• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.306-307
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• 2011

Franz Keldysh Oscillation (FKO)은 p-n 접합 구조의 공핍층(depletion zone)에서 전기장(electric field)에 의해 발생되며, Photoreflectance (PR) spectroscopy를 통하여 관측된다. InAs/GaAs 양자점 태양전지(Quantum Dot Solar Cells, QDSCs)에서 PR 신호에 대한 Fast Fourier Transform (FFT)을 통하여 FKO 주파수들을 관측할 수 있고, 각각의 FKO 주파수들은 태양전지 구조에 대응하는 표면 및 내부전기장(internal electric field) 들로 분류할 수 있다. InAs/GaAs 양자점 태양전지에서 AlGaAs potential barrier의 두께에 따른 내부전기장의 변화를 조사하기 위해, GaAs-matrix에 8주기의 InAs 양자점 층이 삽입된 태양전지를 molecular beam epitaxy (MBE) 방법으로 성장하였다. 양자점의 크기는 2.0 monolayer (ML)이며, 각 양자점 층은 1.6 nm에서 6.0 nm의 AlGaAs potential barrier들로 분리되어 있다. 또한 양자점 층의 위치에 따라 내부전기장 변화를 조사하기 위해, p-i-n 구조에서 양자점 층이 공핍층 내에 위치한 경우와 p+-n-n+ 구조에서 양자점 층이 공핍 층으로부터 멀리 떨어진 n-base 영역에 삽입하여 실험결과를 비교분석하였다. PR 실험결과로부터, p-i-n 구조에서 InAs 양자점 태양전지의 내부전기장 변화는 potential barrier 두께에 따라 다소 복잡한 변화를 보였으며, 이는 양자점 층이 공핍층 내에 위치함으로써 격자 불일치(lattice mismatch)로 발생된 응력(strain)의 영향으로 설명할 수 있다. 이러한 결과들을 각각의 태양전지 구조에서 표면 및 내부전기장에 대해 계산된 값들에 근거하여, p+-n-n+ 구조에서 양자점 층이 공핍 층으로부터 멀리 떨어진 영역에 삽입된 경우의 결과와 비교해 보면 내부전기장의 변화는 더욱 분명해진다. 즉, 양자점 층의 potential barrier의 두께를 조절하거나, 양자점 층의 위치를 변화시킴으로써 양자점 태양전지의 내부전기장을 조작할 수 있으며, 이는 PR 실험을 통해 FKO를 관측함으로써 확인할 수 있다.

• 정보과학회 논문지
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• 제42권5호
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• pp.642-651
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• 2015

소실점(vanishing point)이란 카메라 렌즈를 통해 3차원 공간을 2차원 영상으로 투영하는 과정에서 평행한 직선들이 수렴하는 점을 의미한다. 소실점 검출은 영상 내의 정보를 이용하여 소실점의 위치를 파악하는 것을 의미하며, 영상 내 지점들의 상대적인 거리를 파악하거나 장면 전체의 3차원 구조를 파악하는데 활용된다. 일반적으로 영상 내 평행한 직선들은 인공 구조물 내에 존재하는 경우가 많으므로 직선 검출 기반 소실점 검출 기법들은 인공 구조물 내의 직선들을 찾아 이들이 수렴하는 점을 소실점으로서 검출하는 것을 목표로 한다. 이 때, 영상 내에서 직선을 검출하기 위하여 먼저 에지 검출(edge detection)을 통해 에지 픽셀을 검출하고 그 결과를 허프 변환(Hough transform)하여 직선들을 찾아낸다. 그러나 각종 텍스쳐 및 노이즈 등 여러 원인들로 인해 위 과정에서 검출된 직선들이 모두 소실점을 지나지는 않는다. 따라서 검출된 직선들로부터 소실점을 정확히 검출하기 위해서는 각 직선에 대하여 소실점을 지날 가능성에 따라 다른 가중치를 부여하는 것이 필요한데 기존의 연구들은 가중치를 동일하게 부여하거나 단순한 수준의 가중치 계산을 적용해 왔다. 본 논문에서는 소실점을 지나는 직선들은 대부분 인공 구조물 내의 직선들임에 착안하여 직선에 가중치를 부여하는 새로운 방법을 제안하고 이를 이용한 소실점 검출 결과를 몇 가지 기존 방법들과 비교하였다. 그 결과, 기존 방법들에 비하여 소실점 추정 오류가 약 65% 감소하였다.

• 대한화학회지
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• 제55권3호
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• pp.495-501
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• 2011

플라보노이드계 화합물인 HMPC (3-hydroxy-7-methoxy-2-phenylchromen-4-one의 부식억제성질, HMPC와 TBAB(n-tetrabutylammonium bromide) 간 상승효과, 염산 조건하 부드러운 강철의 흡착성질을 무게 감량, 변전위 편극, 전기화학 임피던스 분광기를 사용하여 연구하였다. 다양한 온도에서 무게 감량 측정 실험한 결과 부식 억제 효율은 억제제 농도가 증가함에 따라 증가하였고, 계의 온도가 증가함에 따라 감소하였다. 전기화학 실험 결과 부식 억제는 여러 혼합된 형태의 억제 방법에 의해 가능하였다. 금속 표면에 흡착된 억제 화합물 분자는 보호막을 형성하였다.

• Parasites, Hosts and Diseases
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• 제55권1호
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• pp.21-29
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• 2017

Schistosoma haematobium is a biocarcinogen of human urinary bladder (UB). The present study investigated developing UB cancer mouse model by injecting S. haematobium eggs into the bladder wall and introduction of chemical carcinogens. Histopathological findings showed mild hyperplasia to epithelial vacuolar change, and high grade dysplasia. Squamous metaplasia was observed in the S. haematobium eggs+NDMA group at week 12 but not in other groups. Immunohistochemistry revealed significantly high expression of Ki-67 in urothelial epithelial cells of the S. haematobium eggs+BBN group at week 20. The qRT-PCR showed high expression of p53 gene in S. haematobium eggs group at week 4 and S. haematobium eggs+BBN group at week 20. E-cadherin and vimentin showed contrasting expression in S. haematobium eggs+BBN group. Such inverse expression of E-cadherin and vimentin may indicate epithelial mesenchymal transition in the UB tissue. In conclusion, S. haematobium eggs and nitrosamines may transform UB cells into squamous metaplasia and dysplasia in correlation with increased expression of Ki-67. Marked decrease in E-cadherin and increase in p53 and vimentin expressions may support the transformation. The present study introduces a promising modified animal model for UB cancer study using S. haematobium eggs.

• Journal of Plant Biotechnology
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• 제7권2호
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• pp.97-103
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• 2005

This study was carried out to obtain basic information for gene manipulation in potent edible tobacco (Nicotiana tabacum cv. TI 516). N. tabacum cv. TI 516 is a plant for a possible candidate to use as an edible vaccine, since it contains a low level of nicotine. The effective plant regeneration system through leaf disc culture was achieved using a MS basal medium supplemented with 0.1 mg $1^{-1}$ NAA and 0.5 mg $1^{-1}$ BA. In order to transform the N. tabacum cv. TI 516 with the green fluorescent protein (GFP) gene, Agrobacterium tumefaciens LBA 4404 containing the GFP gene was used. Genomic PCR confirmed the integration of the GFP gene into nuclear genome of transgenic plants. Expression of the GFP gene was identified in callus, apical meristem and root tissue of transgenic N. tabacum cv. TI 516 plants using fluorescence microscopy. Western blot analysis revealed the expression of GFP protein in the transgenic edible tobacco plants. The amount of GFP protein detected in the transgenic tobacco plants was approximately 0.16% of the total soluble plant protein (TSP), which was determined by ELISA.

• 한국재료학회지
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• 제21권4호
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• pp.236-241
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• 2011

Polysilazane and silazane-based precursor films were deposited on stacked TiN/Ti/TEOS/Si-substrate by spin-coating, then annealed at $150{\sim}400^{\circ}C$, integrated further to form the top electrode and pad, and finally characterized. The precursor solutions were composed of 20% perhydro-polysilazane ($SiH_2NH$)n, and 20% hydropolymethyl silazane ($SiHCH_3NH$)n in dibutyl ether. Annealing of the precursor films led to the compositional change of the two chemicals into silicon (di)oxides, which was confirmed by Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) spectra. It is thought that the different results that were obtained originated from the fact that the two precursors, despite having the same synthetic route and annealing conditions, had different chemical properties. Electrical measurement indicated that under 0.6MV/cm, a larger capacitance of $2.776{\times}10^{-11}$ F and a lower leakage current of 0.4 pA were obtained from the polysilazane-based dielectric films, as compared to $9.457{\times}10^{-12}$ F and 2.4 pA from the silazane-based film, thus producing a higher dielectric constant of 5.48 compared to 3.96. FTIR indicated that these superior electrical properties are directly correlated to the amount of Si-O bonds and the improved chemical bonding structures of the spin-on dielectric films, which were derived from a precursor without C. The chemical properties of the precursor films affected both the formation and the electrical properties of the spin-on dielectric film.

• 한국음향학회지
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• 제30권6호
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• pp.303-307
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• 2011

본 논문에서는 주파수 영역에서의 주요 피크를 선정하고, 주파수 크기 응답에 따라 각기 다른 스텝 사이즈를 사용하는 QIM 오디오 워터마킹을 제안한다. 오디오 신호에 대해 사각 윈도우로 오버랩 없이 L샘플을 취하고 영교차율을 통해 해당 프레임에 워터마크 삽입 가능 여부를 판단 후 푸리에 변환을 통해 주파수 영역에서의 크기 응답을 구한다. 프레임 별 주파수 크기 응답의 최대값에 따라 스텝 사이즈를 결정하고 스펙트럼에서 주요 피크 n개를 검출하여 주변 샘플 w개를 포함한 $n{\times}(w+1)$개 샘플에 대해 QIM을 이용하여 워터마크를 삽입한다. 워터마크 검출은 유클리디안 거리 (Euclidean distance)를 이용한 블라인드 검출 방식으로 수행된다. 오디오 워터마크 벤치마킹을 통한 강인성 검증에서 대부분 강인한 특성을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.254.2-254.2
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• 2014

The Transmission Fourier Transform Infrared spectroscopy (FTIR) of SiOx charge storage layer with the richest silicon content showed an assignment at peaks around 2000~2300 cm-1. It indicated that the existence of many silicon phases and defect sources in the matrix of the SiOx films. The total hysteresis width is the sum of the flat band voltage shift (${\Delta}VFB$) due to electron and hole charging. At the range voltage sweep of ${\pm}15V$, the ${\Delta}VFB$ values increase of 0.57 V, 1.71 V, and 13.56 V with 1/2, 2/1, and 6/1 samples, respectively. When we increase the gas ratio of SiH4/N2O, a lot of defects appeared in charge storage layer, more electrons and holes are charged and the memory window also increases. The best retention are obtained at sample with the ratio SiH4/N2O=6/1 with 82.31% (3.49V) after 103s and 70.75% after 10 years. The high charge storage in 6/1 device could arise from the large amount of silicon phases and defect sources in the storage material with SiOx material. Therefore, in the programming/erasing (P/E) process, the Si-rich SiOx charge-trapping layer with SiH4/N2O gas flow ratio=6/1 easily grasps electrons and holds them, and hence, increases the P/E speed and the memory window. This is very useful for a trapping layer, especially in the low-voltage operation of non-volatile memory devices.

• 한국재료학회지
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• 제26권1호
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• pp.47-53
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• 2016

Silicon nitride ($SiN_x:H$) films made by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are generally used as antireflection layers and passivation layers on solar cells. In this study, we investigated the properties of silicon nitride ($SiN_x:H$) films made by PECVD. The passivation properties of $SiN_x:H$ are focused on by making the antireflection properties identical. To make equivalent optical properties of silicon nitride films, the refractive index and thickness of the films are fixed at 2.0 and 90 nm, respectively. This limit makes it easier to evaluate silicon nitride film as a passivation layer in realistic application situations. Next, the effects of the mixture ratio of the process gases with silane ($SiH_4$) and ammonia ($NH_3$) on the passivation qualities of silicon nitride film are evaluated. The absorption coefficient of each film was evaluated by spectrometric ellipsometry, the minority carrier lifetimes were evaluated by quasi-steady-state photo-conductance (QSSPC) measurement. The optical properties were obtained using a UV-visible spectrophotometer. The interface properties were determined by capacitance-voltage (C-V) measurement and the film components were identified by Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) and Rutherford backscattering spectroscopy detection (RBS) - elastic recoil detection (ERD). In hydrogen passivation, gas ratios of 1:1 and 1:3 show the best surface passivation property among the samples.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권11호
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• pp.816-820
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• 2013

We investigated the characteristics of the silicon oxy-nitride and nitride films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at the low temperature with a varying $NH_3/N_2O$ mixing ratio and a fixed $SiH_4$ flow rate. The deposition temperature was held at $150^{\circ}C$ which was the temperature compatible with the plastic substrate. The composition and bonding structure of the nitride films were investigated using Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Nitrogen richness was confirmed with increasing optical band gap and increasing dielectric constant with the higher $NH_3$ fraction. The leakage current density of the nitride films with a high NH3 fraction decreased from $8{\times}10^{-9}$ to $9{\times}10^{-11}(A/cm^2$ at 1.5 MV/cm). This results showed that the films had improved electrical properties and could be acceptable as a gate insulator for thin film transistors by deposited with variable $NH_3/N_2O$ mixing ratio.