• BMB Reports
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• 제38권4호
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• pp.420-431
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• 2005

The differentially virulent race T1 of common bunt (Tilletia tritici) was used to inoculate the wheat lines Neepawa (compatible) and its sib BW553 (incompatible) that are nearly isogenic for the Bt-10 resistance gene. Inoculated crown tissues were used to construct a suppression subtractive hybridization (SSH) cDNA library. Of the 1920 clones arrayed from the SSH cDNA library, approximately 10% were differentially regulated. A total of 168 differentially up-regulated and 25 down-regulated genes were identified and sequenced; 71% sequences had significant homology to genes of known function, of which 59% appeared to have roles in cellular metabolism and development, 24% in abiotic/biotic stress responses, 3% involved in transcription and signal transduction responses. Two putative resistance genes and a transcription factor were identified among the up regulated sequences. The expression of several candidate genes including a lipase, two non-specific lipid transfer proteins (ns-LTPs), and several wheat pathogenesis-related (PR)-proteins, was evaluated following 4 to 32 days post-inoculation in compatible and incompatible interactions. Results confirmed the higher overall expression of these genes in resistant BW553 compared to susceptible Neepawa, and the differential up-regulation of wheat lipase, chitinase and PR-1 proteins in the expression of the incompatible interaction.

• 대한의생명과학회지
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• 제20권2호
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• pp.77-84
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• 2014

Periodic analysis of local epidemiologic data of prevalent pathogens of blood culture can provide clinicians with relevant information to guide empirical antibiotic therapy. In this study, we analyzed a pattern of change of causative microorganisms and antimicrobial resistance at a tertiary medical center in Chungcheong province from 2003 to 2012, retrospectively. Of 70,258 blood specimens cultured, 6,063 (8.6%) were positive. Among the positive isolates, 95.9% were aerobic or facultative anaerobic bacteria, 0.1% were anaerobes, and 3.9% were fungi. Coagulase-negative Staphylococci (CoNS) (32.9%), Escherichia coli (16.7%), Staphylococcus aureus (9.1%), Klebsiella pneumoniae (6.4%), and ${\alpha}$-hemolytic Streptococcus (5.9%) were commonly isolated bacteria, and Candida albicans (1.4%) was the most commonly isolated fungi. Enterococcus faecium progressively increased but Streptococcus pneumoniae, Acinetobacter baumannii and Proteus species gradually decreased over a period of 10 years. The multidrug-resistant microorganisms such as methicillin-resistant S. aureus (MRSA), vancomycin-resistant enterococci (VRE), cefotaxime-resistant E. coli, imipenem-resistant Pseudomonas aeruginosa (IRPA) and imipenem-resistant A. baumannii (IRAB), were significantly increased. Therefore, there is a need for a more strict control of antibiotics and a more updated guideline for the treatment of bloodstream infection.

• 대한치과교정학회지
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• 제22권1호
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• pp.179-203
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• 1992

This study was designed to analyze nasal respiratory patency and its correlation with skeletal components in growing children with anterior crossbite. The subjects consisted of 40 control patients, 24 nose breathers with anterior crossbite and 18 mouth breathers with anterior crossbite. The mean age was 11.4 years in the control group, 10.1 years in nose breathing group and 9.5 years in mouth breathing group. The results were as follows, 1. In anterior cross bite group, and nasal respiratory airflow rates (N.R.A.R.) was significantly lower than that of control group regardless of nasal decongestants application. 2. The N.R.A.R. of mouth breathers with anterior crossbite in male group was significantly lower than that of mouth breathers, but increased to the level of control group after nasal decongestants application. But in female group, the N.R.A.R. was significantly lower in mouth breathing group at both conditions. 3. Mouth breathing group showed smaller anterior vertical nasal cavity height (ANS-ANS'), lower upper anterior facial height ratios (N-sp'/N-Me) and higher maxillary occlusal plane ratios (OL-ML/ML-NL) than those of nose breathing group with anterior crossibte. 4. Items showing nasal height (ANS-ANS', PNS-PNS'), anterior upper facial height (N-sp') was were strongly correlated with N.R.A.R. at 150 pascal in inspiration. But item showing maxillary occlusal plane ratios (OL-ML/ML-NS) was negatively correlated with N.R.A.R. at 150 pascal in inspiration. 5. There were forward tongue position in mouth breathing group, but it was not significantly correlated with N.R.A.R. at 150 pascal in inspiration.

• 한국정밀공학회지
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• 제27권10호
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• pp.29-33
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• 2010

UV laser micromachining of metallic materials has been used in microelectronic and other industries. This paper shows on experimental investigation of micromachining of copper using a 355nm UV laser with 50ns pulse duration. A finite element model with high strain rate effect is especially suggested to investigate the phenomena which are only dominated by mechanically pressure impact in disregard of thermally heat transfer. In order to consider the strain rate effect, Cowper-Symonds model was used. To analyze the dynamic deformation during a very short processing time, which is nearly about several tens nanoseconds, a commercial Finite Element Analysis (FEA) code, LS-DYNA 3D, was employed for the computational simulation of the UV laser micro machining behavior for thin copper material. From these computational results, depth of the dent (from one to six pulsed) were observed and compared with previous experimental results. This will help us to understand interaction between UV laser beam and material.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.109-109
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• 1998

최근 들어 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN, InGaN, AIGaN를 이용한 광소자 ( (LED, LD)와 전자소자(FET, MODFET)에 대한 관심이 고조되면서, MOCVD 법 을 이용한 GaN 중심의 질화물 반도체 성장에 관심이 집중되고 있다. 금번 실험에 사용된 MOCVD 장비는 수직형 MOCVD 장비이다. 특히, wafer c carner를 1$\alpha$)() rpm이상의 고속으로 회전시킬 수 있는 장치로서 원료 가스의 반웅 기 내에서의 흐름을 균일하게 하여 uniformity가 높은 질화물 반도체를 성장시킬 수 있다 .. GaN 에피충은 c-plane 사파이어를 기판으로 하여 11 00 "C 이상의 고온 에서 수소를 이용하여 기판을 cleaning하고, 500 "C 부근에서 핵생성충올 성장시 킨 후 1050 "C에서 trimethylgallium(TMGa)과 NI-h를 이용하여 성장시켰다. n n -GaN를 성장시키기 위해서는 SiH4을 사용하였으며, InGaN의 경우는 t trimethylindium(TMIn)을 In원 료 가스로 하여 635 - 725 "C 범 위 에 서 성 장시 켰 다. 성 장된 undoped GaN, n-GaN, InGaN는 X -ray di잔raction(XRD), H떠l m measurement, Photoluminescence(PU동올 이용하여 결정성과 전기적 및 광학적 특성올 고찰하였다 .. 2ttm 두께로 성장된 undoped G값V박막의 경우 Hall 측정결과 6 6 X lOI6/e며 정도의 낮은 도핑 농도를 보였으며, V!lII ratio(2500 - 5000)증가에 따라 결정성이 향상됨을 GaN (102)면의 X -ray e -rocking분석올 통하여 확인하 였다 .. n-GaN의 경우 SiH4양올 3 - 13 sccm으로 증가시킴에 따라 n -type 도명농 도가 선형적으로 증가하였고, 1017/c며 범위 내로 도평이 된 경우 상온에서 300 e마 N Ns 이상의 high mobility를 얻올 수 있었다 .. PL 관측 결과로부터 Si 도핑으로 인 하여 GaN bandedge emission이 강화됨을 알 수 있었다 .. InGaN 박막의 경우 성 장온도를 낮춤에 따라서 m의 양을 증가시킬 수 있었다. 또한 유량비(TMIn I T TMGa)가 1에 가까운 경 우에서도 온도를 635 "C 정도로 낮훈 경우 410 nm정도에 서 PL bandedge peak올 얻을 수 있었으며, 이 때의 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다. 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다.

• 한국식품과학회지
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• 제41권3호
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• pp.345-349
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• 2009

더덕의 육질과 껍질의 부위별 세포벽 물질(CWM)로부터 uronic acid, 총 당, 비섬유성 중성당, 페놀성 화합물 함량 및 항산화 활성을 측정하였다. 더덕의 육질과 껍질의 uronic acid와 중성당의 비는 4, 6이었다. 총 당 함량은 육질과 껍질에서 각각 788.6, 824.9 ${mu}g/g$ CWM이었다. 주요 비섬유성 중성당은 galactose와 arabinose였다. 더덕 CWM으로부터 분석된 주요 페놀성 화합물은 vanillic acid, p-OH-benzaldehyde, vanillin, ferulic acid 및 8-O-4' diferulic acid 였다. 이들 중 p-OH-benzaldehyde, vanillin, 8-O-4' diferulic acid는 더덕에서 처음으로 동정된 것으로 인삼의 세포벽 페놀성 화합물 조성과 유사하였다. 더덕의 껍질 AIR에 함유된 8-O-4' diferulic acid의 함량은 56.1 ${mu}g/g$ CWM이었다. 더덕의 CWM로부터 얻은 ethanol 분획, ethanol 분획의 ethanol-NaOH 분획, ethanol 분획 후 잔사로부터 얻은 AIR 분획의 항산화 활성의 크기는 ethanol-NaOH 분획이 가장 높았으며, 다음으로 AIR 분획, ethanol 분획의 순으로 나타났다.

• 한국어병학회지
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• 제22권3호
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• pp.229-237
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• 2009

The causative agent for the tunic softness syndrome of the cultured ascidian Halocynthia roretzi from Jan 1999 to Feb 2009 was identified using virus isolation and polymerase chain reaction (PCR). The pathogenicity of the isolated virus MABV UR-1 strain was determined by experimental infection trials. The cytopathic effects was observed in CHSE-214 cell line at a level 5.1% (4/78) in normal ascidian and 1.8% in abnormal ascidian showing tunic softness syndrome signs. MABV gene was detected in 16.8% (18/107) of normal and 13.1% (5/38) of abnormal organisms by PCR. The ratio of MABV isolation and gene detection was similar level in normal and soft tunic diseased ascidian. Based on the VP2/NS junction region sequences, eight strains of virus isolated from ascidian, were included in the same genogroup with MABV which is originally isolated in wide ranges of marine fish and shellfish species. The UR-1 strain caused 60% mortality (36.5% mortality in control group) by immersion infection and 37% mortality (same mortality in control group) in injection infection indicating no significant differences in infected and control groups. These results suggest that ascidian can act as reservoir of the MABV, and this virus is not directly related with the ascidian mortality.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.260-260
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• 2011

투명 비정질 산화물반도체는 디스플레이의 구동소자인 박막 트랜지스터에 채널층으로 사용된다. 또한 투명하면서 유연성이 있는 소자를 저비용으로 제작할 수 있는 장점을 가진다. 투명 산화물반도체 재료 중 IGZO는 Si 또는 GaAs와 같은 공유결합성 반도체와는 다른 전자 배치로 전도대가 금속이온의 ns 궤도에서 형성되며, 가전도대가 산소 음이온의 2p 궤도에서 형성된다. 특히 큰 반경의 금속 양이온은 인접한 양이온과 궤도 겹침이 크게 발생하게 되며 캐리어의 효과적인 이동 경로를 제공해줌으로써 다른 비정질 반도체와는 다르게 높은 전하이동도(~10 $cm^2$/Vs)를 가진다. 따라서 저온공정에서 우수한 성능의 TFT소자를 제작할 수 있는 장점이 있다. 본 연구에서는 TFT 채널층으로 사용하기 위한 a-IGZO박막의 산소분압에 따른 특성변화를 분석 하였다. a-IGZO박막은 Pulsed Laser Deposition (PLD)를 이용하여 산소분압(20~200 mTorr) 변화에 따라 Glass기판에 증착하였다. 증착된 a-IGZO 박막의 구조적 특성으로는 X-ray diffraction (XRD), Field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), 광학적 특성은 UV-vis spectroscopy 분석을 통해서 알아보았다. TFT 채널층의 조건으로는 낮은 off-current, 높은 on-off ratio를 위해 고저항 ($10^3\;{\Omega}cm$)의 진성반도체 성질과 source/drain금속과의 낮은 접촉저항(ohmic contact) 등의 전기적 성질이 필요하다. 따라서 이러한 전기적 특성확인을 위해 transmission line method (TLM)을 사용하여 접촉저항과 비저항을 측정하였고, 채널층으로 적합한 분압조건을 확인해볼 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.221-221
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• 2011

수 Tera Watt급의 가속기 및 펄스파워 시스템은 다수의 스위치를 사용하고 있으며, 이와 같은 가속기 및 시스템의 성능은 기체방전 스위치의 성능에 직접적으로 관련되어 있다. 일반적으로 이와 같은 기체방전, 액체방전 고출력 스위치는 다목적으로 많은 연구와 개발에 응용되고 있다. 예를 들어 천둥 펄스전자빔 발생장치는 12개의 Marx gap 및 3개의 100 kV 펄스충전 전기트리거 gap을 가지고 있다. 기체 방전 또는 액체 방전 펄스 충전 갭 스위치의 음극에 펄스 고전압이 인가되면 이로 인하여 음극에서 전자빔이 발생한다. 내부에는 전자빔이 양극과 충돌하는 순간 양극표면에 플라스마가 형성된다. 이와 같은 플라스마 sheath는 축 방향 이극관 안에서 양극 충전 에서 음극으로 팽창하면서 전파하며, 또한 거의 동시에 음극표면에도 플라스마가 형성되어 음극에서 양극으로도 팽창하여 전파하게 된다. 이와 같은 펄스충전 고출력 갭 스위치 안에서 발생되는 방전 플라스마의 특성에 관한 갭 breakdown 과정에 대한 특성연구를 한다. 고출력 스위치의 특성 조건으로는 방전전압, 방전시간, jitter 등이 있다. 본 연구에서는 최대전압 600 KV, 최대전류 88 KA, 펄스 폭 60 ns의 특성을 가지는 고전압 펄스 시스템 '천둥'을 이용하여 방전 챔버에 고전압 펄스를 인가하고 N2와 SF6 혼합기체 종류와 압력에 따른 현상을 전기, 광학적으로 연구하였다. 전극은 구리텅스텐 합금재질의 표준전극을 사용하였고, 전극 간격은 20 mm로 고정하였다. 방전 챔버 압력을 100 torr에서 4 기압까지 변화시켜가며 실험을 진행하였고, N2에 대한 SF6의 혼합비율을 0%~100%까지 변화시키며 실험을 진행하였다. 실험결과 방전전압은 압력이 증가함에 따라 증가하다가 2 기압 이상에서는 완만히 증가하는 경향을 보였고, SF6 혼합비율은 0~10%까지 급격히 증가하고, 그 이상의 혼합비율에서는 완만히 증가하였다. 전자온도는 SF6 혼합비율이 0~10%일 때 급격히 증가하여 이후에는 포화되는 경향을 보였고, 압력에 따라서는 큰 경향성을 보이지 않았다.

• 한국레이저가공학회지
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• 제11권4호
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• pp.29-34
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• 2008

Ultraviolet laser micromachining has increasingly been applied to the electronics industry where precision machining of high-density, multi-layer, and multi material components is in a strong demand. Due to the ever-decreasing size of electronic products such as cellular phones, MP3 players, digital cameras, etc., flexible printed circuit board (FPCB), multi-layered with polymers and metals, tends to be thicker. In present, multi-layered FPCBs are being mechanically cut with a punching die. The mechanical cutting of FPCBs causes such defects as burr on layer edges, cracks in terminals, delamination and chipping of layers. In this study, the laser cutting mechanism of FPCB was examined to solve problems related to surface debris and short-circuiting that can be caused by the photo-thermal effect. The laser cutting of PI and FCCL, which are base materials of FPCB, was carried out using a pico-second laser(355nm, 532nm) and nano-second UV laser with adjusting variables such as the average/peak power, scanning speed, cycles, gas and materials. Points which special attention should be paid are that a fast scanning speed, low repetition rate and high peak power are required for precision machining.