ZnAl-LDH(layered double hydroxide) modified with oleic acid(SO-ZnAl LDH) was synthesized and added to the flame retardant ABS compounds containing brominated epoxy resin(BER) and antimony trioxide(${Sb_2}{O_3}$). Flame retardant ABS compounds were manufactured by using a twin-screw co-rotating extruder and subsequently injection molded into several specimen for flame retardancy and mechanical properties. The XRD patterns of ABS nanocomposites showed no peaks. The thermal stability of ABS nanocomposites was enhanced by the addition of SO-ZnAl LDH as shown in TGA results. However, these nanocomposites showed no rating in the UL 94 vertical test at 1.6 mm thickness. Only ABS nanocomposites with additional BER more than 1.5 wt% showed UL 94 V0 rating. Notched Izod impact strength, tensile modulus, and elongation at break of flame retardant ABS nanocomposites increased with the proportion of So-ZnAl LDH whereas their melt index decreased.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.16
no.2
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pp.198-203
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2016
We investigate the effects of magnesium (Mg) suppressor layer on the electrical performances and stabilities of amorphous indium-zinc-tin-oxide (a-ITZO) thin-film transistors (TFTs). Compared to the ITZO TFT without a Mg suppressor layer, the ITZO:Mg TFT exhibits slightly smaller field-effect mobility and much reduced subthreshold slope. The ITZO:Mg TFT shows improved electrical stabilities compared to the ITZO TFT under both positive-bias and negative-bias-illumination stresses. From the X-ray photoelectron spectroscopy O1s spectra with fitted curves for ITZO and ITZO:Mg films, we observe that Mg doping contributes to an enhancement of the oxygen bond without oxygen vacancy and a reduction of the oxygen bonds with oxygen vacancies. This result shows that the Mg can be an effective suppressor in a-ITZO TFTs.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.52
no.5
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pp.206-213
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2015
An omni-directional, graded-index and textured ZnO nanorods with $MgF_2$ anti-reflective(AR) coating films for the electro optical tracking system(EOTS) by e-beam evaporation method are presented. we achieved that the graded index structure can minimize image tracking interference of EOTS which is comparable to a general AR coating films. Optimized ZnO nanorods with $MgF_2$ AR coating films lead to decreasing Fresnel reflection by gradient refractive index. According to our experiment results, ZnO nanorods with $MgF_2$ AR coating films can be used for various electro optical system to improve the optical performance.
Park, Jongwon;Lee, Kyunghwang;Park, Byungkyu;Hong, Shinhyub
Corrosion Science and Technology
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v.12
no.6
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pp.295-303
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2013
Silane surface treatments have been developed as an alternative for toxic and carcinogenic chromate-based treatments for years. It is consistently observed that ultra-thin films offer excellent corrosion protection as well as paint adhesion to metals. The silane performance is comparable to, or in some cases better than, that of chromate layers. Based on the tetra-ethylorthosilicate(TEOS) and methlyl trieethoxysilane(MTES), inorganic sol was synthesized and formed hybrid networks with $SiO_2$ nano particle and polypropylene glycol(PPG) on Zn alloyed steel surface. According to SST results, addition of 10nm and 50nm $SiO_2$ nanoparticle in synthesized solution improved anti-corrosion property by its shear stress relaxation effect during curing process. Also, SST results were shown that anti-corrosive property was affected by the amounts of organic compounds.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.16
no.3
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pp.135-138
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2015
A manganese dioxide (MnO2) layer and zinc (Zn) layer are used as the cathode and the anode to develop filmtype manganese battery, in which a stack of a MnO2 layer, gel electrolyte, and Zn layer are sandwiched between two plastic layers. This paper describes the chemical equation of swelling control upon the film-type manganese battery. We examined the reduction of hydrogen formation, by using calcium hydroxide Ca(OH)2 as an additive in the electrolyte of film-type manganese battery. The phenomena or an effect of reduced hydrogen gas was proven by cyclic voltammogram, X-ray photoelectron spectra (XPS), and volume of hydrogen formation. The amount of H2 gas generation in the presence of Ca2+ ion was reduced from 4.81 to 4.15 cc/g-zinc (14%), and the corrosion of zinc electrode in the electrolyte was strongly inhibited as time passed.
$Zn_{(1-x)}Ni_xAl_2O_4$ (x = 0.0-1.0) spinels were prepared at $800^{\circ}C$ by co-precipitation method and characterized by infrared spectroscopy, X-ray diffraction, scanning electron microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. The specific surface area was determined by BET. SEM image showed nano sized spherical particles. XPS confirmed the valence states of the metals, showing moderate Lewis character for the surface of materials. The powders were successfully used as new heterogeneous catalysts of Biginelli's reaction, a one-pot three-component reaction, leading to some dihydropyrimidinones (DHPMs). These new catalysts that produced good yields of DHPMs, were easily recovered by simple filtration and subsequently reused with persistent activity, and they are non-toxic and environmentally friendly. The optimum amount of catalyst is 20% by weight of benzaldehyde derivatives, while the doping amount has been found optimal for x = 0.1.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.33
no.4
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pp.734-740
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2016
The micron-sized indium zinc tin oxide (IZTO) particles were prepared by spray pyrolysis from aqueous precursor solution for indium, zinc, and tin and organic additives such as citric acid (CA) and ethylene glycol (EG) were added to aqueous precursor solution for indium, zinc, and tin. The obtained IZTO particles prepared by spray pyrolysis from the aqueous solution without organic additives had spherical and filled morphologies, whereas the IZTO particles obtained with organic additives had more hollow and porous morphologies. The micron-sized IZTO particles with organic additives were changed fully to nano-sized IZTO particles, whereas the micron-sized IZTO particles without organic additives were not changed fully to nano-sized IZTO particle after post-treatment at $700^{\circ}C$ for 2 hours and wet-ball milling for 24 hours. Surface resistances of micron-sized IZTO's before post-heat treatment and wet-ball milling were much higher than those of nano-sized IZTO's after post-heat treatment and wet-ball milling. From IZTO with composition of 80 wt. % $In_2O_3$, 10 wt. % ZnO, and 10 wt. % $SnO_2$ which showed a smallest surface resistance IZTO after post-heat treatment and wet-ball milling, thin films were deposited on glass substrates by pulsed DC magnetron sputtering, and the electrical and optical properties were investigated.
Lee, Hyunseung;Rhee, Hoseong;Lee, Sangsoo;Chang, Si Young
Korean Journal of Materials Research
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v.31
no.12
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pp.677-681
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2021
The Mn-Zn ferrite powders were prepared by high energy ball milling, then compacted and sintered at various temperatures to assess their sintering behavior and magnetic properties. The initial ferrite powders were spherical in shape with the size of approximately 70 ㎛. After 3 h of ball milling at 300 rpm, aggregated powders ~230 nm in size and composed of ~15 nm nanoparticles were formed. The milled powders had a density of ~70 % when compacted at 490 MPa for 3 min. In the samples subsequently sintered at 1,273 K ~ 1,673 K for 3 h, the MnZnFe2O4 phase was detected. The density of the sintered samples had a tendency to increase with increasing sintering temperature up to 1,473 K, which produced the highest density of 98 %. On the other hand, the sample sintered at 1,373 K had the highest micro-hardness of approximately 610 Hv, which is due to much finer grains.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.192.1-192.1
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2015
We demonstrated the nonvolatile memory functionality of nano-crystalline silicon (nc-Si) and InGaZnOxide (IGZO) thin film transistors (TFTs) using mobile protons that are generated by very short time hydrogen neutral beam (H-NB) treatment in gate insulator (SiO2). The whole memory fabrication process kept under $50^{\circ}C$ (except SiO2 deposition process; $300^{\circ}C$). These devices exhibited reproducible hysteresis, reversible switching, and nonvolatile memory behaviors in comparison with those of the conventional FET devices. We also executed hydrogen treatment in order to figure out the difference of mobile proton generation between PECVD and H-NB CVD that we modified. Our study will further provide a vision of creating memory functionality and incorporating proton-based storage elements onto a probability of next generation flexible memorable electronics such as low power consumption flexible display panel.
J. C. Sur;Kim, T. S.;T. Y. Ha;Lee, J. K.;S. H. Gee;Y. K. Hong;Park, M. H.;D. W. Erickson;P. J. Lamb
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2002.12a
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pp.92-93
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2002
The substituted lithium ferrites combine useful ferromagnetic properties with high Curie temperature ranging from 55$0^{\circ}C$ to 85$0^{\circ}C$, [1] high saturation magnetization, [2] and low microwave dielectric loss.[3] Saturation magnetization of (Z $n_{1-x}$ F $e_{x}$)A[L $i_{0.5x}$F $e_{ 2-0.5x}$]$_{B}$$O_4$ increased with zinc concentration, followed by a decrease at x = 0.7.[4] This is attributed to a dilution of the A-site with zinc which initially causes an increase in saturation magnetization due to the dominance of the B-site. (omitted)d))d)d))
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[게시일 2004년 10월 1일]
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