PECVD법에 의해 증착된 $SiO_2$ 후막 특성에서 $N_2O$ /$SiH_4$ Flow Ratio와 RF Power가 미치는 영향
(Effects of $N_2O$ /$SiH_4$ Flow Ratio and RF Power on Properties of $SiO_2$ Thick Films Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
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- 한국세라믹학회지
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- 제38권11호
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- pp.1037-1041
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- 2001