• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권2호
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• pp.176-180
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• 2006

[ $(Na_{0.5}Bi_{0.5})TiO_3$ ][NBT] thin films were prepared on a highly (100) oriented $LaNiO_3[LNO]$ by sol-gel process. X-ray diffraction patterns of the NBT films annealed above $600^{\circ}C$ for 5 minutes have confirmed a highly (100) oriented growth and pseudocubic structure (a=3.884${\AA}$). The (l00) orientation factor increased from 90 to $99\%$ with increasing soaking time from 5 to 60 minutes at $600^{\circ}C$. The NBT films ($600^{\circ}C$/5 min,) have a flat and dense microstructure with large columnar grains, and their grain size are about 44 nm. The Au/NBT/LNO/Si hetero structure sample show a ferroelectric properties.

• 전기화학회지
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• 제8권1호
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• pp.32-36
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• 2005

본 연구는 $WO_3$ 박막과 $NiO-WO_3$ 박막을 고진공 저항가열식 thermal evaporation 법으로 (100) n형의 실리콘 단결정 기판 위에 증착시켰고, 막의 결정성 증진을 위하여 공기 중 $500^{\circ}C$에서 30분 동안 열처리하였다. 박막의 결정성 및 결정구조를 분석하기 위해서 X선 회절분석기를 사용하였고, 표면 및 단면 관찰을 위해서는 주사전자현미경을 이용하였다. 그리고 화학 조성 결합에너지는 XPS를 이용하였다. 순수 $WO_3$ 박막의 결정 크기는 $500^{\circ}C$에서 30분 동안 공기중 열처리에 의해서 $0.6{\mu}m$로 성장하였고 $WO_3$ 박막의 두께가 증가할수록 거의 변화 없이 일정하였다. 반면, NiO가 첨가된 $WO_3$ 박막 두께별 결정크기는 각각 $0.12{\mu}m,\;0.28{\mu}m,\;0.32{\mu}m$및 $0.43{\mu}m$로 순수 $WO_3$ 박막에 비해 치밀한 표면을 형성하였고, 최대 5배정도 성장이 억제되었다. 가스감도 측정은 대기 중에서의 센서 저항 값을 기준으로 측정가스 저항 값의 비율 $(R_{NOx}/R_{air})$로 가스감도를 나타내었다. 전기적 성질은 MFC로 NOx가스 5ppm을 일정히 유지시켰고, Multimeter로 계측하여 컴퓨터에 자동 계측되는 시스템을 사용하였다. 순수 $WO_3$박막보다는 $NiO-WO_3$ 박막이 우수한 NOx 감도특성을 보였고 센서의 작동온도는 $250^{\circ}C$에서 우수한 감도를 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권12호
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• pp.1080-1086
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• 2003

Effects of E$_2$O$_3$. HO$_2$O$_3$ and Dy$_2$O$_3$ addition on dielectric properties of non-reducible BaTiO$_3$ based X7R dielectrics with Ni electrode have been studied in a reduced atmosphere. As the content of rare-earth with E$_2$O$_3$. HO$_2$O$_3$, Dy$_2$O$_3$ was less than 3wt%, The TCC(Temperature Capacitance Change) and insulation resistance characteristics were improved by compensate the oxygen vacancies due to occupy either the Ba or Ti site. We developed the composition of X7R (EIA standard) for higher capacitance MLCC which had high reliability electric properties by the addition of Er ion into BaTiO$_3$ + MgO + Y2O$_3$ + MnO + (Ba$\sub$0.4/Ca$\sub$0.6/)SiO$_3$ composition.

• 전기화학회지
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• 제9권1호
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• pp.34-39
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• 2006

Li free 음극으로써 구리 foil 집전체에 $Li_{0.5}La_{0.5}TiO_3$ 및 Si 박막을 r.f, 스퍼터링법을 이용하여 증착하고 양극 물질로는 $Li[Co_{0.1}Ni_{0.15}Li_{0.2}Mn_{0.55}]O_2$를 이용하여 전기화학적 특성을 평가하였다. 박막 증착시 플라즈마 내(in-plasma)와 밖(out of plasma)에 구리 foil을 각각 위치시켰다. X-ray 회절 분석의 경우 각각의 조건에서 $Li_{0.5}La_{0.5}TiO_3$ 및 Si 모두 결정 특성의 차이를 발견할 수 없었다. $Li_{0.5}La_{0.5}TiO_3$의 경우 플라즈마 내에서 증착된 경우 그리고 Si 경우는 플라즈마 밖에서 증착된 경우 각각 싸이클 특성이 우수한 것으로 나타났다. 이는 $Li_{0.5}La_{0.5}TiO_3$ 경우 결정성이 존재할 경우 이온전도 특성이 우수하며 Si 경우 플라즈마 내에서 성장된 박막이 더욱 치밀하여 충방전 중 부피변화에 더욱 민감하였기 때문으로 판단된다. 이상의 결과로부터 (1)전지 용량을 갖는 5게 의한 표면 개질의 경우 구조적으로 안정할 수 있는 비정질 상의 Si이 보다 더 바람직하며 (2) 이온전도 특성을 보이는 $Li_{0.5}La_{0.5}TiO_3$와 같은 소재를 이용하여 표면 개질을 할 경우 Li의 확산이 더욱 용이한 구조가 바람직할 것으로 판단된다.

• 공업화학
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• 제28권3호
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• pp.326-331
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• 2017

캐스터오일은 수소화반응을 통해 계면활성제의 중간체 등 유용한 화학산업의 원료로 활용 가능하다. 본 연구에서는 캐스터오일의 수소화용 니켈촉매의 제조조건과 전처리 조건에 대한 영향을 연구하였다. 니켈촉매는 침전제와 pH를 다르게 하여 실리카 담체상에 침전법으로 담지되었고, 다시 산화와 환원의 반복된 전처리를 행하였다. 니켈촉매의 활성은 캐스터오일의 요오드 가를 측정하여 비교하였고, 니켈촉매의 분산도는 XRD, BET, TEM을 통하여 분석하였다. 니켈촉매의 활성을 CO산화반응실험을 통하여도 비교하였다. 산화와 환원 사이클의 반복에 의해 니켈의 재분산이 실리카 상에서 발생하였고, 이것이 캐스터오일 수소화반응 활성을 증진시키는데 기여하였다.

• 한국표면공학회지
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• 제38권1호
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• pp.44-48
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• 2005

We prepared nickel silicide layers from p-Si(l00)/SiO₂(2000 Å)/poly-Si(700 Å)/Ni(400 Å) structures, feasible for gates in MOSFETs, by annealing them from 500℃～900℃ for 30 minutes. We measured the color coordination in visible range, cross sectional micro-structure, and surface topology with annealing temperature by an UV-VIS-IR spectrometer, field effect scanning electron microscope(FE-SEM), and scanning probe micro-scope respectively. We conclude that we may identify the nickel silicide by color difference of 0.90 and predict the silicide process reliability by color coordination measurement. The nickel silicide layers showed similar thickness while the columnar grains size and surface roughness increased as annealing temperature increased.

• 한국대기환경학회지
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• 제18권5호
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• pp.363-372
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• 2002

PM$_{10}$ aerosols were collected using low volume air sampler every month intervals from September 1992 to August 1991 in Seoul. These samples were analyzed for 20 trace elements (Al, As, Ba, Br, Ca, Cl, Co, Cr, Fe, K, Mn, Na, Ni, Pb, Sc, Se, Si, Ti, V and Zn) by INAA (instrumental neutron activation analysis), XRF (x-ray fuorescence spectrometer), and ICP (inductively coupled plasma). PM$_{10}$ mass concentrations higher than 70 $\mu$g/m$^3$ were 32% of 60 samples and had significantly higher concentrations in spring and winter than in summer and fall (p-value<0.001). The elements of As, Br, Cl, Ni, Pb, Se, V, and Zn are enriched by factors of 20 to 2,000 relative to their natural abundance in crustal soil. To further identify common sources of pollution-related trace elements, factor analysis was applied to the trace elements concentration data. Major sources that contribute to the atmospheric loading of these elements were found to include fossil fuel combustion, automobile and waste incineration (33.2%), metal processing industry (18.2%), and soil(29.8%).8%).

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.308-308
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• 2012

Electrodeposition of thermoelectric materials, including binary and ternary compounds, have been attracting attentions, because its many advantages including cost-effectiveness, rapid deposition rate, and ease of control their microstructure and crystallinity by adjusting electrodeposition parameters. In this work, $Bi_xTe_y$ films were potentiostatically electrodeposited using Au/Ni(80/20 nm)/Si substrate as the working electrode in solutions consisting of 10mM $TeO_2$ and 1M $HNO_3$ where $Bi(NO_3)_3$ was varied from 2.5 to 10 mM. Prior to electrodeposition potentiostatically, linear sweep voltammograms (LSV) were acquired with a standard three-electrode cell. The $Bi_xTe_y$ films deposited using the electrolyte containing low Bi ions shows p-type conductivity, which might be attributed by the large incorporation of Te phases. Near stoichiometric $Bi_2Te_3$ thin films were obtained from electrolytes containing 5mM $Bi(NO_3)_3$. This film shows the maximum Seebeck coefficient of $-100.3{\pm}12.7{\mu}V/K$. As the increase of Bi ions in electrolytes decreases the Seebeck coefficient and resistivity. The maximum power factor of $336.2{\mu}W/m{\cdot}K^2$ was obtained from the film deposited using the solution of 7.5mM $Bi(NO_3)_3$.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제22권2호
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• pp.101-107
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• 1990

PIXE(Proton Induced X-ray Emission)법을 수도물, 적포도주, 소변 및 흑분시료의 미량원소분석에 적용하여 보았다. SNU 1.5-MV 탄뎀 반데 그라프 가속기에서 얻은 1.202 MeV 양성자빔을 시료에 조사시켰으며 X-선 스펙트럼은 Si(Li) 스펙트로미터로 측정하였다. 분석의 감도를 높이기 위해 수도물은 증발법을 사용하여 농축하였다. 표준시료로서 흑분에는 Ni가루를 섞었고 다추 시료에는 yttrium용액을 첨가하였다. PIXE 스펙트럼은 AXIL(Analytical X-ray Analysis by Iterative Least-squares) 컴퓨터 프로그램을 사용하여 분석하였는데, 최소자승법은 Marquardt 알고리즘에 기초하고 있다. 수도물에서는 Mg, Al, Si, Ti, Fe, Zn등과 같은 원소들이 ppm이하의 함량으로 분석되었다 농축을 하지 않은 적포도주 시료에서는 Ti 원소가 3 ppm의 함량으로 검출되었다. 결론적으로 표준시료를 쓴 상대측정법에 의한 수용액시료분석에 PIXE법이 적합함을 입증할 수 있었으며, 정확한 X-선 발생단면적을 사용하고 시료준비기술을 개발하면 이 분석법을 향상시킬 수 있으리라 기대한다.

• 한국재료학회지
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• 제16권9호
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• pp.564-570
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• 2006

Silicides have been required to be below 40 nm-thick and to have low contact resistance without agglomeration at high silicidation temperature. We fabricated composite silicide layers on the wafers from Ni(20 nm)/Co(20 nm)/poly-Si(70 nm) structure by rapid thermal annealing of $700{\sim}1100^{\circ}C$ for 40 seconds. The sheet resistance, surface composition, cross-sectional microstructure, and surface roughness were investigated by a four point probe, a X-ray diffractometer, an Auger electron spectroscopy, a field emission scanning electron microscope, and a scanning probe microscope, respectively. The sheet resistance increased abruptly while thickness decreased as silicidation temperature increased. We propose that the fast metal diffusion along the silicon grain boundary lead to the poly silicon mixing and inversion. Our results imply that we may consider the serious thermal instability in designing and process for the sub-0.1 um CMOS devices.