• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.371-374
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• 2004

In this paper, Ni Germane-silicide formed on undoped $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ as well as source/drain dopants doped $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ was characterized by the four-point probe for sheet resistance. x-ray diffraction (XRD), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and field emission scanning electron microscope (FESEM). Low resistive NiSiGe is formed by one step RTP (Rapid thermal processing) with temperature range at $500{\~}700^{\circ}C$. To enhance the thermal stability of Ni Germane-silicide, Ni/Co/TiN structure with different Co concentration were studied in this work. Low sheet resistance was obtained by Ni/Co/TiN structure with high Co concentration using 2-step RTP and it almost keeps the same low sheet resistance even after furnace annealing at $650^{\circ}C$ for 30 min.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.48.1-48.1
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• 2009

Ti합금은 생체적합성이 우수하여 생체재료로 널리 사용되어 왔으며, 특히 Nitinol로 알려진 Ti-Ni합금은 형상기억특성 및 초탄성특성을 지녀 치열교정용 와이어나 혈관확장용 스텐트 등으로 사용되어 왔다. 최근 Ni과 같은 세포독성 합금원소의 용출가능성이 문제가 되어 Ni을 함유하지 않는 Ti합금이 주목받고 있다. 본 연구에서는 Ti-Nb-Ge 합금의 집합조직과 초탄성 및 기계적 특성의 관계를 고찰함으로써, 사용목적이나 요구특성에 부합되는 가공열처리방법을 도출하고자 하였다. 비소모전극식 진공아크용해장치를 이용하여 Ti-Nb-Ge 합금 버튼을 만들고, 이를 $1000^{\circ}C$에서 30분간 유지 후 얼음물에 급랭처리하였다. 이후 집합조직 제어를 위해 등속압연 및 이속압연의 두가지 방법으로 냉간압연한 후, $850^{\circ}C$에서 30분~2시간까지 열처리하였다. 광학현미경과 투과전자현미경을 이용하여 미세조직을 관찰하고, X-선 회절분석법을 이용하여 집합조직을 분석하였다. 또한 순환식 인장시험을 통해 시편의 초탄성 특성 및 기계적 성질을 평가하였다. 등속압연재는 {001}<110>에서 {111}<110>에 이르는 $\alpha$-fiber가 발달하는 한편, 이속압연재는 {001} 및 {111}가 발달하는 것으로 나타났다. 또한 압연방향으로 <110>이 평행한 집합조직이 발달할수록 초탄성 특성이 높게 나타났다. 이는 응력유기 마르텐사이트 변태 시 $\beta$의 <110>방향이 $\alpha$" <010>방향으로 변할 때 길이가 증가하므로, 시편에 인장방향으로 <110>이 평행한 집합조직이 발달할수록 응력유기 마르텐사이트 변태가 용이해지기 때문인 것으로 사료된다.

• 한국결정학회:학술대회논문집
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• 한국결정학회 2007년도 추계학술연구발표회 및 정기총회
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• pp.9-9
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• 2007

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.84-84
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• 1999

최근 큰 잔류분극을 가진 강유전체 Pb(Zr, Ti)O3 박막을 이용한 비휘발성 기억소자의 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 Pb(Zr, Ti)O3 박막을 비휘발성 기억소자로 응용하는 경우 분극피로(polarization fatigue), imprint, 누설전류 등의 문제점이 나타나는 것으로 알려져 있다. 특히 분극반전 횟수가 증가할수록 잔류분극이 감소하는 분극피로 현상은 비휘발성 기억소자의 응용에 있어서 치명적인 장애가 되므로 기억소자의 실용화를 위해서는 분극피로 현상의 개선이 무엇보다 중요하다. 본 연구에서는 Pb(Zr, Ti)O3 강유전체 박막의 분극피로 현상을 규명하고 개선하기 위해서 다음과 같은 세가 실험적 방법으로 접근하였다. 먼저 Pt와 금속산화물인 LaNiO3을 이용하여 상·하부 전극을 달리하여 제조한 축전기에 대해서 분극피로 특성을 관찰하고 이로부터 분극피로 현상에 대한 전극의 효과를 조사하였다. 여기서 금속산화물인 LaNiO3 박막과 Pt 박막은 r.f. 스퍼트 법으로 증가하였으며 Pb(Zr, Ti)O3 박막은 LaNiO3/Si(100)/와 Pt/Ti/SiO2/i(100) 기판위에 졸겔법으로 제조하였다. 다음으로 분극피로된 박막의 상부전극에 극성이 다른 직류전압을 인가해주었을 때 나타나는 분극회복 현상을 광범위하게 관찰하였으며, 특히 직류전압의 극성에 따라 비대칭적인 분극회복 특성을 보였다. 마지막으로 이와 같은 직류전압에 대한 비대칭적인 분극회복현상에 착안하여 양과 음의 방향으로 바이어스된 스윗칭 펄스를 인가하여 분극피로 특성을 조사한 결과 비대칭적인 분극피로 현상을 관찰할 수 있었다. 이와 같은 Pv(Zr, Ti)O3 박막의 분극피로와 회복의 비대칭적인 현상은 분극피로 현상의 기구를 밝히는 중요한 근거가 되었으며, 본 연구에서는 하부 계면에서의 산소빈자리의 역할로 분극피로 현상을 모형화하였다.식각하기 시작하였으며, 19.5J/cm2에서 유리기판의 rudraus(격벽 두께 130$\mu\textrm{m}$)까지 식각하였다. 대한 정보(RDF)는 명확하게 얻을 수 있었다.nospec과 SEM으로 관찰하였다. 또한 Ge 함량 변화에 따른 morphology 관찰과 변화 관찰을 위하여 AFM, SEM, XRD를 이용하였으며, 이온주입후 열처리 온도에 따른 활성화 정도의 관찰을 위하여 4-point probe와 Hall measurement를 이용하였다. 증착된 다결정 SiGe의 두게를 nanospec과 SEM으로 분석한 결과 Gem이 함량이 적을 때는 높은 온도에서의 증착이 더 빠른 증착속도를 나타내었지만, Ge의 함량이 30% 되었을 때는 온도에 관계없이 일정한 것으로 나타났다. XRD 분석을 한 결과 Peak의 위치가 순수한 Si과 순수한 Ge 사이에 존재하는 것으로 나타났으며, ge 함량이 많아짐에 따라 순수한 Ge쪽으로 옮겨가는 경향을 보였다. SEM, ASFM으로 증착한 다결정 SiGe의 morphology 관찰결과 Ge 함량이 높은 박막의 입계가 다결정 Si의 입계에 비해 훨씬 큰 것으로 나타났으며 근 값도 증가하는 것으로 나타났다. 포유동물 세포에 유전자 발현벡터로써 사용할 수 있음으로 post-genomics시대에 다양한 종류의 단백질 기능연구에 맡은 도움이 되리라 기대한다.다양한 기능을 가진 신소재 제조에 있다. 또한 경제적인 측면에서도 고부가 가치의 제품 개발에 따른 새로운 수요 창출과 수익률 향상, 기존의 기능성 안료를 나노(nano)화하여 나노 입자를 제조, 기존의 기능성 안료에 대한 비용 절감 효과등을 유도 할 수 있다. 역시 기술적인 측면에서도 특수소재 개발에 있어 최적의 나노 입자 제어기술 개발 및 나노입자를 기능성 소재로 사용하여 새로운 제품의 제조와 고압 기상 분사기술의 최적화에

• Journal of Magnetics
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• 제22권2호
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• pp.175-180
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• 2017

CoNi alloy films prepared from electrolytes with various concentrations of cobalt ions were studied in the paper. Influences of different cobalt ions concentrations on electrochemistry processes, components, microstructures, surface morphologies and magnetic properties of CoNi films were investigated. It was found that CoNi film plating was a kind of anomalous codeposition process. The percentage of cobalt content in CoNi films was higher than that of in the electrolyte. Moreover, with the rise of cobalt ions concentrations, the percentage of cobalt content in the samples increased gradually. CoNi films possessed crystal structures with four stronger diffraction peaks. However, CoNi films prepared from bath with higher cobalt ions possessed hcp structures which contributed to dendrite structures resulting in the increase of coercivity.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.225-225
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• 2003

실리카글라스를 기초로 하는 PLC소자는 가격, 광 손실 성질과 광섬유와의 결합효율이 좋아 광통신에 응용되어지고 있으며 Ge 도핑된 실리카 글라스는 PLC소자의 코어물질로 널리 사용되고 있다. 소작제작을 위해서는 높은 식각률과 깨끗하고 적은 표면손상을 얻어야 하므로 유도결합플라즈마를 이용한 건식식각공정개발이 이루어 져야 한다. 본 연구에서는 Ge 도핑된 실리카글라스의 식각특성을 연구하기 위해 $C_2$F/6 와 NF$_3$가스를 사용하였고 ICP power, bias power, 압력, 플라즈마와 샘플간의 거리를 변화시키면서 식각속도, 표면거칠기, 메사수직도, 마스크선택도등 기본공정 조건을 연구하고 첨가가스(CH$_4$, $O_2$), 마스크 물질(Ni, Cr, PR) 도핑농도(0.3, 0.45, 0.7%)등을 변화시키면서 식각특성을 연구하였다. 그 결과 300nm/min, 정도의 식각속도를 가지고 수직한 메사각도(~89$^{\circ}$)와 미려한 표면(표면거 칠기 1.5nm 이하)를 갖는 결과를 얻었다.

• Journal of the Korean Statistical Society
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• 제34권4호
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• pp.263-272
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• 2005

Let {$X_n,\;n{\ge}1$} be a sequence of negatively associated random variables which are dominated randomly by another random variable. We discuss the limit properties of weighted sums ${\Sigma}^n_{i=1}a_{ni}X_i$ under some appropriate conditions, where {$a_{ni},\;1{\le}\;i\;{\le}\;n,\;n\;{\ge}\;1$} is an array of constants. As corollary, the results of Bai and Cheng (2000) and Sung (2001) are extended from the i.i.d. case to not necessarily identically distributed negatively associated setting. The corresponding results of Chow and Lai (1973) also are extended.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2009년도 정기총회 및 동계학술연구발표회
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• pp.71-71
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• 2009

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제27권3_4호
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• pp.829-842
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• 2009

Let {$X_{ni}|1\;{\le}\;i\;{\le}\;n$, $n\;{\ge}\;1$} be an array of rowwise negatively associated random variables and let $\alpha$ > 1/2, 0 < p < 2 ${\alpha}p\;{\ge}\;1$. In this paper we discuss $n^{{\alpha}p-2}h(n)$ max $_{1\;{\le}\;k{\le}n}\;|\;{\sum}^k_{i=1}\;X_{ni}|/n^{\alpha}\;{\to}\;0$ completely as $n\;{\to}\;{\infty}$ under not necessarily identically distributed with a suitable conditions and h(x) > 0 is a slowly varying function as $x\;{\to}\;{\infty}$. In addition, we obtained that $n^{{\alpha}p-2}h(n)$ max $_{1\;{\le}\;k{\le}n}\;|\;{\sum}^k_{i=1}\;X_{ni}|/n^{\alpha}\;{\to}\;0$ completely as $n\;{\to}\;{\infty}$ if and only if $E|X_{11}|^ph(|X_{11}|^{1/\alpha})\;<\;{\infty}$ and $EX_{11}\;=\;0$ under identically distributed case and some corollaries are obtained.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2003년도 하계학술연구발표회 및 한.일 공동심포지엄
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• pp.154-155
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• 2003

Substituting transition metals such as V, Cr, Mn, Fe, Co and Ni into semiconductors have been of interest because of its unique electrical and magnetic properties. It was reported that the magnetoresistance(MR) ratio of CrGe was 1.7% and 1 4% at 120 K in fields of 0.5 and 5 T, respectively. The MR ratio of FeGe was 19% at 180K. The electrical resistivity of CrGe changed according to Cr concentration. In this talk, we report transport properties of V-doped Ge single crystals with several different V concentrations. The carrier densities and mobilities will be determined from Hall measurement.