• 전기화학회지
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• 제10권4호
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• pp.239-244
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• 2007

산소자리에 치환된 불소가 $Li_{1-x}FeO_2Li_xMnO_2$ (Mn/(Mn + Fe) = 0.8) 양극 활물질에 미치는 영향을 고찰하기 위해 다양한 양의 불소를 치환시킨 $Li_{1-x}FeO_{2-y}F_y-Li_xMnO_2$ (Mn/(Mn + Fe) = 0.8, $0.05{\le}y{\le}0.15$) 양극 활물질을 고상법을 이용하여 합성하였다. 불소 미치환 시료 및 치환양이 0.05와 0.1의 시료의 경우, $1-1.5\;{\mu}m$ 크기의 막대 형상 분말 형태에 50-100 nm정도의 작은 구형 입자들이 주위에 분포되어 있는 형태이었다. 반면, 불소 치환양이 0.15인 시료의 경우, 그 모양이 구형으로 변화되어지며 입자가 급격하게 성장하였다. 합성된 시료를 이용하여 제작된 셀들의 충 방전 수행 결과, $Li/Li_{1-x}FeO_{1.9}F_{0.1}-Li_xMnO_2$ 셀이 163 mAh/g의 가장 높은 초기용량을 보였으며 50 싸이클 후에도 95%의 높은 가역 특성을 보였다. 특히, 활물질내의 불소 치환양이 증가할수록 초기 방전용량도 같이 증가하였으나, 불소이온의 치환양이 일정량을 (y>0.1) 넘는 경우에는 산소 자리에 불소이온이 완전하게 치환되지 못하고 불순물로 존재함으로써 전지의 가역특성을 현저하게 저하시키는 요인으로 작용함을 확인하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제52권10호
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• pp.447-450
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• 2003

This paper presents a process optimization of antireflection (AR) coating on crystalline Si solar cells. Theoretical and experimental investigations were performed on a double-layer AR (DLAR) coating of MgF$_2$/CeO$_2$. We investigated CeO$_2$ films as an AR layer because they have a proper refractive index of 2.46 and demonstrate the same lattice constant as Si substrate. RF sputter grown CeO$_2$ film showed strong dependence on a deposition temperature. The CeO$_2$ deposited at 40$0^{\circ}C$ exhibited a strong (111) preferred orientation and the lowest surface roughness of 6.87 $\AA$. Refractive index of MgF$_2$ film was measured as 1.386 for the most of growth temperature. An optimized DLAR coating showed a reflectance as low as 2.04% in the wavelengths ranged from 0.4${\mu}{\textrm}{m}$ to 1.1${\mu}{\textrm}{m}$. We achieved the efficiencies of solar cells greater than 15% with 3.12% improvement with DLAR coatings. Further details on MgF$_2$, CeO$_2$ films, and cell fabrication parameters are presented in this paper.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.593-596
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• 1999

This paper presents a process optimization of antireflectiun (AR) coating on crystalline Si solar cells. Theoretical and experimental investigations were performed on a doble-layer AR(DLAR) coating of MgF$_2$/CeO$_2$, We investigated CeO$_2$ films as an All layer because they hale a proper refractive index of 2.46 and demonstrate the same lattice constant as Si substrate. RF sputter grown CeO$_2$ film showed strong dependence on a deposition temperature. The CeO$_2$ film deposited at 400 $^{\circ}C$ exhibited a strong (111) preferred orientation and the lowest surface roughness of 6.87 $\AA$. Refractive index of MgF$_2$ film was measured as 1.386 for the most of growth temperature. An optimized DLAR coating showed a reflectance as low as 2.04 % in the wavelengths ranged from 0.4 7m to 1.1 7m. We achieved the efficiencies of solar cells greater than 15% with 3.12 % improvement with DLAR coatings . Further details on MgF$_2$, CeO$_2$ films, and cell fabrication Parameters are presented in this paper.

• 한국자기학회지
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• 제10권3호
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• pp.106-111
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• 2000

페라이트 도금 방법으로 M $n_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$(x=0.00~0.08)와 N $i_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{*}$2.78-x/ $O_4$(x=0.00~0.15)의 스피넬 페라이트 박막을 제작하였다. 반응용액의 조성비 변화에 따라 형성된 박막의 조성비와 성장속도를 조사하였다. 제조한 시료들의 결정성과 미세구조는 x-선 회절분석과 전자현미경으로 조사하고, 시료의 자기적 성질을 진동 시료형 자력계를 사용하여 조사했다. 조성비 x가 증가함에 따라 격자상수는 M $n_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$(x=0.00~0.08) 박막에서 증가하지만, N $i_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$(x=0.00~0.15) 박막에서 감소한다. M $n_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$(x = 0.00~0.08) 박막의 포화자화는 419 emu/㎤에서 394 emu/㎤ 의 값을 가져 N $i_{x}$Z $n_{0.22}$F $e_{2.78-x}$ $O_4$(x=0.00~0.15)의 $M_{s}$ 보다 높게 나타났다. 보다 높게 나타났다. 보다 높게 나타났다.

• 한국독어학회지:독어학
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• 제6집
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• pp.345-365
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• 2002

In diesem Aufsatz wired versucht, eine Mikrostruktur $f\"{u}r$ ein elektronisehes Detusch-Koreanisehes $W\"{o}rterbueh$ zu entwerfen. Bei gedruekten $W\"{o}rterb\"{u}ehern$ sind die lexikographischen Daten und die $W\"{o}rterbuch­strukturen$ mehr oder weniger standardisiert, dagegen bei elektronischen $W\"{o}rterb\"{u}ehern$ strikt formalisiert. Im Laufe der letzten 50 Jahre sind zwar viele gedruekte, jedoch kaum auf Elektronik basierte zweisprachige $W\"{o}rterb\"{u}cher\;f\"{u}r$ Deutseh-Koreanisch ersehienen. Elektronische $W\"{o}rterb\"{u}cher$ haben mehre Vorteile und sind in diesem Informationszeitalter als Hilfsmittel $f\"{u}r$ den Fremdspraeherwerb unabdingbar. Die Festlegung der logischen Struktur des $W\"{o}rterbuehs\;ist\;f\"{u}r\;die\;W\"{o}rterbucharbeit\;unerl\"{a}{\ss}lich$ und $f\"{u}r$ die Herstellung elektronischer $W\"{o}rterb\"{u}cher$ von Bedeutung, wird jedoch in der koreanischen Praxis oft $vemachl\"{a}{\ss}igt$. Daher weisen die meisten koranischen $W\"{o}rterb\"{u}cher$ keine konsistente Form in der Struktur von $W\"{o}rterbuehdefinitionen$ auf. Aus diesen $Gr\"{u}nden$ schlage ich eine formale logisehe Struktur $f\"{u}r$ ein elektronisches Deutsch-Koreanisches $W\"{o}rterbuch$ vor. $Zun\"{a}chst$ werden grundlegende lexikalische Begriffe $eingef\"{u}hrt,\;anschlie{\ss}end$ wird auf die Analyse der lexikalischen $Eintr\"{a}ge\;f\"{u}r$ ein Deutsch-Koreanisches $W\"{o}rterbuch$ eingegangen. In diesem Beitrag wird keine fertige Miktostruktur $pr\"{a}sentiert$, sondern eine Anregung zur weiteren Diskussion zu einer Mikrostruktur gegeben. Als logisehe Struktur $f\"{u}r$ das elektronische Deutsch-Koreanische $W\"{o}rterbuch$ wird eine glattalphabetische Makrostruktur aufgenommen, die Mikrostruktur als semiintegriert. Die lexikographische Arbeit ist $zeitaufw\"{a}ndig$ und braucht viele $Fachkr\"{a}fte$. Deshalb ist die Festlegung einer konsistenten und objektiven Mikrostruktur eine Voraussetzung der $W\"{o}rterbuchherstellung$. Sie regt auch dazu an, die lexikalischen Informationen im Artikel genauer zu analysieren. Erst dadurch wird ein effektives elektronisches $W\"{o}rterbuch\;m\"{o}glich$, das eine Weiterbenutzung der klassifizierten Informationen $unterst\"{u}tzt$.

• 대한수학회보
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• 제52권5호
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• pp.1559-1568
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• 2015

The relative class number $H_d(f)$ of a real quadratic field $K=\mathbb{Q}(\sqrt{m})$ of discriminant d is the ratio of class numbers of $O_f$ and $O_K$, where $O_K$ denotes the ring of integers of K and $O_f$ is the order of conductor f given by $\mathbb{Z}+fO_K$. In a recent paper of A. Furness and E. A. Parker the relative class number of $\mathbb{Q}(\sqrt{m})$ has been investigated using continued fraction in the special case when $(\sqrt{m})$ has a diagonal form. Here, we extend their result and show that there exists a conductor f of relative class number 1 when the continued fraction of $(\sqrt{m})$ is non-diagonal of period 4 or 5. We also show that there exist infinitely many real quadratic fields with any power of 2 as relative class number if there are infinitely many Mersenne primes.

• 한국결정학회지
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• 제5권2호
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• pp.108-112
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• 1994

C19H20O5, Mr=314.337,삼사정계,PI, a=10.291(2)A, b=11.218(3)A, c=3.059(1)A, α=74.54(2)°,β=1148.84(1)°,r=109.84(2)°,V=883.283(2)A3, λ(Mo Kα)=0.71069A, μ=0.47 mm-1, F(000)=324, 296K, Z=2, Dx=1.18Mgm-3. 1637[F>3σ(F)]개 독립 반사면에 대한 최종 R=0.0580이다. α,β-diphenylsuccinic acid,C16H14O4, 분자들은 O(4)-H˙˙˙O(5)수소결합에 의하여 용체인 acetone과 결합되어 있고 중심대칭관계에 있는 dimer는 분자간의 carboxylic 수소결합 O(1)-H˙˙˙O(2)(-x,-y,-z)에 의하여 결합되어 있다. Dimer간의 가장 가까운 거리 3.288A[O(2)˙˙˙O(2)(-x,-y,-z)]은 분자들의 packing이 van der Waals 력으로 이루어졌음을 보인다.

• 말소리와 음성과학
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• 제8권4호
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• pp.39-47
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• 2016

While acoustic studies in the past decade documented a raised /o/ by showing their lowered first formants (F1) almost overlapped with those of high back vowel /u/, no consensus has been made in terms of how this /o/-raising affects the vowels as a system in Seoul Korean. The current study aimed to investigate the age- and gender-related differences of the relative distance among the vowels to better understand the influence of this on-going sound change on the vowel system. We measured the static and dynamic spectral characteristics (F1 and F2) of the seven Korean monophthong vowels /e a ʌ o u ɨ i/ in the spontaneous speech of Seoul Corpus, and depicted the patterns of 30 individual speakers (10 speakers in each group of teens, 20s and 40s) as a function of age and gender. The static spectral examination showed low F1 values of /o/ in the spontaneous speech corpus confirming the vowel /o/ raising, and also revealed greater F2 values of /u, ɨ/ suggesting their anterior articulations. The tendencies were stronger when the speakers were younger and female. The spectral trajectories further showed that the F1 and F2 between /o/ and /u/ were differentiated throughout the vowel mid-point although the trajectories gradually merged near the vowel mid point in the older male speakers' productions. The acoustic evidence of contrast among /o, u, ɨ/ supports that the raised /o/ is not indicative of a merger with /u/ but rather implying a chain-like vowel shift in the Seoul Korean.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.1023-1028
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• 2004

RF magnetron sputtering을 이용하여 증착한 투명전도성 ZnO 박막의 F 도핑량에 따른 전기, 구조, 광학적 특성에 대해 고찰하였다. 순수 ZnO와 ZnO : $ZnF_2$(1.3 wt%) 그리고 ZnO : $ZnF_2$(10 wt%) 3개의 타겟들을 2개씩 조합 각각의 rf 파워를 조절하여 co-sputtering 방법으로 $ZnF_2$ wt%를 변화시켜 박막내의 F 도핑량을 조절하였다. 증착된 박막들은 열처리에 따른 물성 변화를 분석하기 위해 $5{\times}10^{-7}$ torr 이하의 진공 분위기에서 $300^{\circ}C$에서 2 시간 동안 열처리하였다. XRD 분석 결과 제작된 모든 ZnO 박막은 (002) 우선 방위 특성을 보였고 F 도핑량 증가에 따라 (101), (110), (100) 방향의 약한 피크들이 나타났으며, 이러한 구조적 특성 변화는 이동도의 변화와 밀접한 관계가 있는 것으로 나타났다. Auger로 박막 내의 F 량을 분석한 결과 최대 5.9 at%의 F이 포함되어 있었으며, 열처리 후 캐리어 농도와 이동도는 증가하였고 최고 $37cm^2/Vs$의 이동도를 나타내었으며, 모든 박막들은 가시광 영역에서 81 % 이상의 투과도를 가졌다.

• 한국세라믹학회지
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• 제24권3호
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• pp.277-281
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• 1987

The various contents of MgF2 from 0 to 12.5wt% are studied in the AlF3-(Mg＋Sr＋Ba)F2-P2O5 system for the effects of various properties in glasses and the atmosphere of melting was controlled by N2 and Ar gas respectively. Density, refractive index, infrared transmission, thermal conductivity and thermal expansion coefficient of glasses are determined. Density, refractive index and thermal conductivity are decreased, micro-hardness and thermal expansion coefficient are increased according to the increasing of MgF2 contents. Infrared transmittance decreases with increasing the MgF2 contents and it slightly dropped by air than N2 and Ar atmosphere. Other properties are not influenced by atmosphere control.