접착성이 없는 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE)과 나노입자 카본블랙 복합체를 대상으로 전극과의 계면 접착 향상과 고분자 가교 특성에 따른 양온도 계수 (PTC) 특성을 연구하였다. 은페이스트를 전극으로 사용하였을 때에는, 전극과 HDPE의 접착 계면 저항으로 인하여 카본함량이 45 wt% 이상에서 1 $\Omega$ 이었으나, 덴드라이트 (dendrite)된 구리 전극의 경우 HDPE와 전극간의 넓은 면적 접촉에 의한 계면 저항이 0.2 $\Omega$ 이하였다. HDPE와 은페이스트의 계면 저항의 증가로 인하여 구리 박막을 사용하였을 때보다 전체적으로 저항이 높게 나타났다. HDPE와 나노입자 카본블랙 복합체는 온도가 증가하여 HDPE의 비캣연화온도까지는 저항이 일정하게 유지하다가, HDPE의 연화점에서 증가하기 시작하여 용융점에서 극대 값을 나타내는 전형적인 PTC특성을 보여주었다. 일반적으로 HDPE의 용융점을 넘어서면 음온도 계수 (NTC) 현상이 나타나는데, 가교결합을 시킨 HDPE의 경우는, 용융점 이상에서 NTC 현상이 나타나지 않고 저항이 일정하게 유지되거나 증가하는 경향이 나타났다. 구리 (copper) 전극과 고분자와의 계면 접촉 면적을 증가시키기 위하여 크롬 (chromium)을 덴드라이트시킨 전극을 사용하여 계면 접촉 저항을 감소시켰다.
A silicon pressure sensor made of a full bridge of diffused resistors was designed and fabricated using semiconductor integrated circuit process. Thin diaphragms with 30\ulcorner thickness were obtained using anisotropic wet chemical etching technique. Our device showed strong temperature dependence. Compensation networks are used to compensate for the temperature dependence of the pressure sensor. The bridge supply voltage having positive temperature coefficient by compensation networks was utilized against the negative temperature coefficient of bridge output voltage. The sensitivity fluctuation of pressure sensor before temperature compensation was -1700 ppm/\ulcorner, while it reduced to -710ppm\ulcorner with temperature compensation. Our result shows that the we could develop accurate and reliable pressure sensor over a wide temperature range(-20\ulcorner~50\ulcorner).
As a function of sintering temperature and time, the electrical properties of ruthenium based thick film resistors were investigated with microstructure. The variatio of resistivity and TCR(temperature coefficient of resistance)trends of sintered speciman at various sintering temperature were different low resistivity paste(Du Pont 1721) from high one(Du Pont 1741). These phenomena are deeply relative to microstructure of sintered film. With increasing the sintering temperature for 1721 system, the electrical sheet resistivity decreased, but again gradually increased above 80$0^{\circ}C$. And TCR trends in 1721 system are all positive. On the other hand the electrical sheet resistivity of 1741 resistor system decreased with sintering temperature. And TCR trends variable according to sintering temperature. TCR of speciman sintered at $700^{\circ}C$ was negative value, and TCR of 80$0^{\circ}C$ sintered speciman coexisted negative and positive value. But in case of speciman sintered at 90$0^{\circ}C$, TCR was positive value. As results of this fact, it was well known that the charge carrier contributied to electrical conduction in 1741 resistor system varied with sintering temperature.
In this paper, a new CMOS on-chip current reference circit for memory, operational amplifiers, comparators, and data converters is proposed. The reference current is almost independent of temeprature and power-supply variations. In the proposed circuit, the current component with a positive temeprature coefficient cancels that with a negative temperature coefficient each other. While conventional curretn and voltage reference circuits require BiCMOS or bipolar process, the presented circuit can be integrated on a single chip with other digiral and analog circits using a standard CMOS process and an extra mask is not needed. The prototype is fabricated employing th esamsung 1.0um p-well double-poly double-metal CMOS process and the chip area is 300um${\times}$135 um. The proposed reference current circuit shows the temperature coefficient of 380 ppm/.deg. C with the temperature changes form 30$^{\circ}C$ to 80$^{\circ}C$, and the output variation of $\pm$ 1.4% with the supply voltage changes from 4.5 V to 5.5 V.
$Mn{1-X}Fe{2+X}O_4, Mg_{1-X}Fe_{2+X}O_4$ (x=0.0, 0.025, 0.1, 0.2) for negative temperature coefficient (NTC) thermistor was prepared by calcination at $800^{\circ}C$ and sintering at form 1100 to $1250^{\circ}C$ with $50^{\circ}C$ intervals. The best linear property was obtained in the Mn-based sample sintered at $1200^{\circ}C$ with x=0.0 composition. Temperature coefficient of resistance, $\alpha$, was $-5.6%/^{\circ}C$ in the Mn-based sample, $-5.2%/^{\circ}C$ in the MM-based sample, and $-1.6%/^{\circ}C$ in the Mg-based sample. thermistor parameter, B, was in the range of 2665~7780 K. The results show the possibility that Mn-Ni-Co based thermistor could be substituted by the composition used in this study.
Jet aviation fuel is one of liquid fuel which are used in aircraft engines. Korean domestic jet fuel, called Jet A-1, is tested for measurement of ignition delay time by using a shock tube manufactured recently. The temperature varies from 680 to 1250 K and the pressure and equivalence ratio of Jet A-1/air are fixed 20 atm and 1.0, respectively, for this experiment. The ignition delay time data of Jet A-1 are compared with those of Jet A, which has similar properties to Jet A-1. The behavior of negative-temperature-coefficient (NTC) is observed in the temperature range 750-900 K. In addition, ignition delay time of iso-octane is measured, which is one of the surrogate components for jet aviation fuel. The experimental data are compared and validated with the previous results from the literatures. A surrogate fuel for the present Jet A-1 consists of 45.2% n-dodecane, 32.1% iso-octane, and 22.7% 1,3,5-trimethylbenzene. The predicted ignition delay time for the surrogate agrees well with the measured one for Jet A-1.
Temperature stabilities of dielectric constraints and resonant frequencies of the substrates are very important in piezoelectric ceramics oscillators and filters. In this study, it was investigated temperature stability of the length-extensional vibration mode of Pb(Zr$\_$y/Ti$\_$1-y/)O$_3$+x[wt%]Cr$_2$O$_3$ ceramics. The mode can be utilized in fabricating ultra-small 455 kHz IF devices. Addition of Cr$_2$O$_3$ in morphotrophic phase PZT decreased the variations of dielectric constant, electro-mechanical coupling factor k$\_$31/ and resonant frequency by thermal shock. As additive weight of Cr$_2$O$_3$increased, the temperature coefficient of resonant frequency changed from positive number to negative one. And the composition tith temperature coefficient of resonant frequency was shifted to the one with increased Cr$_2$O$_3$ additive weigh by thermal aging.
The electrical property of polymer matrix composites with added carbon powder is studied based on the temperature dependency of the conduction mechanism. The temperature coefficient of the resistance of the polymer matrix composites below the percolation threshold (x) changed from negative to positive at 0.20 < x < 0.21; this trend decreased with increasing of the percolation threshold. The temperature dependence of the electrical property(resistivity) of the polymer matrix composites below the percolation threshold can be explained by using a tunneling conduction model that incorporates the effect of the thermal expansion of the polymer matrix composites into the tunneling gap. The temperature coefficient of the resistance of the polymer matrix composites above the percolation threshold has a positive value; its absolute value increased with increasing volume fraction of carbon powder. By assuming that the electrical conduction through the percolating paths is a thermally activated process and by incorporating the effect of thermal expansion into the volume fraction of the carbon power, the temperature dependency of the resistivity above the percolation threshold can be well explained without violating the universal law of conductivity.
Polymeric positive temperature coefficient(PTC) composites have been prepared by incorporating carbon black(CB) into high density polyethylene(HDPE), polyphenylene sulfide(PPS) and polybutylene terephthalate(PBT) matrices. A PTC effect was observed in the composite, caused by the large thermal expansion due to He consecutive melting of HDPE, PPS and PBT crystallites. This theory is based upon the premise that the PTC phenomenon is due to a critical separation distance between carbon particles in the polymer matrix at the higher temperature. The influence of PTC characteristics of the PPS/CB composite can be explained by DSC result. HDPE, one of prepared composition, exhibit the higher performance PTC behavior that decreaseing of negative temperature coefficient(NTC) effect and improved reproducibility by chemically crosslinking. Also, PBT/CB and PPS/CB composites exhibit the higher PTC peack temperature than HDPE/CB PTC composite, individually $200^{\circ}C$ and $230^{\circ}C$. These PTC composite put to good use in a number of safety application, such as self$.$controlled heater, over-current protectors, auto resettable switch, high temperature proctection sensor, etc.
본 연구에서는 나노구조를 갖는 카본블랙이 충전된 CB/HDPE 복합재료를 용융 혼합법으로 제조한 후 온도변화에 따른 전기적 특성을 고찰하였다. 복합재료의 전기적 재현성 향상과 negative temperature coefficient (NTC) 현상의 제거를 위하여 전자선을 30-150 kGy로 조사하였으며, 조사된 복합재료의 가교함량 분석은 용매 추출법을 이용하였다. 실험결과, CB/HDPE 복합재료의 PTC 세기는 카본블랙의 함량과 입자크기에 크게 영향을 받으며. 가교함량의 급격한 증가에 따른 NTC 현상의 제거는 전자선 흡수선량이 60 kGy일 때였다. 또한 전자선 조사를 통하여 전기적 재현성이 향상되었는데, 이는 복합재료의 가교도 증가에 따른 수지의 용융온도 근처에서의 카본블랙 유동성의 감소 때문이라 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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