We have studied the fabrication of silver micro lines using the silver nano sol on ITO substrate by an ink-jet method. The average particles size of $10wt\%$ silver nano sol synthesized with polyelectrolytes was smaller than 10 nm. The pattern formation of silver nano sol on the substrate closely related with the contact angle of the silver nano sol. The dot shaped of silver nano sol on bare ITO substrate was formed due to the high contact angle of silver nano sol. When ITO substrates was treated with 100 ppm polyethylenimine for silver nano sol patterning, fine silver micro lines of $60{\sim}100{\mu}m$ width was fabricated by ink-jet method.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.184-184
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2012
Recently, InGaN/GaN multi-quantum well grown on GaN pyramid structures have attracted much attention due to their hybrid characteristics of quantum well, quantum wire, and quantum dot. This gives us broad band emission which will be useful for phosphor-free white light emitting diode. On the other hand, by using quantum dot emission on top of the pyramid, site selective single photon source could be realized. However, these structures still have several limitations for the single photon source. For instance, the quantum efficiency of quantum dot emission should be improved further. As detection systems have limited numerical aperture, collection efficiency is also important issue. It has been known that micro-cavities can be utilized to modify the radiative decay rate and to control the radiation pattern of quantum dot. Researchers have also been interested in nano-cavities using localized surface plasmon. Although the plasmonic cavities have small quality factor due to high loss of metal, it could have small mode volume because plasmonic wavelength is much smaller than the wavelength in the dielectric cavities. In this work, we used localized surface plasmon to improve efficiency of InGaN qunatum dot as a single photon emitter. We could easily get the localized surface plasmon mode after deposit the metal thin film because lnGaN/GaN multi quantum well has the pyramidal geometry. With numerical simulation (i.e., Finite Difference Time Domain method), we observed highly enhanced decay rate and modified radiation pattern. To confirm these localized surface plasmon effect experimentally, we deposited metal thin films on InGaN/GaN pyramid structures using e-beam deposition. Then, photoluminescence and time-resolved photoluminescence were carried out to measure the improvement of radiative decay rate (Purcell factor). By carrying out cathodoluminescence (CL) experiments, spatial-resolved CL images could also be obtained. As we mentioned before, collection efficiency is also important issue to make an efficient single photon emitter. To confirm the radiation pattern of quantum dot, Fourier optics system was used to capture the angular property of emission. We believe that highly focused localized surface plasmon around site-selective InGaN quantum dot could be a feasible single photon emitter.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2009.02a
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pp.133-134
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2009
Cold temperature development (CTD) of electron beam (EB) patterned resists and subsequent dry etching were investigated for fabrication of nano-patterned Niobium (Nb). Bulky Nb fims on GaAs substrates were deposited with EB evaporation. Line patterns on Nb cathode were fabricated by EB patterning and reactive ion etching (RIE). Size deviations of nano-sized line patterns from CAD designed patterns are dependent on the EB total exposure, but it can be improved by CTD of EB-exposed resist. Line patterns of 10 to 300 nm widths of EB-exposed resist patterns were drawn under various exposure conditions of $0.2{\mu}s$/dot (total 240,000 dot) with a constant current (50 pA). Compared with room temperature development (RTD), the CTD improves pattern resolution due to the suppression of backscattering effect. RIE with $CF_4$ was performed for formation of several nano-sized line patterns on Nb. Each EB-resist patterned samples with RTDs and CTDs were etched with two different $CF_4$ gas pressures of 5 Pa. Nb etching rate increases while GaAs (or ZEP) etching rate decreases as the chamber pressure increases. This different dependent of the etching rate on the $CF_4$ pressure between Nb and GaAs (or ZEP) has a significant meaning because selective etching of nano-sized Nb line patterns is possible without etching of the underlying active layer.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.502-502
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2007
Current thin film process using memory device fabrication process use expensive processes such as manufacturing of photo mask, coating of photo resist, exposure, development, and etching. However, direct printing technology has the merits about simple and cost effective processes because inks are directly injective without mask. And also, this technology has the advantage about fabrication of fine pattern line on various substrates such as PCB, FCPB, glass, polymer and so on. In this work, we have fabricated the fine and thick metal pattern line for the electronic circuit board using metal ink contains Ag nano-particles. Metal lines are fabricated by two types of printing methods. One is a conventional printing method which is able to quick fabrication of fine pattern line, but has various difficulties about thick and high resolution DPI(Dot per Inch) pattern lines because of bulge and piling up phenomenon. Another(Second) methods is sequential printing method which has a various merits of fabrication for fine, thick and high resolution pattern lines without bulge. In this work, conductivities of metal pattern line are investigated with respect to printing methods and pattern thickness. As a result, conductivity of thick pattern is about several un.
Magnetic and crystallographic properties of patterned media fabricated by nanoimprint lithography and Co-Pt electroplating were studied. Thin films of Ru(20 nm)/Ta(5 nm)/$SiO_2$(100 nm) were deposited on Si(100) wafer and then 25 nm hole pattern was fabricated by nanoimprint lithography on substrate. The electroplated Co-Pt nano-dots have the diameter of 35 nm and the height of 27 nm. Magnetic dot patterns of Co-Pt alloy were created using electroplated Co-Pt alloy and then their properties were measured by MFM, SQUID, SEM, TEM and AFM. We observed single domain with perendicular anisotropy for each dot and achieved optimum coercivity of 2900 Oe. These results mean that patterned media fabricated by nanoimprint lithography and electroplating have good properties in view of extending superparamagnetic limit while satisfying the writability requirements with the present write heads.
Lee, Geun-Tak;Yoon, Bo-Kyung;Acharya, Himadri;Park, Cheol-Min;Huh, June
Macromolecular Research
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v.17
no.3
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pp.181-186
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2009
We fabricated ordered micro/nano patterns induced by controlled dewetting on the topographically patterned PS/P4VP bilayer thin film. The method is based on utilizing microimprinting lithography to induce a topographically heterogeneous bilayer film that allows the controlled dewetting upon subsequent thermal annealing. The dewetting that was initiated strictly at the boundary of the thicker and thinner regions was guided by the presence of the topographic structure. The dewetting front velocity of the microdomains in the confined regions was linearly proportional to the measurement time, which enabled us to control the size of the dewet domain with annealing time. In particular, the submicron sized dot arrays between lines were generated with ease when the dewetting was confined into geometry with a few microns in size. The kinetically driven, non-lithographical pattern structures accompanied the pattern reduction to 400%. The pattern arrays on a transparent glass substrate were especially useful for non-circular microlens arrays where the focal length of the lens was easily tunable by controlling the thermal annealing.
The light diffusion component spreads the light from one point evenly over a large area. Various types of light diffusion parts such as films and lenses are applied in the high-tech industries such as LCD display devices, lighting devices, and solar energy generation. Among these, a diffuser sheet (Diffuser Sheet) has a function to uniformly distribute the light, and various studies have been conducted to improve its function. The shape of the conventional light diffusion pattern is mainly made of a dot or hemispherical shape. In this study, a rectangular cone-shaped structure having a light diffusion function and an advantage of controlling the angle of refraction of light was fabricated by using a solenoid indentation process. The change in shape of the indentation structure was analyzed.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.272-273
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2013
Some living thingsuse micro- or nano- structures for living in nature. Scientists and engineers made efforts to mimic them, and they succeeded in making new types of applications. They used 'Namib desert beetle' to self-filling device by moisture harvesting and 'lotus leaf' to self-cleaning device by water repelling. 'Namib desert beetle' and lotus leaf have micro-patterns on their surface, which consists of hydrophobic or hydrophilic materials [1]. Moreover, micro-patterns on the surface make self-filling or self-cleaning property enhanced because of the surface roughness. Surface roughness enhances wettability [2]. Micro-pattern is a significant factor to make the surface be functional, so we want to make new types of functional surface by micro-patterning. In this work,we make several functional micro-patterns (radial, line, and dot arrays) using maskless lithography and analyze the characteristics of each micro-pattern. In order to analyze and understand surface characteristics, micro-patterns with varying sizes are investigated. All experiments are proceeded on mr-DWL5 photo resists coated on silicon wafers in same condition. All the experiments have demonstrated good performances about hydrophobic or hydrophilic property corresponding to their material and structural combinations. In radial micro-pattern, although the surface is flat, water drops on hydrophilic radial pattern can be convergent to a middle point and water drops on hydrophobic radial pattern can be divergent from the middle point. In line array micro-pattern, water drops can roll off along only one direction in parallel with the line arrays. Such phenomena might be mainly caused by the local change of surface roughness. From these results, controlling the movement and direction of water drops is made feasible without introducing a slope, which can potentially be used for new types of applications.
The InAs multi-quantum dots (MQDs) solar cell and InGaAs multi-quantum wells (MQWs) solar cell to cover 1.1 eV and 1.3 eV were designed by 1D poisson, respectively. The MQDs and MQWs of 5, 10, 15 layers were grown by molecular beam epitaxy. The photo luminescence results showed that the 5 period stacked MQDs have the highest intensity at around 1.1 eV with 57.6 meV full width at half maximum (FWHM). Also we can observe 10 period stacked MQWs peak position which has highest intensity at 1.31 eV with 12.37 meV FWHM. The density and size of QDs were observed by reflection high energy electron diffraction pattern and atomic force microscope. Futhermore, AlGaAs/GaAs sandwiched tunnel junctions were modified according to the width of GaAs layer on p-type GaAs substrates. The structures with GaAs width of 30 nm and 50 nm have backward diode characteristics. In contrast, tunnel diode characteristics were observed in the 20 nm of that of sample.
Dip-pen nanolithography(DPN) is an atomic force microscope (AFM) based method of generating nano- or micro-patterns. This technique has been used to transfer various ink materials on the substrate through water meniscus formed between AFM tip and the substrate surface. In this study, the heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyltrimethoxysilane (HDFDTMS) ink materials were coated on the pre-coated AFM tip surface with the HDFDTMS molecules. When the tip brought into contact with the hydroxyl-functionalized silicon surface, HDFDTMS ink molecules have been successfully transported from the tip onto the surface via water meniscus. The created array and passivation area showed stable structures on the surface, and the transport of ink materials from the AFM tip to the surface followed linear increase in pattern size with contact time.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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