Non-aggregated nanoscale $\alpha$-Al$_2$O$_3$ powders were prepared successfully by polyacrylamine (PAA) gel method. The method was very simple and polymer network inhibited the aggregate of $\alpha$-Al$_2$O$_3$ powders. In this investigation, nanoparticles of $\alpha$-Al$_2$O$_3$ with a diameter of about 8-15 nm were fabricated by calcining the gel precusors with various concentrations of aluminum sulfate, acrylamide and N,N'-methylene-bis-acrylamide (BIS) in air at 110$0^{\circ}C$ for 2 h. The molar ratio of aluminum sulfate to acrylamide did not have any influence on the size of particles. On the other hand, as the molar ratio of BIS to acrylamide increased, the size of nanoparticles decreased.
Park, Jae-Yoon;Kim, Ick-Kewn;Lee, Jae-Dong;Kim, Jong-Dal;Lee, Duck-Chool;Chang, J.S.
Proceedings of the KIEE Conference
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1998.07e
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pp.1794-1796
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1998
In this study, the $SO_2$ addition effect on NOx removal has been conducted from a combustion flue gases by the do corona discharge-activated radical shower systems. The simulated flue gases were consisted of NO-O_2-$N_2$, NO-$CO_2-N_2-O_2$ and $NO-SO_2-CO_2-Na-O_2$([NO]o:200ppm and $[SO_2]o$:800ppm). The injection gases used as radical source gases were $NH_3$-Ar-air. $SO_2$ and NOx removal efficiency and the other by-products were measured by Fourier Transform Infrared(FTIR) as well as $SO_2$. NOx and $NO_2$ gas detectors. By-product aerosol particles were also observed by Condensation Nucleation Particle Counter(CNPC) and SEM images after sampling. The results showed that asignificant aerosol Particle formation was observed during a removal operation in corona radical shower systems. The NOx removal efficiency significantly increased with increasing applied voltage and $NH_3$ molecule ratio. The $SO_2$ removal efficiency was not significantly effected by applied voltage and slightly increased with increasing $NH_3$ molecule ratio. The NOx removal efficiency for NO-$SO_2-CO_2-N_2-O_2$ was better than that for NO-$CO_2-N_2-O_2$.
The purpose of this paper is to suggest and analyze the parallel algorithm for merging two heaps, on SIMD-SM-R parallel computer. In order to create the parallel algorithm for merging two heaps, we have classified two subproblems. For the first method, to select node p as a LEVEL-FIND function, Wyllie(19) suggests the method with time complexity O(log n) while this thesis has O(log(n/k)). For the second method, to merge two subheap, our algorithm has O(log(n/k)*log(n)) using max(2**(i-1), 「(m+1)/4」)'s processors while Dekel and Sahni(4)'s method and Hong's method(18) have O(log m). Also our parallel algorithm's EPU is close to 1 and so has an optimal speed-up ratio.
Silicon dioxide thick film using silica optical waveguide cladding was fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD) method, at a low temperature ($320^{\circ}$C) and from $(SiH_4+N_2O)$ gas mixtures. The effects of deposition parameters on properties of $SiO_2$ thick films were investigated by variation of $N_2O/SiH_4$ flow ratio and RF power. After the deposition process, the samples were annealed in a furnace at $1150^{\circ}$C, in N2 atmosphere, for 2h. As the $N_2O/SiH_4$ flow ratio increased, deposition rate decreased from 9.4 to 2.9 ${\mu}m/h$. As the RF power increased, deposition rate increased from 4.7 to 6.9 ${\mu}m/h$. The thickness and the refractive index measurements were measured by prism coupler. X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS) and Fourier Transform-infrared Spectroscopy(FT-IR) were used to determine the chemical states. The cross-section of films was observed by Scanning Electron Microscopy(SEM).
A pot experiment on paddy rice was carried out to investigate the effect of temperature after heading with application of phosphate, potash and silica on the yield and nutrient uptake. The results obtained are as follows: 1. The Grain yield was greatly affected by temperature during ripening. The yield at $20^{\circ}C$ and at $15^{\circ}C$ decreased to 62.3% and to 37.2% of that at $25^{\circ}C$ respectively. However, the application of phosphate, potash and silica at transplanting increased the grain yield even at low temperature of $15^{\circ}C$. 2. Percentage of ripened grain and weight of 1,000 grains decreased with decreasing temperature but they were increased by the application of phosphate, potash and silica at the low temperature of $15^{\circ}C$. 3. The grain filling rate was fast in the early stage of ripening at high temperature while it was fast in the later stage at low temperature. Low temperature damage was severe in the early stage of ripening. 4. Accumulation of carbohydrate in the grain was small at low temperature of $15^{\circ}C$ and the application of phosphate, potash and silica was effective to increase carbohydrate content in the grain at low temperature. 5. The content of T-N and $P_2O_5$ in straw grown at low temperature were high whereaas those of $K_2O$ and $SiO_2$ were low which were increased by the application of potash and silica. 6. There was a positive correlation between the grain yield and rate of ripening, 1,000 grain weight, contents of $K_2O$ and $SiO_2$, $K_2O/N$ and $SiO_2/N$ ratio, but a negative correlation between grain yield and contents of T-N and $P_2O_5$ in the straw at harvesting stage. 7. Ripening rate and weight of 1,000 grains showed a significant positive correlation with $K_2O$, $SiO_2$, $K_2O/N$ and $SiO_2/N$ ratio in the straw. Further, there was a negative correlation between ripening rate and the contents of T-N and $P_2O_5$ but a positive correlation between weight of 1,000 grains and these elements.
New Pd(IV) complexes have been prepared through the reactions of $trans-[Pd(en)_2Cl_2](ClO_4)_2 $(en = ethylenediamine) with Guanine, Adenine, or Uracil anion as purine and pyrimidine base. We identified the ratio of central metal versus ligands by $C{\cdot}H{\cdot}N$ elemental analysis and proposed the coordinating site of the base by infrared spectrum, $^1H-NMR,\; and\; ^{13}C$-NMR spectrum. Guanine or Adenine ligand coordinated at N7 site and an en ligand exchanged for $ClO_4^-$ counter ions of the starting material . As these results, the complexes showed the formula $[Pd(en)L_2(ClO_4)_2](ClO_4)_2{\cdot}(en)$, (L = Guanine, Adenine). But in the Uracil complex no exchange of the en ligand and $ClO_4^-$ occured and Uracil anion preferred the N1 to N3 as coordinating site, the complex $[Pd(en)_2(Urac)_2](ClO_4)_2(Urac = Uracil anion).$
Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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v.17
no.E3
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pp.109-115
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2001
Acidic air pollutants were collected to characterize indoor air quality at a private house in Seoul during the spring period. All indoor and outdoor samples were measured simultaneously using an annular denuder system. The data set was collected on twelve different days with a 24-hr sampling period in April and May 1997. The chemical species measured were HN $O_3$, HN $O_2$, S $O_2$ and N $H_3$in the gas phase and P $M_{2.5}$ (dp 2.5 ${\mu}{\textrm}{m}$), S $O_4$$^{2-}$, N $O_3$$^{[-10]}$ and N $H_4$$^{+}$ in the particulate phase. Indoor concentrations of HN $O_2$, N $H_3$, and P $M_{2.5}$ were greater than outdoor levels. However, indoor concentrations of HN $O_3$, S $O_2$, N $O_3$$^{[-10]}$ and N $H_4$$^{+}$ were less than those found from outdoors. In the case of S $O_4$$^{2-}$, the indoor and outdoor concentrations were similar. Indoor concentrations of P $M_{2.5}$ , S $O_4$$^{2-}$ and N $O_3$$^{[-10]}$ were dependent upon the outdoor concentrations. A tracer-gas decay technique with sulfur hexafluoride (S $F_{6}$ ) as the tracer gas was used to estimate the air exchange rate of a private home in the spring. The average air exchange rate was computed to be 2.87 h $r^{-1}$ .X> .
The crystals of group-Ⅲ nitride semiconductors with wurtzite structure exhibit a strong polarity. Especially, GaN has characteristics of different growth rate, anisotropic electrical and optical properties due to the polarity. In this work, GaN epilayer was grown and the polarities of the crystals were observed by the chemical wet etching and SP-EFM. GaN thin films were deposited on c-plane A1₂O₃ substrate under the variations of growth conditions by HVPE such as the deposition temperature of the buffer layer, the deposition time, the ratio of Group-V and Ⅲ and the deposition temperature of the film. The adquate results were obtained under the conditions of 500℃, 90 seconds, 1333 and 1080℃, respectively. It is observed that the GaN layer grown without the buffer layer has N-polarity and the GaN layer grown on the buffer layer has Ga-polarity. Fine crystal single particles were grown on c-plane A1₂O₃ and SiO₂, layer. The external shape of the crystal shows {10-11}{10-10}(000-1) planes as expected in the PBC theory and anisotropic behavior along c-axis is obvious. As a result of etching on each plane, (000-1) and {10-11}planes were etched strongly due to the N-polarity and {10-10} plane was not affected due to the non-polarity. In the case of the crystal grown on c-plane A1₂O₃, two types of crystals were grown. They were hexagonal pyramidal-shape with {10-11}plane and hexagonal prism with basal plane. The latter might be grown by twin plane reentrant edge (TPRE) growth.
Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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v.22
no.2
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pp.231-239
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2000
This study was investigated to estimate optimal conditions and biological oxic denitrification to treat wastewater with low C/N ratio and high strength total inorganic nitrogen (TIN) concentration by using $A_2O$ fixed biofilm system. The lab-scale experimental system packed with media, which were composed of polyvinylidene chloride fiber (oxic basin) and ceramic ball (anaerobic and anoxic basin), was used. This system was operated with various influent alkalinities at the C/N(TOC/TIN) ratio of 0.5. The study results showed that TOC were removed over 96.0% at all operation conditions. The removal efficiencies over 93.5% for $NH_4{^+}-N$ and 81.8% for TIN were obtained at the alkalinity of about 1210mg/L(Run 5). Among the removal of TIN, 64.9% was occurred by biological denitrification at an oxic basin. It was confirmed through mass balance of alkalinity and nitrogen that the amount of alkalinity produced during biological denitrification at oxic basin was 2.49~3.46 mg Alkalinity/mg $NO_2{^-}-N$, ${\Delta}TOC/{\Delta}DEN$ of 0.34 (Run 5) was obtained at an oxic basin, which was less than the theoretical value of 1.22.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.5-8
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2000
The population density of excited species in dc, rf and laser ablation plume plasmas has been measured using laser absorption spectroscopy. It was shown that, when the plasma was modulated by on and off with, the sensitivity and signal to noise (S/N) ratio became high. For example, the atomic O(3$^{5}$ S$^{o}$$_2$) Population density, No* in $O_2$/He mixtures was obtained by the highest S/N ratio at a frequency of 2.7kHz. In a 20Torr room air, the lowest No* level to be detectable was shown to be an order of 10$^{7}$ cm$^{-3}$ . The population densities of resonance Ar(1S$_2$) and Xe(1S$_4$) levels were also measured in barrier discharges and laser ablation plasmas.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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