최근 전기방사공정은 다양한 고분자의 마이크로 및 나노 크기 섬유를 만드는 기술로서 널리 사용되어 왔다. 일반적으로 많은 연구자들에 의하면, 다중노즐 전기방사공정은 노즐들 사이의 전기장 간섭효과 때문에 짧은 시간에 높은 생산성을 갖기 어려웠다. 이러한 문제를 극복하기 위하여 본 연구에서는 다양한 보조전극을 이용한 다중노즐 전기방사공정을 개발하였다. 본 연구에서 사용된 물질은 바이오소재로서 많이 사용되고 있는 poly($\varepsilon$-carprolactone)(PCL)을 사용하였다. 다중노즐 시스템의 영향을 확인하기 위하여 전기방사의 안정성, 다중노즐을 사용하였을 때의 생산성 및 제조된 나노섬유의 크기와 안정성을 보조전극을 사용하였을 때와 사용하지 않았을 때를 비교하였다. 결과적으로 보조전극을 사용한 노즐의 안정성이 사용하지 않은 노즐에 비해 전기방사 안정성과 우수한 생산성을 보였다.
Highly ordered pure-silica MCM-41 materials possessing well-defined morphology have been successfully prepared with surfactant used as a template. The fabrication of mesoporous silica has received considerable attention due to the need to develop more efficient materials' for catalysis, separations, and chemical sensing. The surface modified MCM-41 was used as anadsorbent for biomolecules. Silica-supported organic groups and DNA adsorption on surface modified MCM-41 were investigated by FT-IR and UV-Vis spectrometer, respectively. The use of MCM-41 as the modification of electrode surfaces were investigated electrochemical properties of metal mediators with biomolecules. The modified ITO electrodes increased peak currents for a redox process of $[Ru(bpy)_3]^{2+}$ relative to the bare electrode. The electrochemical detection of DNA by cyclic voltammetry when the current is saturated in the presence of the mediator appeared more sensitive due to a higher catalytic current on the MCM-41 supported electrodes modified by carboxylic acid functional groups. The carboxyl or amine groups on the surface of MCM-41 interact and react with the $-NH_2$ groups of guanine and backbone, respectively. Highly ordered mesoporous materials with organic groups could find applications as DNA sensors.
Active thin films are ubiquitous in the manufacture of all forms of flat panel display (FPD). One of the most widely employed thin films is indium tin oxide (ITO) and metal films used electrically conductive materials in display industries. ITO is widely used for fabrication of LCD, OLED device, and many kinds of optical applications because of transparency in visible range and its high conductivity and metal films are also widely employed as electrodes in various electric and display industries. It is important that removing specific area of layer, such as ITO or metal film on substrate, to fabricate and repair electrode in display industries. In this work, we demonstrate efficient selective ablation process to ITO and aluminum film on glass using a femtosecond laser (${\lambda}p=1025nm$) respectively. The femtosecond laser with wavelength of 1025nm, pulse duration of 400fs, and the repetition rate of 100kHz was used for selectively removing ITO and Al on glass in the air. We can successfully remove the ITO and Al films with various pulse energies using a femtosecond laser.
Kim, D.I.;Seol, Y.G.;Lee, N.E.;Woo, C.H.;Ahn, C.H.;Ch, H.K.
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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pp.479-479
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2011
Flexible inverters based on complementary thin-film transistor (CTFTs) are important because they have low power consumption and other advantages over single type TFT inverters. In addition, integrated CTFTs in flexible electronic circuits on low-cost, large area and mechanically flexible substrates have potentials in various applications such as radio-frequency identification tags (RFIDs), sensors, and backplanes for flexible displays. In this work, we introduce flexible complementary inverters using pentacene and amorphous indium gallium zinc oxide (IGZO) for the p-channel and n-channel, respectively. The CTFTs were fabricated on polyimide (PI) substrate. Firstly, a thin poly-4-vinyl phenol (PVP) layer was spin coated on PI substrate to make a smooth surface with rms surface roughness of 0.3 nm, which was required to grow high quality IGZO layers. Then, Ni gate electrode was deposited on the PVP layer by e-beam evaporator. 400-nm-thick PVP and 20-nm-thick ALD Al2O3 dielectric was deposited in sequence as a double gate dielectric layer for high flexibility and low leakage current. Then, IGZO and pentacene semiconductor layers were deposited by rf sputter and thermal evaporator, respectively, using shadow masks. Finally, Al and Au source/drain electrodes of 70 nm were respectively deposited on each semiconductor layer using shadow masks by thermal evaporator. Basic electrical characteristics of individual transistors and the whole CTFTs were measured by a semiconductor parameter analyzer (HP4145B, Agilent Technologies) at room temperature in the dark. Performance of those devices then was measured under static and dynamic mechanical deformation. Effects of cyclic bending were also examined. The voltage transfer characteristics (Vout- Vin) and voltage gain (-dVout/dVin) of flexible inverter circuit were analyzed and the effects of mechanical bending will be discussed in detail.
In order to study the effect of high energy ball milling on the $Mg_2Ni+Ni$, $Mg_2Ni+0.5Ni+0.5Al$ powders, we have investigated on the discharge properties, microstructures. The powder size of samples decreased as ball milling time. From the XRD results, the crystal structure of $Mg_2Ni+Ni$ mixed powders were changed to amorphous or nano-structure after 60hr ball milling. The discharge capacities of both $Mg_2Ni+Ni$ and $Mg_2Ni+0.5Ni+0.5Al$ powders increased, with increasing ballmilling time, the maximum capacity(342mAh/g) was shown for the 60 hrs ballmilled $Mg_2Ni+Ni$ sample. The capacity decreased drastically after a few charge-discharge cycles.
Small-film-type ion sensors are garnering considerable interest in the fields of wearable healthcare and home-based monitoring systems. The performance of these sensors primarily relies on electrode capacitance, often employing nanocomposite materials composed of nano- and sub-micrometer particles. Traditional techniques for enhancing capacitance involve the creation of nanoparticles on film electrodes, which require cost-intensive and complex chemical synthesis processes, followed by additional coating optimization. In this study, we introduce a simple one-step electrochemical method for fabricating gold nanoparticles on a carbon nanotube (Au NP-CNT) electrode surface through cyclic voltammetry deposition. Furthermore, we assess the improvement in capacitance by distinguishing between the electrical double-layer capacitance and diffusion-controlled capacitance, thereby clarifying the principles underpinning the material design. The Au NP-CNT electrode maintains its stability and sensitivity for up to 50 d, signifying its potential for advanced ion sensing. Additionally, integration with a mobile wireless data system highlights the versatility of the sensor for health applications.
나노 탄소재료를 복합화하면 기존 재료의 특성을 유지하면서 그 효율을 극대화할 수 있다. 여기에 이종원소를 부가하면 전기화학적인 특성이 디자인되므로, 나노 탄소재료의 복합화를 통해 한 종류의 나노 재료로부터 여러 강점을 얻을 수 있다. 특히 탄소나노섬유와 금속산화물을 복합화하면 탄소나노섬유의 전기이중층 뿐만 아니라 금속산화물의 산화 환원 반응을 이용하여 비축전 용량, 고율 특성, 수명 특성이 향상되고 높은 수준의 출력밀도가 유지되는 고용량 슈퍼 캐퍼시터용 전극 소재를 개발할 수 있다. 본 총설에서는 탄소의 고출력특성과 금속산화물의 고에너지 특성이 동시에 발현되는 금속산화물계 탄소나노섬유복합체의 제법과 응용에 대한 최신연구를 다루도록 하겠다.
To formulate folate receptor (FR)-specific graphene-based electrochemical electrodes, a folic acid (FA) derivative attached with two pyrene molecules on the glutamate tail of FA was synthesized. The resulting pyrene-functionalized FA (FA-Py) presented the spontaneous noncovalent binding on chemically reduced graphene oxides (rGO) through an ${\pi}-{\pi}$ interaction. Ultrathin morphology, high water-resistance, and preservation of intact FR-specific pteroates from the rGO/FA-Py assembly allow this assembly to be exploited as robust and FR-specific electrochemical electrode materials. The limits of detecting rGO/FA-Py modified electrodes were found to be as low as 3.07 nM in FR concentrations in cyclic voltammetry analysis.
Yoon, Hee Soo;Kim, Jun Hyung;Kim, Hyun Jong;Lee, Ho Nyun;Lee, Hee Chul
한국세라믹학회지
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제54권3호
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pp.243-248
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2017
Pd-doped $SnO_2$ thick film with a pure tetragonal phase was prepared on patterned Pt electrodes by an ink dropping method. Nanostructured $SnO_2$ powder with a diameter of 10 nm was obtained by a modified hydrazine method. Then the ink solution was fabricated by mixing water, glycerol, bicine and the Pd-doped $SnO_2$ powder. When the Pd doping concentration was increased, the grain size of the Pd-doped $SnO_2$ thick film became smaller. However, an agglomerated and extruded surface morphology was observed for the films with Pd addition over 4 wt%. The orthorhombic phase disappeared even at a low Pd doping concentration and a PdO peak was obtained for a high Pd doping concentration. The crack-free Pd-doped $SnO_2$ thick films were able to successfully fill the $30{\mu}m$ gap of the patterned Pt electrodes by the optimized ink dropping method. The prepared 3 wt% Pd-doped $SnO_2$ thick films showed monoxide gas responses ($R_{air}/R_{CO}$) of 4.0 and 35.6 for 100 and 5000 ppm, respectively.
Ag나노와이어 도전성 잉크를 플렉서블한 투명 기판 위에 코팅 후 이러한 여분의 유기물을 $O_2$ 플라즈마를 이용하여 제거함으로써 Ag 나노와이어를 이용한 투명전극의 면저항과 광학적 특성을 최적화하였다. Ag 나노와이어 도전성 잉크를 코팅한 후 30초간 $O_2$ 플라즈마 처리를 하였을 때 면저항은 최대 27 % 정도 감소하였으며, 잔류 유기물의 제거를 통하여 그 광학적 특성도 향상됨을 알 수 있었다. 또한 $O_2$ 플라즈마 처리 시간이 30초 이상 증가할 경우 그 면저항이 오히려 감소함을 확인하였는데, 이는 과도한 $O_2$ 플라즈마로 인하여 Ag나노와이어의 degradation이 일어나는데 그 원인이 있음을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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