• 공업화학
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• 제21권5호
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• pp.488-494
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• 2010

W/O 에멀젼법하에 homogenizer를 사용하여 ${\alpha}$-알루미나 분체 제조 시 O : W 부피비, 교반속도, 계면활성제 사용량과 조성 및 종류 등의 변화에 의하여 분체의 입자형상, 응집성, 평균입경과 입도분포 등의 변화를 분석하였다. 계면활성제는 비이온 계면활성제가 사용되었고 단일 및 혼합계면활성제로는 SP80 및 [SP80 & TW80]을 사용하였고 보조계면활성제로는 n-부탄올을 사용하였다. SP80을 사용하였을 경우, 분체의 입자형상은 구형에 근접하였고 평균입경은 주어진 O : W 부피비 변화 및 16000 rpm 이상의 교반속도에서 큰 차이를 보이지 않았다. [SP80 & TW80]을 사용하였을 경우, 구형에 가까운 분체의 입자간 응집 및 합체현상은 $HLB_m$ = 5일 때 낮았고 평균입경은 단일계면활성제를 사용하였을 때 비하여 다소 감소하였다. $HLB_m$ = 5인 [SP80 & TW80]와 함께 0.1 vol% n-부탄올을 사용하였을 경우, 입자간 응집성이 상대적으로 낮고 나노크기의 입도를 갖는 분체 분율을 증가시킬 수 있었다.

• 한국해양환경ㆍ에너지학회지
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• 제18권3호
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• pp.143-156
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• 2015

서태평양에 위치한 해저산 해역($150.2^{\circ}E$, $20^{\circ}N$ 부근)에서 수층 환경의 동적 특성을 파악하고자 수괴 및 용존산소, 무기영양염(질소, 인), 엽록소-a 등과 같은 수층 환경 인자의 거동을 살펴보았다. 2014년 10월에 해저산(OSM14-2)을 중심으로 동-서 및 남-북 방향으로 총 9개의 정점에서 CTD system을 이용하여 물리 화학적 자료를 획득하였다. 수온-염분 도표로부터 연구 해역에서 파악된 수괴는 표층에서 북태평양 열대수와 수온약층수, 중층에서 북태평양 중층수 그리고 저층에서 북태평양 심층수로 구분되었다. 용존산소 농도가 낮은 최소층(평균 $73.26{\mu}M$)은 산소 결핍 환경(dysoxic<$90{\mu}M$)으로 연구 해역 전반에 걸쳐 수심 700~1,200 m 사이에 분포하였다. 아질산염+질산염과 인산염으로 대표되는 무기영양염은 표면혼합층 내에서 빈영양 환경을 보인 후 수심 증가에 따라 점차적으로 증가해 용존산소 최소층에서 최대 농도를 나타냈으며, N:P ratio(13.7) 결과로부터 연구 해역은 식물플랑크톤이 성장하기에 질소 성분이 제한된 환경으로 파악되었다. 해저산을 중심으로 동-서 및 남-북 정점 라인에서 환경 인자의 수직 분포는 서쪽과 남쪽 해역에서 저층수 유입에 의한 영향으로 수심 500 m 부근에서 그리고 수심 2,500 m 이하의 저층 내에서도 서쪽 해역과 남쪽 해역에서 반대 해역과 비교해 환경 인자의 농도가 다르게 분포하였다. Redfield ratio(N:P=16:1)을 이용하여 구해진 Excess N 값은 연구 해역 전반에 걸쳐 음의 값을 보여 질소 제거 기작이 우세한 환경임을 나타냈으며, 서쪽 해역과 남쪽 해역 저층에서 상대적으로 높은 값이 관측되었다. 이러한 결과들은 해저산의 지형적인 특성이 저층 해류 순환에 영향을 미치고 이는 수층 환경 인자들의 거동을 결정하는데 중요하게 작용함을 지시한다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제25권9호
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• pp.1175-1182
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• 2001

Chemical compositions of polydisperse SiO$_2$/TiO$_2$multicomponent aggregates were measured for different heights from the burner surface and different mobility diameters of aggregates. SiO$_2$/TiO$_2$multicomponent particles were generated in a hydrogen/oxygen coflow diffusion flame from two sets of precursors: TTIP(titanium tetraisopropoxide), TEOS(tetraethylorthosilicate). To maintain 1:1 mole ratio of TTIP:TEOS vapor, flow rate of carrier gas $N_2$was fixed at 0.6lpm for TTIP, at 0.1lpm for TEOS. In-situ sampling probe was used to supply particles into DMA(differential mobility analyzer) which was calibrated with using commercial DMA(TSI, model 3071A) and classifying monodisperse multicomponent particles. Classified monodisperse particles were collected with electrophoretic collector. The distributions of composition from particles to particle were determined using EDS(energy dispersive spectrometry) coupled with TEM(transmission electron microscope). The chemical(atomic) compositions of classified monodisperse particle were obtained for different heights; z=40mm, 60mm, 80mm. The results suggested that the chemical(atomic) composition of SiO$_2$decreased with the height from burner surface and the composition of SiO$_2$and TiO$_2$approached to the value of 1 to 1 fat downstream. It is also found that the composition of SiO$_2$decreases as the mobility diameter of aggregate increases.

• 한국윤활학회:학술대회논문집
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• 한국윤활학회 2002년도 proceedings of the second asia international conference on tribology
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• pp.165-166
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• 2002

Hydrogen free diamond like carbon (DLC) films were prepared on steel substrates by using a single ion beam in a configuration that allowed sputtering of a graphite target and at the same time allowed to impact the substrate at a grazing angle. The DLC films so prepared have improved properties with increased disorder and with modest hardness that is slightly higher than previously reported values. We have studied the effects of $N_2^+$ ions implantation on such films. It is found that the implantations of nitrogen ions into DLC films lead to chemical modifications that allowed N atoms to be incorporated into the carbon network to produce a nitrogenated DLC. Nano-indentation experiments indicated that the nitrogenated films have consistently higher hardnesses ranging from 30 to 45GPa, which represents a considerable increase in surface hardness, compared with non-nitrogenated precursor films. The investigations by XPS and Raman spectroscopy suggests that the $N_2^+$ implanted DLCs had undergone both chemical and structural modifications through the incorporation of N atoms and the increased ratio of $sp^3/sp^2$ type bonding. The observed high hardness was therefore attributable to these structural and chemical modifications. This result has implication for the preparation of super hard wear resistant films required for tribological functions in devices.

• 대한화학회지
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• 제30권5호
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• pp.433-440
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• 1986

反陽性子性 溶媒인 dimethylsulfoxide中에서 p-nitrobenzeneazoresororcinol<4n-BAR>에 대하여 직류 폴라로그래피적 거동을 조사하였다. 0.05M $NaClO_4$의 DMSO溶媒中에서 4n-BAR은 1電子 2段階의 還元過程을 거쳐 hydrazo기를 포함하는 化合物로 還元된다. 還元反應의 中間 生成物은 比較的 反陽性子性 溶媒 속에서 安定하였다. 各 段階의 還元電流는 擴散支配的이었으며 一部 反應電流도 包含되었다. 酸을 添加함에 따라서 2個의 還元波가 하나로 合致되며 [acid]/[reductant]의 몰 (M)비가 M = 2인 條件에서 加電位(-E)에 대해 $log(i_d-i)(Mi_d/2-i)/i$/의 可逆性은 1電子 2段階 還元反應이고 非可逆的이었다.

• 한국진공학회지
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• 제6권4호
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• pp.354-358
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• 1997

다양한 질소 압력, 플라즈마 파워 상태에서 사파이어 기판위에 전자 사이클로트론 공명 MBE로 제작한 wurtzite GaN의 결정특성을 XRD의 반치폭, 주사전자 현미경으로 조 사하였다. 질소 압력은 XRD의 반치폭에 커다란 영향을 미치고 있으며 최적 질소 압력에서 제작한 시료에는 높은 dislocation density를 포함하고 있음을 알았다. 이러한 결과들은 갈륨 질소의 결정질(crystal quality)은 플라즈마 상태에 매우 민감하며 또한 스트레스 완화는 V/ III비에 의존하고 있음을 나타낸다. 그렇지만 사파이어 기판의 nitridation은 스트레스 완화에 커다란 영향을 미치지 않고 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권12S호
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• pp.1175-1180
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• 2003

Transformer Coupled Plasma Chemical Vapor Deposited (TCP-CVD) silicon nitride (SiNx) is widely used as a gate dielectric material for thin film transistors (TFT). This paper reports the SiNx films, grown by TCP-CVD at the low temperature (30$0^{\circ}C$). Experimental investigations were carried out for the optimization o(SiNx film as a function of $N_2$/SiH$_4$ flow ratio varying ,3 to 50 keeping rf power of 200 W, This paper presents the dielectric studies of SiNx gate in terms of deposition rate, hydrogen content, etch rate and leakage current density characteristics lot the thin film transistor applications. And also, this work investigated means to decrease the leakage current of SiNx film by employing $N_2$ plasma treatment. The insulator layers were prepared by two step process; the $N_2$ plasma treatment and then PECVD SiNx deposition with SiH$_4$, $N_2$gases.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1236-1238
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• 1994

TiAlN thin films were prepared by a multi target r.f magnetron sputtering system under different conditions. We have investigated the resistivity and T.C.R. (Temperature Coefficient of Resistance) characteristics of TiAlN films deposited on $Al_2O_3$ and glass substrates by sputtering in an $Ar:N_2$ gas mixture. We used Al and Ti metal as Target Material and $Ar:N_2$ gas as working gas. We varied the partial pressure ratio of $N_2/Ar$ from 0.2/7 to 1.0/6.2 (SCCM). And the R.F power of Ti and Al Target also were varied as 160/240, 200/200 and 240/160(W). In this experiment, we can get the precision thin film resistor with a very low T.C.R. (Temperature Coefficient of Resistance) below 25 ppm ${\Omega}/^{\circ}C$.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 1995년도 제5회 학술강연회논문집
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• pp.11-30
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• 1995

The ignition characteristics of a reactive solid with rough surface by constant heat flux were studied. The geometry of surface was represented by a set of identical protrusions having a shape of wedge based on the block of reactive solid. Several regimes of ignition were found, depending on the ratio of the protrusion length and the depth of the heated layer, formed in course of ignition process: 1) when the substance is ignited as the massive block, and the effect of roughness is not pronounced; 2) when ignited are the individual protrusions; and 3) in the intermediate region between the first two. Critical ignition conditions: ignition time and ignition criterion, are determined for the three regimes. The results are compared with the results for the one-dimensional ignition of the semi-infinite body. It is shown, that the effect of geometry on ignition results in the considerable reduction of ignition delay, and the amount of energy required for the successful ignition is less compared to the one- dimensional case.

• 청정기술
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• 제23권4호
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• pp.429-434
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• 2017

저온 수성가스전이반응에서 $Cu/ZnO/MgO/Al_2O_3$ (CZMA) 촉매의 마그네슘의 영향을 조사하기 위하여 Cu/Zn/Mg/Al의 비율을 45/45/5/5 mol%로 공침법을 사용하여 제조하였다. 제조된 촉매들은 BET, $N_2O$ 화학흡착, XRD, $H_2-TPR$ and $NH_3-TPD$를 사용하여 분석되었다. 촉매 활성 테스트는 GHSV $28,000h^{-1}$와 온도 범위 $200{\sim}320^{\circ}C$에서 수행되었다. 동일한 조건에서 마그네슘이 첨가된 촉매(CZMA 400)는 가장 낮은 환원 온도를 나타내며 활성종인 $Cu^+$가 안정적으로 존재하고 또한 많은 약산점을 보유하였다. 또한 마그네슘이 첨가된 촉매(CZMA)는 마그네슘이 첨가되지 않은 촉매(CZA)와 비교하였을 때 240 이상의 높은 온도에서 촉매 활성이 증가하였다. CZMA 400 촉매는 최적의 촉매로서 $240^{\circ}C$, GHSV $28,000h^{-1}$에서 75 h 동안 활성의 저하없이 평균 CO 전환율 77.59%를 나타내었다.