 최근에 제안된 인체외부 WBAN 채널 환경을 적용하여 시뮬레이션을 하였다. 4가지 시스템의 성능 확인을 통하여 채널 부호를 사용하지 않고 적은 칩수의 연집신호를 사용하는 것이 성능향상에 영향을 미치는 것을 확인하였으며 요구되는 10 Mbps 이상의 전송률을 만족하였다.

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Short-Channel Intrinsic-Body SDG SOI MOSFET의 문턱전압 도출을 위한 해석적 모델 (An Analytical Model for Deriving The Threshold Voltage of A Short-channel Intrinsic-body SDG SOI MOSFET)

  • 장은성;오영해;서정하
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제46권11호
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    • pp.1-7
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    • 2009
  • 본 논문에서는 short-channel intrinsic-body SDG SOI MOSFET의 문턱전압 도출을 위한 간단한 해석적 모델을 제시하였다. Intrinsic silicon 채널 영역 및 gate oxide 내에서의 2차원 Laplace 방정식을 반복법(iteration method)으로 풀어 각 영역 내에서의 전위 분포를 채널에 수직한 방향의 좌표에 대해 4차 및 5차 다항식으로 표현하였으며 이로부터 표면전위를 도출하였다. 표면전위의 최소치가 0이 되는 게이트 전압을 문턱전압으로 제안하여 closed-form의 문턱전압 식을 도출하였다. 도출된 문턱전압 표현식을 모의 실험한 결과, 소자의 parameter와 가해진 bias 전압에 대한 정확한 의존성을 확인할 수 있었다.

WBAN 환경에서 Co-channel 간섭 제거를 위한 연구 (A Study for Co-channel Interference Mitigation in WBAN System)

  • 최원석;김정곤
    • 재활복지공학회논문지
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    • 제5권1호
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    • pp.35-40
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    • 2011
  • 본 논문은 2.4Ghz 대역을 사용하는 WBAN (Wireless Body Area Network) 환경에서 동일 채널을 사용하는 경우에 발생하는 간섭을 제거하기 위한 방법을 MMSE (Minimum Mean Square Error), OC (Optimal Combining), ML (Maximum Likelihood) 을 비교 분석하였으며, 또한 IEEE 802.15.6에서 정의된 시나리오 및 채널 모델에 대해서 분석하였다. 모의 실험결과 ML 알고리즘이 가장 우수한 성능을 나타내는 것을 알 수 있었다. 하지만 ML 과 OC 의 경우 간섭채널의 정보를 알아야 하기 때문에 MMSE 에 비해 복잡도가 크다는 단점이 있다. 그래서 WBAN 환경에 적용하는데 어려움이 있다. 따라서 복잡도와 성능사이에 적당한 trade-off 를 만족하는 간섭제거 알고리즘을 연구해야 할 것이다.

인체 움직임과 안테나 위치가 WBAN 채널 용량에 미치는 영향 분석 (Effect of Body Movement and Position of Antenna on the Capacity of WBAN Channel)

  • 안춘수;안병직;김선우;최재훈
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권2호
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    • pp.229-234
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    • 2012
  • 본 논문에서는 wireless body area network(WBAN)에서의 채널 성능을 측정하고 분석하였다. 실험은 무반향실에서 다양한 인체 움직임과 송신 안테나 위치에 따라서 2.45 GHz ISM 대역 채널을 측정함으로써 이루어졌다. $2{\times}1$ 다중 입력 다중 출력 시스템의 다이버시티 이득과 상관 관계를 비교하기 위하여 두 송신 안테나를 인체의 서로 다른 위치에 부착하였다. 본 논문에서의 실험 결과는 송신 다이버시티 시스템의 outage 채널 용량은 두채널 간의 상관 관계와 깊은 관련이 있음을 보여준다.

Chirp spread spectrum 변조를 이용한 인체 내외 통신 기법 (Human Body Communication Using Chirp Spread Spectrum Modulation)

  • 김경철;전명운;김기현;이정우;남상욱
    • 한국통신학회논문지
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    • 제35권5A호
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    • pp.440-446
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    • 2010
  • 다양한 분야에서 IT와 BT의 융합이 논의되고 있으며 의료 산업에서 캡슐 내시경의 개발은 인체를 매개로 무선 통신을 한다는 점에서 그 예라 할 수 있을 것이다. 하지만 인체 채널에서의 통신은 송신 전력의 제한이 엄격할 수 밖에 없으며, 아직 채널 특성에 대한 활발한 연구도 이루어지지 않아서 그 채널을 추정하기가 매우 어렵다. 따라서 정확한 채널 추정이 필요한 일반적인 부호화 / 복호화 기법을 사용할 수 없으며, 기존 통신망에서 유입되는 간섭 신호에 취약할 수 밖에 없다. 본 논문에서는 채널 추정이 필요 없으면서도, 주위 간섭 신호의 영향에 강인한 Chirp Spread Spectrum Differential Binary Phase Shift Keying(CSS-DBPSK) 기법을 소개하고, Chirp Spread Spectrum On-Off Keying (CSS-OOK) 기법을 제안한다. CSS-DBPSK, CSS-OOK를 이용하면 일반 OOK에 비하여 target BER (Bit Error Rate) 10-5)을 위한 Eb/N0을 약 5dB, 2dB 낮출 수 있으며 간섭 신호에 대한 성능 저하도 막을 수 있다.

Growld Plane SOI MOSFET의 단채널 현상 개선 (Reduction of short channel Effects in Ground Plane SOI MOSFET′s)

  • 장성준;윤세레나;유종근;박종태
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권4호
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    • pp.9-14
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    • 2004
  • 매몰 산화층 밑의 실리콘 기판에 자기정렬 방법으로 ground plane 전극을 만든 SOI MOSFET의 단채널 현상과 Punchthrough 특성을 측정·분석하였다. 채널 길이가 $0.2{\mu}m$ 이하의 소자에서는 GP-SOI 소자가 FD-SOI 소자보다 채널 길이에 따른 문턱전압 저하 및 subthreshold swing이 작고 DIBL 현상이 크게 개선됨을 알 수 있었다. 기판전압에 따른 문턱전압 특성으로부터 GP-SOI 소자의 body factor가 FD-SOI 소자보다 큰 것을 알 수 있었다. 그리고 punchthrough 전압 특성으로부터 GP-SOI 소자의 punchthrough 전압이 FD-SOI 소자보다 큰 것을 알 수 있었다.