수소 분위기 열처리 및 수소 플라즈마 처리의 두 가지 수소화 표면개질을통해 나노다이아몬드 seed 입자의 분산 향상 및 평탄한 초미세 나노결정질 다이아몬드 박막증착을 위한 핵형성 밀도 향상을 확보하였다. 수소화 처리 이후 나노다이아몬드 입자 표면의 탄소-산소 및 산소-수소 결합기가 탄소-수소 결합기로 전환되는 화학적 표면개질이 진행되었고 Zeta 전위가 증가하였다. 분산도 향상에 따라 나노다이아몬드 응집체 크기가 현저하게 감소하였고 핵형성 밀도는 크게 증가하였다. 600℃, 수소분위기에서 열처리 이후 나노다이아몬드 평균 입자 크기가 3.5 ㎛에서 34.5 nm로 크게 감소하였고, seeding 된 Si 기판 표면에서 ~3.9 × 1011 nuclei/㎠의 매우 높은 핵형성 밀도를 확보하였다.
Liquid-liquid phase separation에는 nucleation and growth와 spinodal decomposition의 2가지 경로가 있다. 상온에서 고농도의 고분자 용액과 저량의 비용매의 조성의 근처에는 용해도 갭으로 들어가게 되면 비용매에 아주 미량의 고분자가 있는 조성을 갖는 핵이 고분자 용액 내에서 형성되고 이러한 핵은 여러게가 액적의 형태로 주위의 고분자 용액의 gelation에 의해서 성장이 멈출 때까지 커지게 된다. 여기서 어떤 고분자 상이 nucleation되는지가 매우 중요하게 된다. 실제 우리가 상전이 막을 제조할 경우는 대부분 10wt% 이상의 고분자 농도이므로 polymer-poor상이 nucleation이 된다. Spinodal decomposition의 경우는 용해도 갭을 빠르게 통과해서 nucleation이 일어나지 않고 spinodal line을 지나는 경우이다. 이러한 경우의 용액은 매우 불안정해서 약간의 농도 변화에도 자발적인 상분리가 일어나서 polymer-poor상과 polymer-rich상이 서로 얽혀져 있는 network구조를 형성하게 된다.
GaN and InN epilayers with nucleation layer (LT-buffer) were grown on (0001) sapphire substrates by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). As-grown and annealed GaN and InN nucleation layers grown at various growth condition were observed by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). When temperature of effusion cell for III source was very low, diffraction pattern with cubic symmetry was observed and zincblende nucleation layer was flattened easily by annealing. As cell temperature increased, LT-GaN and LT-InN showed typical diffraction pattern from wurtzite structure, and FWHM of (10-12) plane decreased remarkably which means much improved crystalline quality. Diffraction pattern was changed to be from streaky to spotty when plasma power was raised from 160 to 220 W because higher plasma power makes more nitrogen adatoms on the surface and suppressed surface mobility of III species. Therefore, though wurtzite nucleation layer was a little hard to be flattened compared to zincblende, higher cell temperature led to easier movement of III surface adatoms and resulted in better crystalline quality of GaN and InN epilayers.
산화 및 수소 분위기 열처리를 통한 화학적 표면 개질로 나노다이아몬드 seed 입자의 응집성 완화 및 초미세나노결정질 다이아몬드 (UNCD) 박막 증착을 위한 핵형성 밀도 향상을 확보하였다. 열처리에 의해 나노다이아몬드 seed 입자표면 작용기가 개질되었고, 제타 전위도 증가하였다. 또한, 응집체 평균 크기가 약 $2{\mu}m$에서 ~55 nm로 크게 감소하였다. $600^{\circ}C$, 수소 열처리된 seed 입자로 seeding 한 Si 기판으로부터 열처리하지 않은 seed 입자에 비해 현저하게 향상된 ${\sim}2.7{\times}10^{11}cm^{-2}$의 매우 높은 핵형성 밀도를 확보하였다.
High quality epitaxial Y2O3 thin films were prepared on Si(111) and (001) substaretes by using ion beam assisted deposition. As a substrate, clean and chemically oxidized Si wafers were used and the effects of surface state on the film crystallinity were investigated. The crystalline quality of the films were estimated by x-ray scattering, rutherford backscattering spectroscopy/channeling, and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The interaction between Y and Si atoms interfere the nucleation of Y2O3 at the initial growth stage, it could be suppressed by the interface SiO2 layer. Therefore, SiO2 layer of the 4-6 layers, which have been known for hindering the crystal growth, could rather enhance the nucleation of the Y2O3 , and the high quality epitaxial film could be grown successfully. Electrical properties of Y2O3 films on Si(001) were measured by C-V and I-V, which revealed that the oxide trap charge density of the film was 1.8$\times$10-8C/$\textrm{cm}^2$ and the breakdown field strength was about 10MV/cm.
When Li2O.2SiO2 glass was crystallized between the temperature of maximum nucleation and the temperature of maximum crystal growth it was found that the control of heating rate had serious effect on the crystallinity and microstructure and the greatly changed physical properties. Density and elastic modulus tends to increase but thermal expansion coefficient decreased with increased crystallinity. When heating rate between the tempe-rature of maximum nucleation and the temperature of maximum crystal growth was 10~5$0^{\circ}C$/hr. crystallinity was increased to result in the increment of strength. When nuclation was done at 44$0^{\circ}C$ for 5 hours and the temperature of crystal growth was held at 575$^{\circ}C$ strength was increased until crystallinity reached 65% and strength was decreased with higher crystallinity. These phenomena could be explained that even for the same crystallinity different heat rates resulted in different number and size of cracks.
An advanced continuum-based multi-physical single particle model was recently introduce for the hydration of tricalcium silicate ($C_3S$). In this model, the dissolution and the precipitation events are modeled as two different yet simultaneous chemical reactions. Product precipitation involves a nucleation and growth mechanism wherein nucleation is assumed to happen only at the surface of the unreacted core and product growth is characterized via a two-step densification mechanism having rapid growth of a low density initial product followed by slow densification. Although this modeling strategy has been shown to nicely mimic all stages of $C_3S$ hydration - dissolution, dormancy (induction), the onset of rapid hydration, the transition to slow hydration and prolonged reaction - the major criticism is that many adjustable parameters are required. If formulated correctly, however, the model parameters are shown here to be statistically independent and significant.
In this study, the effects of thermodynamic hydrate inhibitors on hydrate formation and dissociation behaviors were identified. The nucleation and growth of CP hydrate in the presence of methanol were monitored by optical microscope. Cyclopentane was used to demonstrate the oil phase in the pipeline in this study. Hydrate morphology, required time for hydrate formation, hydrate dissociation temperature were also identified by experiments. With the addition of methanol in water solution, the hydrate nucleation as well as hydrate growth were delayed. Moreover, hydrate morphology was also varied with the addition of methanol. Hydrate formation and dissociation temperature also decrease as the concentration of methanol increases.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.224-227
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2007
The reconstruction characteristics of MgO (111) textured protective layer by over-frequency accelerated discharge in AC-PDP were investigated and correlated to the variations of electronic structures. The reconstruction process and exaggerated grain growth (EGG) were explained by defect-assisted 2-D nucleation and growth mechanism combined with charged cluster model.
수열법에 의해 고온 고압용 autoclave내에서 calcite 단결정을 성장하였으며, 자외-가시영역에서의 투과율 등을 측정하였다. Calcite 단결정 성자에 관해 보고된 광화제로는 6M의 M2CO3(M=K, Rb)와 chloride등이 있는데 강알카리의 경우 성장속도는 크나 autoclave를 백금으로 내장해야 하며 chloride의 경우 자발 핵생성에 의한 성장(spontaneous nucleation and growth)의 경향이 강하여 종자결정위에서 성장하는 것에 비해 autoclave 벽면 위에서 자발 핵생성에 의한 성장이 더 우세한 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 autoclave의 내장재료로 고가의 백금대신 테프론을 사용하고자 성장온도가 테프론의 내온(280℃)에서 NH4Cl을 광화제로 사용하여 calcite 단결정을 성장하였다. 연구결과 NH4Cl 수열용액으로 calcite 단결정을 성장할 때 자발 핵생성을 억제하려면 NaCl 또는 CH3COOH가 소량 첨가된 수열용액에서 온도구배를 6-7℃ 이하로 유지하여 성장하여야 함을 확인하였다. 성장된 calcite의 자외 및 청색 가시영역에서 투과율은 80% 정도로 천연보다 약 10% 높았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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