Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2005.09a
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pp.78-82
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2005
펄스 플라즈마 원자층 증착 방법 (PPALD : Pulse Plasma Atomic Layer Deposition)을 이용하여 삼원계 박막인 W-C-N 박막을 ILD layer인 TEOS 위에 제조하였다. 실험은 $WF_6,\;N_2.\;CH_4$ 가스의 순차적 주입과 $N_2$를 이용한 퍼징으로 이루어지며 $N_2$와 $CH_4$ 가스 주입 시에 pulse plasma가 적용되었다. 일반적인 ALD 증착 기구를 그대로 따르는 PPALD 방법에 의해 제조된 W-C-N 박막은 $H_2/N_2$ 플라즈마 초기 표면 처리에 의해 incubation cycles 없이 초기 cycles부터 0.2 nm/cycle의 일정한 증착율을 가지고 증착되므로 정확한 두께의 control이 가능하며 $300\;{\mu}{\Omega}-cm$의 매우 낮은 비저항 특성을 나타내었다.
Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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v.34
no.2
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pp.79-85
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2012
In this study, Application of sequencing batch reactor (SBR) process for RO retentate treatment was performed. Efficiency of treatment by load and temperature variation was tested. The SBR process was operated two types as HRT per one cycle was 8 and 12 hours, respectively. Methanol was injected for an effective denitrificaion owing to low C/N ratio of the RO retentate. TN removal efficiency of the SBR process was relatively stable at the change of flow-rate and temperature. The optimum time cycle of SBR process was 2 cycle/day for TN removal, and in the case of 3 cycle/day, the effluent TN concentration was found under the effluent quality standard. In the result of assessment, the application of SBR process for RO retentate treatment was effective and could be utilized to design for the wastewater treatment plant. The specific nitrification rate (SNR) and specific denitrification rate (SDNR) were $0.043{\sim}0.066kg\;NH_3-N/kg\;MLVSS{\cdot}day$ and $0.096{\sim}0.287kg\;NH_3^--N/kg\;MLVSS{\cdot}day$, respectively. The derived kinetic could be applied for design to the aerobic and anoxic tank in the RO retentate treatment.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.538-539
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2013
여러 장점으로 인해 OLED는 디스플레이 및 조명 등 적용분야가 넓어지고 있지만, 수분 및 산소에 취약하여 그 수명이 제한되는 단점이 있다. 이를 해결하고자 현재까지는 glass cap을 이용한 encapsulation 기술이 적용되고 있지만, flexible 기판에 적용하지 못하는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하고자 여러 가지 thin film encapsulation 기술이 적용되고 있으나 보다 신뢰성이 높은 기술의 개발이 절실한 때이다. Encapsulation 무기 박막 물질로서 $Si_3N_4$ 박막은 PE-CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 박막 증착법을 사용한 많은 연구가 진행되어, 저온에서의 좋은 품질의 박막 증착이 가능하지만, 100도 이하의 thermal budget을 갖는 OLED Encapsulation에 사용하기에는 충분하지 않았다. CVD 박막의 특성을 더욱 개선하기 위해 최근 ALD (Atomic Layer Deposition) 방법을 통한 $Al_2O_3$ film 증착 방법이 연구되고 있지만, 낮은 증착 속도로 인해 양산에 걸림돌이 되고 있다. 본 연구에서는 또 다른 해결책으로서 Digital CVD 방법을 이용한 양질의 $Si_3N_4$ 박막의 증착을 연구하였다. 이것은 ALD 증착법과 유사하며, 1st step에서 PECVD 방법으로 4~5 ${\AA}$의 얇은 silicon 박막을 증착하고, 2nd step에서 nitrogen plasma를 이용하여 질화 반응을 진행하고, 이러한 cycle을 원하는 두께가 될 때까지 반복적으로 진행된다. 이 때 1 cycle 당 증착속도는 7 ${\AA}$/cycle 정도였다. 최적의 증착 방법과 조건으로 기존의 CVD $Si_3N_4$ 박막 대비 1/5 이하로 pinhole을 최소화 할 수는 있지만 완벽하게 제거하기는 힘든 문제가 있고, 이를 해결하기 위한 개선을 위한 접근 방법이 필요하다고 판단하였다. 본 연구에서는 무기물 박막인 carbon nitride를 이용한 SiN/C:N multilayer 증착 연구를 진행하였다. Fig. 1은 CVD 조건으로 증착된 두께 750 nm SiN film에서 여러 층의 C:N film layer를 삽입했을 때, 38 시간의 85%/$85^{\circ}C$ 가속실험에 따라 OLED의 발광 사진이다. 그림에서 볼 수 있듯이 C:N 층을 삽입하고 또한 그 박막의 수가 증가함에 따라서 OLED에 대한 encapsulation 특성이 크게 개선됨을 확인할 수 있다.
The pyramid graph is well known in parallel processing as a interconnection network topology based on regular square mesh and tree architectures. The enhanced pyramid graph is an alternative architecture by exchanging mesh into the corresponding torus on the base for upgrading performance than the pyramid. In this paper, we adopt a strategy of classification into two disjoint groups of edges in regular square torus as a basic sub-graph constituting of each layer in the enhanced pyramid graph. Edge set in the torus graph is considered as two disjoint sub-sets called NPC(represents candidate edge for neighbor-parent) and SPC(represents candidate edge for shared-parent) whether the parents vertices adjacent to two end vertices of the corresponding edge have a relation of neighbor or sharing in the upper layer of the enhanced pyramid graph. In addition, we also introduce a notion of shrink graph to focus only on the NPC-edges by hiding SPC-edges within the shrunk super-vertex on the resulting shrink graph. In this paper, we analyze that the lower and upper bounds on the number of NPC-edges in a Hamiltonian cycle constructed on $2^n{\times}2^n$ torus is $2^{2n-2}$ and $3{\cdot}2^{2n-2}$ respectively. By expanding this result into the enhanced pyramid graph, we also prove that the maximum number of NPC-edges containable in a Hamiltonian cycle is $4^{n-1}$-2n+1 in the n-dimensional enhanced pyramid.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.21
no.2
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pp.429-434
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2017
In a graph G=(V, E) with n vertices, there is an unique box which is finally laid on each vertex. Thus each vertex and box is both numbered from 1 to n and the box i should be laid on the vertex i. But, the box ${\pi}$(i) is initially located on the vertex i according to a permutation ${\pi}$. In each step, the robot can walk along an edge of G and can carry at most one box at a time. Also when arriving at a vertex, the robot can swap the box placed there with the box it is carrying. The problem is to minimize the total step so that every vertex has its own box, that is, the shuffled boxes are sorted. In this paper, we shall find an upper bound of the minimum number of steps and show that the movement of the robot is found in $O(n^2)$ time when G is a cycle.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.6
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pp.470-475
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2009
We deposited $Al_2O_3$ thin films on GaN by remote plasma atomic layer deposition (RPALD) technique, trimethylaluminum(TMA) and oxygen were used as precursors, at fixed process condition, the number of cycle were changed. Growth rate per cycle was $1.2\;{\AA}$/cycle. and Growth rate was in proportion to a number of cycle, the GaN MIS capacitors that $Al_2O_3$ thin film were deposited above 12 nm, have excellent electrical properties, a low electrical leakage current density(${\sim}10^{-10}\;A/cm^2$ at 1.5 MV), but below 12 nm, we can see the degradation of the leakage current density. After post deposition annealing, Dielectric constant was estimated by 1 MHz high-frequency C-V method, it was varied with the anealing temperature from 6.9 at no post anealed to 7.6 at $800^{\circ}C$, and we can see a improvement of the leakage current density and breakdown voltage by post deposition anealing below $700^{\circ}C$, but, after anealed at $800^{\circ}C$, we can see the degradation of the leakage current density and breakdown voltage.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.12
no.5
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pp.1097-1103
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1988
This paper deals with surface crack behavior and the fatigue life prediction of notched specimens using the relation between surface crack length, a, and the cycle ratio, $N/N_{f}$. From the $a-N\;/\;N_{f}$ curves, UC(the upper limit curve), LC(the lower limit curve) and MC(the middle limit curve) were assumed and utilized to predict the fatigue life and crack growth rate. The data computed from the three assumed curves were compared with the experimental data. It has been found that in the stable crack growth region ($N/N_{f}=0.3-0.8$) fatigue life can be predicted within 20% errors. Using the characteristics of $a-N\;/\;N_{f}$ curve, it is possible to predict the $da/dN-K_{max}$ curve, the $da/dN-{\Delta}K_{{\varepsilon}_t}$ curve, and the $S-N_{f}$ curve.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.5
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pp.383-390
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2001
We have investigated the L $i_{1+x}$M $n_2$$O_4$system as a cathode material for lithium rechargeable batteries. To improve the cycle performance of spinel LiM $n_2$$O_4$ as the cathode of 4V class lithium secondary batteries, spinel phase L $i_{1+x}$M $n_2$$O_4$(x=0, 0.025, 0.05, 0.075) was prepared at 75$0^{\circ}C$ for 48h. The preparation of L $i_{1+x}$M $n_2$$O_4$ from L $i_2$$O_3$ and Mn $O_2$ under air is studied. The compounds were synthesized by using solid-state reaction. Structural refinements were carried out with a Rietveld-refinement program. Electrochemical properties were examined using the Li/L $i_{1+x}$M $n_2$$O_4$ cells. The capacity of L $i_{1+x}$M $n_2$$O_4$ decreases with increases lithium content, while the cycle life improves. The initial discharge capacity are 118mAh/g and 116mAh/g for LiM $n_2$$O_4$ decreases with increases lithium content, while the cycle life improves. The initial discharge capacity are 118mAh/g and 116mAh/g for LiM $n_2$$O_4$ and L $i_{1.025}$M $n_2$$O_4$, respectively.pectively.
Hejzlar, P.;Dostal, V.;Driscoll, M.J.;Dumaz, P.;Poullennec, G.;Alpy, N.
Nuclear Engineering and Technology
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v.38
no.2
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pp.109-118
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2006
Various indirect power cycle options for a helium cooled gas cooled fast reactor (GFR) with particular focus on a supercritical $CO_2(SCO_2)$ indirect cycle are investigated as an alternative to a helium cooled direct cycle GFR. The balance of plant (BOP) options include helium-nitrogen Brayton cycle, supercritical water Rankine cycle, and $SCO_2$ recompression Brayton power cycle in three versions: (1) basic design with turbine inlet temperature of $550^{\circ}C$, (2) advanced design with turbine inlet temperature of $650^{\circ}C$ and (3) advanced design with the same turbine inlet temperature and reduced compressor inlet temperature. The indirect $SCO_2$ recompression cycle is found attractive since in addition to easier BOP maintenance it allows significant reduction of core outlet temperature, making design of the primary system easier while achieving very attractive efficiencies comparable to or slightly lower than, the efficiency of the reference GFR direct cycle design. In addition, the indirect cycle arrangement allows significant reduction of the GFR &proximate-containment& and the BOP for the $SCO_2$ cycle is very compact. Both these factors will lead to reduced capital cost.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.33
no.10
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pp.1158-1162
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2009
Fatigue limit of the copper film coated by Sn was estimated using Goodman diagram and Gerber diagram. To obtain the high cycle fatigue life curve, S-N curve, of the film, the high cycle fatigue test was carried out by applying the constant amplitude load to the film specimen with three different stress ratio of 0.05, 0.3 and 0.5 and the frequency of 40 Hz at room temperature in air. The free-standing film specimen 15.26${\mu}m$ thick was fabricated by etching process. The fatigue limits and S-N curves at the respective stress ratios were determined from the experimental works. It was shown that the S-N curves were dependent on the stress ratio and the fatigue limit was increased with decreasing the stress ratio. The dependency of the fatigue behavior was presented in empirical relationship. Using these relationships, the fatigue limit was predicted.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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