1 |
H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda : Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
DOI
|
2 |
S. Nakamura : Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
DOI
|
3 |
Y. Saito, N. Teraguchi, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi : Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L91.
DOI
|
4 |
Y. Nanishi, Y. Saito, and T. Yamaguchi : Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 2549.
DOI
|
5 |
H. Na, S. Takado, S. Sawada, M. Kurouchi, T. Akagi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi : J. Crystal Growth 300 (2007) 177.
DOI
|
6 |
J. Suda, T. Kurobe, and H. Matsunami : J. Crystal Growth 201/202 (1999) 437.
DOI
|
7 |
H. Chen, Z. Q. Li, H. F. Liu, L. Wan, M. H. Zhang, Q. Huang, J. M. Zhou, Y. Luo, Y. J. Han, K. Tao, and N. Yang : J. Crystal Growth 210 (2000) 811.
DOI
|
8 |
A. F. Wright and J. S. Nelson : Phys. Rev. B 51 (1995) 7866.
DOI
|
9 |
A. F. Wright : J. Appl. Phys. 82 (1997) 2833.
DOI
|
10 |
D. Muto, R. Yoneda, H. Naoi, M. Kurouchi, T. Araki, and Y. Nanishi : Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 831 (2005) E4.2.1.
|
11 |
M. Gherasimova, G. Cui, Z. Ren, J. Su, X.-L. Wang, J. Han, K. Higashimine, and N. Otsuka : J. Appl. Phys. 95 (2004) 2921.
DOI
|
12 |
J. E. Van Nostranda, K. L. Averetta, R. Cortezb, J. Boeckla, C. E. Stutza, N. A. Sanfordc, A. V. Davydovd, and J. D. Albrechtb : J. Crystal Growth 287 (2006) 500.
DOI
|