In this paper, a plasma-assisted patterning method for the organic layers of organic light-emitting diodes (OLEDs) and its effect on the OLED performances are reported. Oxygen plasma was used to etch the organic layers, using the top electrode consisting of lithium fluoride and aluminum as an etching mask. Although the current flow at low voltages increased for the etched OLEDs, there was no significant degradation of the OLED efficiency and lifetime in comparison with the conventional OLEDs. Therefore, this method can be used to reduce the ohmic voltage drop along the common top electrodes by connecting the top electrode with highly conductive bus lines after the common organic layers on the bus lines are etched by plasma. To further analyze the current increase at low voltages, the plasma patterning effect on the OLED performance was investigated by changing the device sizes, especially in one direction, and by changing the etching depth in the vertical direction of the device. It was found that the current flow increase at low voltages was not proportional to the device sizes, indicating that the current flow increase does not come from the leakage current along the etched sides. In the etching depth experiment, the current flow at low voltages did not increase when the etching process was stopped in the middle of the hole transport layer. This means that the current flow increase at low voltages is closely related to the modification of the hole injection layer, and thus, to the modification of the interface between the hole injection layer and the bottom electrode.
Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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v.10
no.2
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pp.76-81
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2005
This research approached electrical characteristics of organic light emitting diodes getting into the spotlight by next generation display device. Basic mechanism of OLED's emitting is known as that electron by cathode of lower work function and hole by anode of higher work function are driven and recombine exciton-state being flowed in emitting material layer passing carrier transport layer In order to make many electron-hole pairs, we must manufacture device in multi-layer structure. There are Carrier Injection Layer(CIL), Carrier Transport Layer(CTL) and Emitting Material Layer(EML) in multi-layer structure. It is important that regulate thickness of layer for high luminescence efficiency and set mobility of hole and electron.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.449-449
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2010
유기발광소자(organic light-emitting diodes, OLEDs)는 저공정비용, 경량화, 가용성 및 대면적화 등의 장점으로 조명 분야와 디스플레이 분야로의 응용 가능성으로 인해 크게 주목을 받아 왔다. 이러한 OLED 소자의 고효율, 고휘도 및 저소비전력 등을 구현하기 위해서는 전극으로부터 전하 주입 층으로 효율적인 전하 주입이 요구된다. 즉, 각 전극의 폐르미 준위로부터 전하 전도준위대로의 전하주입 장벽이 없어야 한다. 본 연구에서는 홀 주입장벽이 없는 정공주입 층으로 $MoO_x$(molybdenum oxide)가 도핑된 NPB(N, N'-diphenyl-N, N'-bis(1-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine) 층을 사용하여 hole-only 소자를 제작하고 전류-전압 특성을 통해 양극으로부터 홀주입 층으로의 hole-ohmic 특성을 고찰했다. 또한, 전자 주입장벽이 없는 전자주입 층으로 $C_{60}$(fullerene)/LiF(lithum fluoride)의 이종 층을 사용하여 electron-only 소자를 제작하고 음극으로부터 전자주입 층으로의 전자 ohmic 특성을 조사했다. 또한, 전극으로부터 전하주입 층으로 ohmic 특성을 더 자세히 이해하기 위하여 전하주입 층의 자외선 광방출 스펙트럼(ultraviolet photoemission spectra)을 조사했다. 한편, glass/ITO/$MoO_x$-doped NPB (x%: x=0,25, 50 및 75; 5nm)/NPB (63nm)/$Alq_3$ (37nm)/$C_{60}$ (5nm)/LiF (1nm)/Al (100nm)로 구성된 all-ohmic OLED 소자의 발광특성은 $MoO_x$의 도핑 농도가 25%이상일 때 최적의 특성을 보여줬다. 이러한 현상은 정공주입 층에서 p형 도핑 농도의 증가에 따른 정공 농도의 증가에 기인한다. 또한 $MoO_x$의 도핑 농도의 증가에 따라 정공주입 층의 new gap state와 전극의 페르미 준위의 pinning에 기인한다. 25%의 $MoO_x$을 가진 OLED소자는 7.2V의 낮은 전압에서 $58300 cd/m^2$의 높은 휘도를 보여줬다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.28
no.6
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pp.263-270
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2018
Recently, porous ceramic materials with anti-static performance are urgently needed for semiconductor and OLED/LCD display manufacturing industry. In this work, we fabricated porous titanium manganese oxide ceramics having the surface resistivity of $10^8-10^{10}$ ohm and enhanced mechanical strength by partial sintering method using nanosized titanium oxide. By addition of nano-sized titanium oxide in the matrix, neck formation between grains was strengthened, which remarkably increased flexural strength up to 170 MPa (@porosity: 15 %), 110 MPa (@porosity: 31 %), compared to 80 MPa (@porosity: 26 %) for pristine titanium manganese oxide ceramics. We evaluated the performances of our ceramics as air-floating module for OLED flexible display manufacturing devices.
Kim, Joo-Young;Kim, Soo-In;Lee, Kyu-Young;Kim, Hyeong-Keun;Jun, Jae-Hyeok;Jeong, Yun-Jong;Kim, Mu-Chan;Lee, Jong-Rim;Lee, Chang-Woo
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.21
no.1
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pp.12-16
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2012
Although silver is used for T-OLED (Top emitting organic Light-Emitting Diode) as reflective anode, it is not an ideal material due to its low work function. Thus, we study the effect of annealing and atmospheric pressure plasma treatment on Ag film that increases its work function by forming the thin silver oxide layer on its surface. In this study, we deposited silver on glass substrate using RF sputtering. Then we treated the Ag samples annealing at $300^{\circ}C$ for 30 minutes in atmosphere or treating the atmospheric plasma treatment for 30, 60, 90, 120s, respectively. We measured the change of the mechanical properties and the potential value of surface with each one at a different treatment type and time. We used nano-indenter system and KPFM (Kelvin Probe Force Microscopy). KPFM method can be measured the change of surface potential. The nanoindenter results showed that the plasma treatment samples for 30s, 120s had very low elastic modulus, hardness and Weibull modulus. However, annealed sample and plasma treated samples for 60s and 90s had better mechanical properties. Therefore, plasma treatment increases the uniformity thin film and the surface potential that is very effective for the performace of T-OLED.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.170-170
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2012
최근 주목받고 있는 amorphous InGaZnO (a-IGZO) thin film transistors (TFTs)는 수소가 첨가된 비정질 실리콘 TFT (a-Si;H)에 비해 비정질 상태에서도 높은 이동도와 뛰어난 전기적, 광학적 특성에 의해 큰 주목을 받고 있다. 또한 넓은 밴드갭에 의해 가시광 영역에서 투명한 특성을 보이고, 플라스틱 기판 위에서 구부러지는 성질에 의해 플랫 패널 디스플레이나 능동 유기 발광 소자 (AM-OLED), 투명 디스플레이에 응용되고 있다. 하지만, 실제 디스플레이가 동작하는 동안 스위칭 TFT는 백라이트 또는 외부에서 들어오는 빛에 지속적으로 노출되게 되고, 이 빛에 의해서 TFT 소자의 신뢰성에 악영향을 끼친다. 또한, 디스플레이가 장시간 동안 동작 하면 내부 온도가 상승하게 되고 이에 따른 온도에 의한 신뢰성 문제도 동시에 고려되어야 한다. 특히, 실제 AM-LCD에서 스위칭 TFT는 양의 게이트 전압보다 음의 게이트 전압에 의해서 약 500 배 가량 더 긴 시간의 스트레스를 받기 때문에 음의 게이트 전압에 대한 신뢰성 평가는 대단히 중요한 이슈이다. 스트레스에 의한 문턱 전압의 변화는 게이트 절연막과 반도체 채널 사이의 계면 또는 게이트 절연막의 벌크 트랩에 의한 것으로 게이트 절연막의 선택에 따라서 신뢰성을 효과적으로 개선시킬 수 있다. 본 연구에서는 적층된 $Si_3N_4/SiO_2$ (NO 구조) 이중층 구조를 게이트 절연막으로 사용하고, 완충층의 역할을 하는 $SiO_2$막의 두께에 따른 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 평가하였다. a-IGZO TFT 소자의 전기적 특성과 신뢰성 평가를 위하여 간단한 구조의 pseudo-MOS field effect transistor (${\Psi}$-MOSFET) 방법을 이용하였다. 제작된 소자의 최적화된 $SiO_2$ 완충층의 두께는 20 nm이고 $12.3cm^2/V{\cdot}s$의 유효 전계 이동도, 148 mV/dec의 subthreshold swing, $4.52{\times}10^{11}cm^{-2}$의 계면 트랩, negative bias illumination stress에서 1.23 V의 문턱 전압 변화율, negative bias temperature illumination stress에서 2.06 V의 문턱 전압 변화율을 보여 뛰어난 전기적, 신뢰성 특성을 확인하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.487-487
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2012
플라즈마 디스플레이 패널(PDP)은 공정 절차가 간단하고 가격 경쟁력이 매우 뛰어나 일찌감치 대형 평판 디스플레이 시장을 주도해 왔으며 빠른 응답 속도를 기반으로 한 생생한 화질의 구현으로 3D TV 시장에서도 꾸준한 사랑을 받고 있다. 향후 더 큰 화면을 요구하는 PID(Public Information Display) 시장에서도 PDP 는 두각을 나타낼 수 있을 것으로 보인다. 하지만 PDP 는 여전히 LCD, OLED 등의 디스플레이에 비해 발광 효율이 낮고 소비 전력이 높다는 단점을 가지고 있다. 또한 미국 환경청(EPA)과 에너지부(DOE)가 공동으로 마련한 전자 제품의 효율 등급제인 에너지 스타(Energy Star) 제도가 끊임없이 개편되면서 소비 전력에 대한 규제가 점차 강화되고 있기 때문에 발광 효율 및 소비 전력 특성의 개선은 현재 PDP 업계가 해결해야 할 가장 중요한 과제라고 할 수 있다. 발광 효율의 개선과 관련하여 최근에는 PDP의 보호막으로 널리 쓰이고 있는 MgO 보다 2차 전자 방출 계수가 높아 PDP의 구동 전압을 낮추는 동시에 휘도와 발광 효율 특성을 개선시킬 수 있는 신 보호막에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. MgO를 대체 가능한 신 보호막으로 언급되는 물질은 SrO 혹은 CaO 등이 대표적이다. 하지만 이러한 물질들은 공기 및 수분에 대한 용해도가 높기 때문에 증착된 막이 이후의 공정 과정(합착 및 가열 배기 등)에서 대기 중에 노출 될 경우 심하게 변질될 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 신 보호막 위에 기존의 MgO 보호막을 얇게 증착하여 공기로부터의 접촉을 차단하거나 펠렛을 제조하는 과정에서 MgO 에 신 보호막 물질을 소량만 첨가하는 등의 방법들이 제안되어 왔으며 그 결과 기존의 PDP 대비 구동 전압을 낮추고 발광 효율을 획기적으로 개선하는데 성공한 결과들이 지속적으로 보고되고 있다. 하지만 신 보호막이 공기 및 수분에 민감한 만큼, 고온의 공정으로 인해 PDP의 하판 유리로부터 상판에 증착된 박막으로 확산되는 불순물에 의해서도 오염되며 이 역시 신 보호막의 특성을 구현하는데 방해 요소로 작용한다. 본 연구에서는 PDP 하판의 불순물이 상판의 박막으로 확산되는 것을 방지하고자 하판 형광체 인쇄전 PECVD 증착법으로 확산 방지막을 1 가량 형성하였다. 이후 SIMS 분석을 통하여 하판 불순물의 확산이 효과적으로 차단됨을 확인하였고 신 보호막의 오염을 최소화하여 결과적으로 PDP의 구동 전압을 낮추고 효율을 획기적으로 개선하는데 기여할 수 있음을 확인하였다.
It is more salient in the high-tech industry to cooperate even among competitors in order to promptly respond to the changes in product architecture. In this sense, 'co-opetition,' which is the combination word between 'cooperation' and 'competition,' is the new business term in the strategic management and represents the two concepts "simultaneously co-exist." From this view, this study set up the research purposes as follows: 1) investigating the corporate managerial and technological behavioral characteristics in the co-opetition of the global display industry. 2) verifying the emerging factors during the co-opetition behavior hereafter. 3) suggesting the strategic direction focusing on the co-opetition behavioral characteristics. To this end, this study used co-word network analysis to understand the structure in context level of the co-opetition. In order to understand topics on each network, we clustered the keywords by community detection algorithm based on modularity and labeled the cluster name. The results show that there were increasing patterns of competition rather than cooperation. Especially, the litigations for mutual control against Korean firms much more severely occurred and increased as time passed by. Investigating these network structure in technological evolution perspective, there were already active cooperation and competition among firms in the early 2000s surrounding the issues of OLED-related technology developments. From the middle of the 2000s, firm behaviors have focused on the acceleration of the existing technologies and the development of futuristic display. In other words, there has been competition to take leadership of the innovation in the level of final products such as the TV and smartphone by applying the display panel products. This study will provide not only better understanding on the context of the display industry, but also the analytical framework for the direction of the predictable innovation through analyzing the managerial and technological factors. Also, the methods can support CTOs and practitioners in the technology planning who should consider those factors in the process of decision making related to the strategic technology management and product development.
In this paper we fabricated a test panel for AMOLED on glass and PET substrate. The test panel consisted of the various size of OTFTs and OLEDs and the current driving capability of OTFTs for OLEDs has been investigated. OTFTs were made of the inverted staggered structure and employed polyvinylphenol (PVP) as the gate insulator and pentacene thin film as the active layer. The OTFTs produced the filed effect mobility of 0.3$cm^2$/V.sec and on/off current ratio of $10^5$. OLEDs consisted of TPD for HTL and Alq3 for EML with 35nm thick, generating green monochrome light. We found that OTFT with channel length of 70${\mu}m$and channel width of over 3.5mm provided the sufficient current to OLED to generate the luminescence of 0.3Cd/$m^2$.
We have developed multi-layer passivation films of UV-polymerized film/inorganic composite film to improve the long lifetime of passivated OLEDs for very thin flat panel applications. Preliminary lifetime to half initial luminance ($L_{o}{\sim}\;3,000\;cd/m^2$) of order 300 Hr is achieved on the conventional encapsulated test pixel using a passive matrix drive at room temperature; 570 Hr lifetime is achieved on a de tested multi-layer passivated 9$mm^2$ test pixel.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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