The performance of a long wavelength-band erbium-doped fiber amplifier (L-band EDFA) using 1530nm-band pumping has been studied. A 1530nm-band pump source is built using a tunable light source and two C-band EDFAs in cascaded configuration, which is able to deliver a maximum output power of 23dBm. Gain coefficient and noise figure (NF) of the L-band EDFA are measured for pump wavelengths between 1530nm and 1560nm. The gain coefficient with a 1545nm pump is more than twice as large as with a 1480nm pump. It indicates that the L-band EDFA consumes low power. The noise figure of 1530nm pump is 6.36dB at worst, which is 0.75dB higher than that of 1480nm pumped EDFA. The optimum pump wavelength range to obtain high gain and low NF in the 1530nm band appears to be between 1530nm and 1540nm. Gain spectra as a function of a pump wavelength have bandwidth of more than 10nm so that a broadband pump source can be used as 1530nm-band pump. The L-band EDFA is also tested for WDM signals. Flat Gain bandwidth is 32nm from 1571.5 to 1603.5nm within 1dB excursion at input signal of -10dBm/ch. These results demonstrate that 1530nm-band pump can be used as a new efficient pump source for L-band EDFAs.
본 논문에서는 다양한 모바일 TV 규격을 지원할 수 있는 모바일 TV 튜너용 VHF 및 UHF 대역 가변 이득 저잡음 증폭기를 제안한다. 제안한 VHF 대역 가변 이득 증폭기는 외부 매칭 소자를 제거하기 위해 저항 피드백을 이용하여 저잡음 증폭기와 저주파수 잡음 특성을 개선하기 위해 PMOS 입력을 사용하는 싱글-차동 증폭기, 이득 범위를 제어하기 위해 저항 피드백 부분과 감쇄기로 구성된다. 제안한 UHF 대역 가변 이득 증폭기는 잡음 특성과 외부 간섭 신호 제거 특성을 향상시키기 위해 협대역 저잡음 증폭기와 $g_m$ 가변 방식을 이용하여 이득을 제어할 수 있는 싱글-차동 증폭기와 감쇄기로 구성된다. 제안한 VHF 및 UHF 대역 가변 이득 저잡음 증폭기는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 설계하였고, 전원 전압 1.8 V에서 각각 22 mA와 17 mA 의 전류를 소모하면서 약 27 dB와 27 dB의 전압 이득, 1.6-1.7 dB와 1.3-1.7 dB의 잡음 지수, 13.5 dBm와 16 dBm의 OIP3의 성능을 보인다.
0.25 um SiGe BiCMOS 공정을 이용하여 Ku-대역 저잡음 증폭기가 설계 및 제작되었다. 개발된 Ku-대역 저잡음 증폭기는 BiCMOS 공정의 HBT 소자를 이용하여 설계되었으며, 9~14 GHz 대역에서 2.05 dB 이하의 잡음 지수 특성과 19 dB 이상의 이득 특성을 가지고 있다. 제조 공정과 관련되어 제공된 PDK의 부정확성 및 부족한 인덕터 라이브러리를 보완하기 위하여 p-tap 값 최적화와 인덕터의 EM 시뮬레이션 기법 등을 활용하였다. 총 2회의 제작 공정을 수행하였으며, 최종 제작된 Ku-대역 저잡음 증폭기는 $0.65\;mm{\times}0.55\;mm$의 크기로 구현되었다. 특히 최종 제작된 저잡음 증폭기의 레이아웃에서 입/출력 RF Pad와 Bias Pad 등을 제외하고 약 $0.4\;mm{\times}0.4\;mm$ 정도의 크기를 갖도록 조정되어 다기능 RFIC의 증폭단으로 활용되었다.
This paper deals with transmission loss characteristics of the panel type silencer to control low frequency noise. The panel type silencer is composed of many Helmholtz resonators by side branch. Each resonator has high transmission loss on the narrow band of its resonance frequency. Direct arrangement of the resonators increases mainly the magnitude of transmission loss. If we arrange the resonators in a row, the peak and band of transmission loss are increased. This makes the resonator array to have high transmission loss in the broader band. Using this idea, we design a silencer that has broader band characteristics and smaller volume.
W. Y. Uhm;T. S. Kang;D. An;Lee, B. H.;Y. S. Chae;Park, H. M.;J. K. Rhee
한국전자파학회:학술대회논문집
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한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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pp.69-73
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2002
We have designed and fabricated a low-cost, V-band CPW receiver chip set using GaAs PHEMT technology for the application of millimeter-wave wireless communication systems. Low noise amplifiers and down-converters were developed for this chip set. The fabricated low noise amplifier showed an S$\sub$21/ gain of 14.9 ㏈ at 60 ㎓ and a noise figure of 4.1 ㏈ at 52 ㎓. The down-converter exhibited a high conversion gain of 2 ㏈ at the low LO Power of 0 ㏈m. This work demonstrates that the GaAs PHEMT technology is a viable low-cost solution for V-band applications.
본 논문에서는 리미터-변별기 검파방식과 Intergrate-and-Dump 필터링을 하는 FH/CPFSK 시스템에 다이버시티를 적용하여 시스템의 성능을 분석하였고, 시스템을 평가하는데 있어서 열잡음과 부분대역 재밍 잡음, 인접한 8개의 Bit 패턴에 대한 심볼간 간섭, FM 잡음 클릭을 고려하였다. 그 결과, 최악의 재밍환경하에서 다이버시티를 고려한 시스템의 성능은 열잡음이 존재하는 경우(E/E=15dB) 다이버시티를 고려하지 않은 시스템의 성능보다 약 5dB정도 감소되었지만, 열잡음을 무시한 경우에는 다이버시티를 고려하지 않은 시스템의 성능보다 약 16dB정도 개선됨을 입증하였다.
Kim Young Sun;Kong Jong-Pil;Heo Haeng-Pal;Park Jong-Euk;Paik Hong-Yul
대한원격탐사학회:학술대회논문집
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대한원격탐사학회 2004년도 Proceedings of ISRS 2004
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pp.444-447
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2004
SNR(Signal to Noise Ratio) is one of the most important performance for the electro-optical camera system. This paper shows not only the SNR analyses for the MSC system, which is the payload in the KOMPSAT2 satellite, but also the trials for its improvement in the electronics circuit design. The MSC deals with one panchromatic band and four multi-spectral bands. The SNR analyses are performed based on the MSC design for the each band and assuming that the defined radiance reached directly to the sensor entrance pupil. In the SNR calculation, shot noise, dark current noise, analog electronics noise and ADC quantization noise are considered as noise sources. In these noise sources, especially, the electronics noise depends on the camera electronics design. This paper shows the camera electronics design to increase SNR and its test results as well as the SNR analyses.
본 논문에서는 멀티밴드 CDMA 단말기 설계 시 IS-98 표준안으로부터 요구되는 교차변조 잡음의 레벨을 결정하고, 각 부품들의 성능을 결정 할 수 있는 수식을 제시하였다. 또한 제시된 수식으로부터 설계 전에 단말기의 성능 및 마진 정도를 미리 예측 할 수 있었다. 검증을 위해 퀼컴 사(社)의 Zero-IF 구조로 멀티밴드 CDMA 단말기를 설계 및 제작하였으며, 측정을 통해 본 논문에서 제시한 수식의 타당성을 검증하였다. 그 결과 ${\pm}0.5dB$ 오차 내에서 거의 동일한 결과를 얻었다. 따라서 본 논문이 멀티밴드 CDMA 단말기 설계 시 표준안 조건을 만족시키기 위한 기준이 될 것이다.
This paper introduces the design and implementation of 40-㎓-band low noise amplifier (LNA) with ultra low gain flatness for wide-band wireless multimedia and satellite communication systems. The 40-㎓-band 4-stage LNA MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) demonstrates a small signal gain of more than 20 ㏈, an input return loss of 10.3 ㏈, and an output return loss of 16.3 ㏈ for 37$\square$42 ㎓. The gain flatness of the 40-㎓-band 4-stage LNA MMIC was 0.1 ㏈ for 37$\square$42 ㎓. The noise figure of the 40 ㎓-band LNA was simulated to be less than 2.7 dB for 37~42 ㎓. The chip size of the 4-stage LNA MMIC was 3.7${\times}$1.7 $\textrm{mm}^2$.
W-대역 도파관 잡음원 교정을 위한 잡음 측정 시스템을 구성하고, 기본적인 특성에 대하여 논하였다. 잡음 측정 시스템은 상용 잡음 지수 분석기, W-대역 주파수 변환기, 그리고 국부발진기로 구성되어 있다. 일반적으로 잡음원 교정에는 Y인자법이 사용된다. Y인자법에서는 잡음 수신 시스템의 출력이 입력 잡음 전력과 선형적이라는 가정을 전제한다. 그러므로 잡음 측정 시스템의 선형성은 시스템의 성능을 결정하는 기본적인 파라미터이다. 잡음 측정 시스템의 선형성은 믹서부, 중간 주파수(IF)부, RF부로 나누어 평가하였으며, 각각 0.24 dB, 0.05 dB, 0.20 dB이다. 또, 잡음 측정 시스템의 잡음 지수는 7~17 dB로 평가되었다. 이 잡음 측정 시스템은 잡음원 교정뿐만 아니라, 여러 가지 전기전자 소자, 기기, 그리고 시스템의 잡음 특성 평가에도 활용될 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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