• 한국식품영양학회지
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• 제6권3호
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• pp.199-207
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• 1993

In order to obtain a good microorganism capable of degrading microcrystaline cellulose (avicel), the screening test was carried out from soil and brown-rot wood. 8 strains which had good avicel-hydrolyzing activity were isolated. Among them, HK 47 which exhibited the highest avicel hydrolyzing activity was identified as Trichoderma sp. HK 47. Maximum avicel-hydrolyzing enzyme production from Trichoderma sp. HK 47 was obtained with the optimum medium contained carboxymethylcellulose 1.5% as carbon source, NaN030.75% as nitrogen source, KH2P040.5%, MgSO4.7H2O 0.1%, Tween 800.005% (V/V) during stationary cultivation at pH 6.0, 3$0^{\circ}C$ In this case, the production of avicel-hydrolyzing enzyme was 0.028 U/ml.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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• pp.975-976
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• 2006

The present paper is a parameter study of zinc flake production using a Simoloyer CM01 horizontal high energy rotary ball mill. The manufactured flakes have a dimension in thickness (t) < $1{\mu}m$ and diameters (d) 5-100 ${\mu}m$, consequently a ratio d/t up to 200. The flake geometry is mainly controlled by the variation of process parameters such as rotary speed of the rotor, ratio of powder/ball charge, load ratio of the system, process temperature, operating model and the quantity of process control agent (PCA). The Zn flakes were characterized by SEM, tap densitometry, laser diffraction and water coverage measurement.

• 약학회지
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• 제18권4호
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• pp.255-258
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• 1974

The insecticidal activity of six lately synthesized carbamate derivatives of furfural oxime N-methylcarbamate (I), 5-methyljural oxime N-methylcarbamate (II), methyl p-(methylcarbamoyl) oxybenzoate (IV), ethyl p-(methylcarbamoyl) oxybenzoat(V), n-propyl p-(methyl carbamoyl)oxybenzoate(VI) and n-butyl p-(methyl carbamoyl)oxybenzoate examined using o.2w/v% acetone solutions of each compound. Among them, alkyl p-(methyl carbamoyl) oxybenzontes exerted slightly insecticidal effects on Sogata furcifera H$_{ORVATH}$, Delphacodes stria striatella FALLEN, wherease no significant effects were observed on Mil-aparvata Iugens Stal, Inazuma dorsolis Moischiulsky, and Naphotettix apicalis cincticeps U$_{HLER}$.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2012년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.287-288
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• 2012

본 논문은 새로운 스탠바이 컨버터를 제안한다. 제안하는 스탠바이 컨버터는 영전압 스위칭 다중출력 풀브리지 컨버터에 통합된 구조로서, 스탠바이 시에는 스탠바이 파워를 기존의 플라이백 컨버터로 공급하고, 노멀 모드시에는 다중 출력 풀브리지의 보조 출력이 스탠바이 출력으로 사용된다. 이로써 노멀 모드시에 스탠바이 출력에서 발생되는 손실을 줄임으로써 전체적인 효율, 특히 낮은 부하에서의 효율 개선을 할 수 있게 된다. 제안하는 회로는 12V/58A의 DC/DC 출력과 5V/3.2A의 스탠바이 출력 스펙을 통해 검증한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.87-89
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• 2005

$Bi_{3.25}Y_{0.75}Ti_{3}O_{12}$[BYT] ferroelectric thin films were deposited by RF-Sputtering method on the $Pt/Ti/SiO_2/Si$. We investigated the effects of processing condition (especially post-annealing) on the structural and ferroelectric properties of the BYT thin films. Increasing the annealing temperature, the peak intensity of (117) increased and c-axis orientation decreased. The BYT thin films crystallized well at $600^{\circ}C$ for 30min. No secondary phases observed in the XRD pattern. At annealing temperature of $700^{\circ}C$, the thin films had no cracks and the grain was uniform. The calculated lattice constants of BYT thin films were a=0.539nm, b=0.536nm, c=3.288nm. The remnant polarization of the $Bi_{3.25}Y_{0.75}Ti_{3}O_{12}$ capacitor reached $1.8uC/cm^2$ at an applied field about 400kV/cm. The BYT thin films can be used as capacitors in Ferroelectric Random Access Memory device.

• 대한화장품학회지
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• 제28권1호
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• pp.214-224
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• 2002

High concentrated $TiO_2$ nano colloids were synthesized by sol-gel method. Reactions were performed in $TiCl_4$/HCl/$H_2O$ aqueous solution and the conditions of particles such as shape, size and aggregation, etc. were controlled by polymerization and adsorption of acrylamide in surface of $TiO_2$ nano particles. And also, aminopropyltriethoxysilane was added instead of acrylamide and compared each other. The prepared colloids were well dispersed and showed the strong absorption peaks at 350nm-370nm which is blue shifted to 20-30nm, compared to macro particles. The obtained techniques from $TiO_2$ nato colloids synthesis were utilized in coating on boron nitride powders which are nonpolar and isoelectronic materials of carbon. Their surface morphology, structure, thermal stability and U. V absorption chracteristics were examined by SEM(Scanning Electron Microscopy), XRD(X-ray diffraction), TG/DTA(Thermogravimetric and Differential Thermal Analysis), UV-VIS(Ultraviolet-Visible Spectroscopy).

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제18권9호
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• pp.121-129
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• 2013

본 논문은 아직까지 정확한 해를 다항시간으로 구하는 알고리즘이 존재하지 않아 NP-완전 문제로 알려진 지배집합 (DS) 문제의 정확한 해를 선형시간으로 구하는 알고리즘을 제안하였다. 제안된 알고리즘은 그래프의 간선이 존재하지 않을 때까지 최소차수 ${\delta}(G)$를 가진 정점 u의 인접정점들 중 최대차수 ${\Delta}(G)$를 가진 정점 v를 최소 독립지배집합(MIDS)의 원소로 포함시키고 v의 부속 간선을 삭제하는 방법을 반복적으로 수행하여 구하였다. MIDS로부터 최소 지배집합 (MDS)으로 변환시키고, MDS로부터 최소연결 DS (MCDS)로 변환시키는 방법으로 DS 관련 모든 문제의 정확한 해를 구할 수 있었다. 제안된 알고리즘을 10개의 다양한 그래프에 적용한 결과 정확한 해를 선형 시간복잡도 O(n)으로 구하는데 성공하였다. 결국, 제안된 지배집합 알고리즘은 지배집합 문제가 P-문제임을 증명하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.291.1-291.1
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• 2016

Graphene by one of the two-dimensional (2D) materials has been focused on electronic applications due to its ultrahigh carrier mobility, outstanding thermal conductivity and superior optical properties. Although graphene has many remarkable properties, graphene devices have low on/off current ratio due to its zero bandgap. Despite considerable efforts to open its bandgap, it's hard to obtain appropriate improvements. To solve this problem, heterojunction barristor was proposed based on graphene. Mostly, this heterojunction barristor is made by transition metal dichalcogenides (TMDs), such as molybdenum disulfide ($MoS_2$) and tungsten diselenide ($WSe_2$), which have extremely thickness scalability of TMDs. The heterojunction barristor has the advantage of controlling graphene's Fermi level by applying gate bias, resulting in barrier height modulation between graphene interface and semiconductor. However, charged impurities between graphene and $SiO_2$ cause unexpected p-type doping of graphene. The graphene's Fermi level modulation is expected to be reduced due to this p-doping effect. Charged impurities make carrier mobility in graphene reduced and modulation of graphene's Fermi level limited. In this paper, we investigated theoretically and experimentally a relevance between graphene's Fermi level and p-type doping. Theoretically, when Fermi level is placed at the Dirac point, larger graphene's Fermi level modulation was calculated between -20 V and +20 V of $V_{GS}$. On the contrary, graphene's Fermi level modulation was 0.11 eV when Fermi level is far away from the Dirac point in the same range. Then, we produced two types heterojunction barristors which made by p-type doped graphene and graphene treated 2.4% APTES, respectively. On/off current ratio (32-fold) of graphene treated 2.4% APTES was improved in comparison with p-type doped graphene.

• 암석학회지
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• 제18권1호
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• pp.31-47
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• 2009

영남(소백산)육괴 북동부의 고원생대 변성퇴적암류(평해층과 원남층)를 관입한 평해 화강편마암과 하다 우백질화강편마암에 대해 암석기재적, 지구화학적 및 지구연대학적 연구를 수행하였다. 평해 화강편마암은 하다 우백질화강편마암에 비해 대체로 흑운모 등 유색광물의 함량이 약간 높으며, 화학조성에서 $SiO_2$와 $K_2O$ 함량은 낮고 ${Fe_2}{O_3}^t$, MgO, CaO, $TiO_2$, $P_{2}O_{5}$ 등의 함량은 높다 하다 우백질화강편마암이 음(-)의 Eu 이상치가 다소 크지만 전체적인 희토류원소의 함량과 패턴은 평해 화강편마암과 매우 유사하다. 성분분화도에서 두 암체는 대체로 흑운모와 사장석, 인회석 또는 스핀의 정출에 의한 분화경향을 보인다. 두 화장편마암 모두 과알루미나질의 칼크-알칼리계열로 섭입대와 관련된 대륙화산호 조구조환경을 지시한다. 저어콘 U-Pb SHRIMP 연대측정의 결과를 보면 평해 화강편마암과 하다 우백질화강편마암의 상부교점연대는 각각 $1990{\pm}23\;Ma$ ($2{\sigma}$)와 $1939{\pm}41\;Ma$ ($2{\sigma}$)이고 $^{207}Pb/^{206}Pb$ 가중평균연령은 각각 $1982{\pm}6.3\;Ma$ ($2{\sigma}$)와 $1959{\pm}28\;Ma$ ($2{\sigma}$)로 오차범위에서 서로 겹치는 연대를 보인다. 따라서 이 지역에서의 선캠브리아기 화강암류의 관입시기는 분천화강편마암의 관입과 동시대이며, 태백산지역에서의 화강암질마그마작용은 대부분 이 시기에 대륙화산호 환경에서 있었던 것으로 해석된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.167-167
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• 2010

반도체는 도핑하지 않으면 대부분 n형을 나타내는 것에 반하여 GaSb는 p형을 보이는 반도체로서, 그 근원은 명확하게 규명되어 있지 않은 상태이다. GaSb의 p형 불순물인 Be은 Ga과 치환 ([$Be_{Ga}$])되므로, p형 전도의 근원으로 추정되는 잔존결함인 [$Ga_{Sb}$]와 그 복합체인 [$Ga_{Sb}-Sb_{Ga}$]와 높은 상관관계를 가질 것으로 예측된다. 본 연구에서는 Be을 도핑한 GaSb:Be 에피층을 MBE 방법으로 성장하여, PL 스펙트럼과 Hall 효과 분석을 통하여 p형 전도의 근원을 조사하였다. 도핑하지 않은 u-GaSb는 DA (deep acceptor)와 함께 A 준위를 나타낸 반면, p-GaSb:Be의 PL 스펙트럼은 Be 도핑농도가 증가함에 따라 FWHM가 줄어들면서 점차 높은 에너지 영역으로 변위하지만 농도가 가장 높은 시료에서는 PL의 FWHM가 증가하면서 에너지는 감소함이 관측되었는데, 이것은 A 피크와 Sb 관련 피크가 경쟁적으로 중첩되어 나타난 현상으로 분석된다. Hall 효과 결과는 유효 전하밀도의 증가에 따라 이동도는 감소하는 전형적인 의존성을 나타내었으며, u-GaSb의 Hall 이동도가 p-GaSb:Be의 값보다 작은 것은 u-GaSb에 잔존하는 DA에 의한 산란 때문으로 해석된다. Gaussian 형태로 분해하여 얻은 A ([$Ga_{Sb}$])와 DA ([$Ga_{Sb}-Sb_{Ga}$]) 및 Be 관련 피크로부터 특정 도핑농도 ($1.2{\times}10^{17}cm^{-3}$)의 시료를 제외한 모든 p-GaSb:Be에는 A 피크가 중첩되고 A와 Be 준위 중간에 Be과의 복합체인 중간상태(intermediate state)인 [$Be^*$]가 존재함이 관측되었는데, 특정 도핑농도에서는 [$Be_{Ga}$]이 우세하지만 더 이상 농도가 증가하면 [$Be_{Ga}$] 준위의 강도는 오히려 감소함을 관측할 수 있었다. 이것은 적정 이상의 Be을 도핑할 경우, A ([$Be_{Ga}$])와 $Be^*([Be_{Ga}-Ga_Sb}])$가 형성 ($A[Ga_{Sb}]+Be{\rightarrow}Be^*[Be_{Ga}-Ga_{Sb}]+[Be_{Ga}]$)됨을 보여 주는 중요한 결과인 것으로 분석된다. A, [Be], [$Be^*$] PL 피크 에너지는 각각 779, 787, 794 meV (오차범위 ${\pm}3\;meV$)이고, [$Be_{Ga}$]의 활성화 에너지는 ($23{\pm}3\;meV$) (20 K)임을 밝혔다.