• 식물조직배양학회지
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• 제25권2호
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• pp.135-139
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• 1998

연초 N. glauoa(2n=24)와 N. langsdorffii(2n=18)의 종간상 호교잡에 의하여 종간잡종을 획득하였다. N. glauca $\times$ N. langsdorffii 교잡에서는 100%의 F$_1$ 종자를 획득할 수 있었으나, N. langsdorffii $\times$ N. glauca교잡에서는 종자결실이 극히 불량하였다. 그러나 종자 발아율은 모두 양호하였으며, 정상 식물체로 생장하였다. F$_1$식물체의 chromosome수를 조사한 결과 모두 2n=21개로 종간잡종임이 확인되었으며, 엽병의 존재여부 및 형태, 잎의 형태, 꽃잎의 형태와 색깔 및 크기, 화분의 색깔 등의 형태적 특성을 조사한 결과 모두 종간잡 종임을 재차 확인 할 수 있었다. F$_1$잡종식물체에서는 spontaneous tumor인 genetic tumor가 형성되었으며, N. glauca을 모본으로 한 교잡체에서는 생식생장기부터 형성되었고, N. langsdorffii을 모본으로 한 잡종체에서는 생식생장기 이후에만 형성되었다. 특히 genetic tumor 조직을 기내에서 식물호르몬 무첨가 배지에서 배양할 경우 생장이 매우 왕성하였으며 많은 teratoma shoot를 형성하였다. 또한 genetic tumor 조직이 아닌 일반 F$_1$식물체의 잎과 줄기절편도 식물호르몬 무첨가 배지에 접종되었을 때에도 15일경부터 callus가 왕성히 형성되었으며, 30일경부터는 수많은 teratoma shoot가 형성되었다. 식물호르몬 무첨가배지에서 잡종체의 teratoma shoot 형성은 N. langsdorffii $\times$ N. glauca 보다 N. glauca $\times$ N. langsdorffii가 더 양호한 경향을 보였다. Teratoma shoot 중에서는 뿌리는 가지고 있지 않지만 지상부가 정상적으로 자란 shoot를 절취하여 다시 조직배양 할 경우에는 영양생장기에 배양잡종식물체에서 많은 genetic tumor가 형성되었다.

• 대한금속재료학회지
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• 제48권5호
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• pp.456-461
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• 2010

We investigated the In-based ohmic contacts on Nitrogen-face (N-face) n-type GaN, as well as Ga-face n-type GaN, for InGaN-based vertical Light Emitting Diodes (LEDs). For this purpose, we fabricated Circular Transfer Length Method (CTLM) patterns on the N-face n-GaN that were prepared by using a laser-lift off method, as well as on the Ga-face n-GaN that were prepared by using a dry etching method. Then, In/transparent conducting oxide (TCO) and In/TiW schemes were deposited on the CTLM in order for low resistance ohmic contacts to form. The In/TCO scheme on the Ga-face n-GaN showed high specific contact resistance, while the minimum specific contact resistance was only 3${\times}$10$^{-2}$ $\Omega$-cm$^{2}$ after annealing at 300${^{\circ}C}$, which can be attributed to the high sheet resistance of the TCO layer. In contrast, the In/TiW scheme on the Ga-face n-GaN produced low specific contact resistance of 2.1${\times}$10$^{5}$ $\Omega$-cm$^{2}$ after annealing at 500${^{\circ}C}$ for 1 min. In addition, the In/TiW scheme on the N-face n-GaN also resulted in a low specific contact resistance of 2.2${\times}$10$^{-4}$ $\Omega$-cm$^{2}$ after annealing at 300${^{\circ}C}$. These results suggest that both the Ga-face n-GaN and N-face n-GaN.

• 대한수학회보
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• 제26권2호
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• pp.169-173
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• 1989

Let V={(x,y,z):f=z$^{n}$ -npz+(n-1)q=0 for n .geq. 3} be a compled analytic subvariety of a polydisc in $C^{3}$ where p=p(x,y) and q=q(x,y) are holomorphic near (x,y)=(0,0) and f is an irreducible Weierstrass polynomial in z of multiplicity n. Suppose that V has an isolated singular point at the origin. Recall that the z-discriminant of f is D(f)=c(p$^{n}$ -q$^{n-1}$) for some number c. Suppose that D(f) is square-free. then we prove that by Theorem 2.1 .mu.(p$^{n}$ -q$^{n-1}$)=.mu.(f)-(n-1)+n(n-2)I(p,q)+1 where .mu.(f), .mu. p$^{n}$ -q$^{n-1}$are the corresponding Milnor numbers of f, p$^{n}$ -q$^{n-1}$, respectively and I(p,q) is the intersection number of p and q at the origin. By one of applications suppose that W$_{t}$ ={(x,y,z):g$_{t}$ =z$^{n}$ -np$_{t}$ $^{n-1}$z+(n-1)q$_{t}$ $^{n-1}$=0} is a smooth family of complex analytic varieties near t=0 each of which has an isolated singularity at the origin, satisfying that the z-discriminant of g$_{t}$ , that is, D(g$_{t}$ ) is square-free. If .mu.(g$_{t}$ ) are constant near t=0, then we prove that the family of plane curves, D(g$_{t}$ ) are equisingular and also D(f$_{t}$ ) are equisingular near t=0 where f$_{t}$ =z$^{n}$ -np$_{t}$ z+(n-1)q$_{t}$ =0.}$ =0.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.109-109
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• 1998

최근 들어 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN, InGaN, AIGaN를 이용한 광소자 ( (LED, LD)와 전자소자(FET, MODFET)에 대한 관심이 고조되면서, MOCVD 법 을 이용한 GaN 중심의 질화물 반도체 성장에 관심이 집중되고 있다. 금번 실험에 사용된 MOCVD 장비는 수직형 MOCVD 장비이다. 특히, wafer c carner를 1$\alpha$)() rpm이상의 고속으로 회전시킬 수 있는 장치로서 원료 가스의 반웅 기 내에서의 흐름을 균일하게 하여 uniformity가 높은 질화물 반도체를 성장시킬 수 있다 .. GaN 에피충은 c-plane 사파이어를 기판으로 하여 11 00 "C 이상의 고온 에서 수소를 이용하여 기판을 cleaning하고, 500 "C 부근에서 핵생성충올 성장시 킨 후 1050 "C에서 trimethylgallium(TMGa)과 NI-h를 이용하여 성장시켰다. n n -GaN를 성장시키기 위해서는 SiH4을 사용하였으며, InGaN의 경우는 t trimethylindium(TMIn)을 In원 료 가스로 하여 635 - 725 "C 범 위 에 서 성 장시 켰 다. 성 장된 undoped GaN, n-GaN, InGaN는 X -ray di잔raction(XRD), H떠l m measurement, Photoluminescence(PU동올 이용하여 결정성과 전기적 및 광학적 특성올 고찰하였다 .. 2ttm 두께로 성장된 undoped G값V박막의 경우 Hall 측정결과 6 6 X lOI6/e며 정도의 낮은 도핑 농도를 보였으며, V!lII ratio(2500 - 5000)증가에 따라 결정성이 향상됨을 GaN (102)면의 X -ray e -rocking분석올 통하여 확인하 였다 .. n-GaN의 경우 SiH4양올 3 - 13 sccm으로 증가시킴에 따라 n -type 도명농 도가 선형적으로 증가하였고, 1017/c며 범위 내로 도평이 된 경우 상온에서 300 e마 N Ns 이상의 high mobility를 얻올 수 있었다 .. PL 관측 결과로부터 Si 도핑으로 인 하여 GaN bandedge emission이 강화됨을 알 수 있었다 .. InGaN 박막의 경우 성 장온도를 낮춤에 따라서 m의 양을 증가시킬 수 있었다. 또한 유량비(TMIn I T TMGa)가 1에 가까운 경 우에서도 온도를 635 "C 정도로 낮훈 경우 410 nm정도에 서 PL bandedge peak올 얻을 수 있었으며, 이 때의 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다. 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.228.2-228.2
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• 2013

본 논문은 InN와 GaN를 교대로 증착하는 교번성장법(Alternate Growth Method)을 이용해 형성한 높은 인듐(Indium) 조성을 갖는 InGaN (HI-InGaN) 구조의 열처리(Rapid Thermal Annealing, RTA) 온도 및 시간에 대한 구조와 광학적 특성을 Double Crystal X-ray Diffraction (DCXRD), Transmission Electron Microscopy와 Photoluminescence (PL) 장비를 사용하여 분석한 결과를 보고한다. DCXRD 스펙트럼에서 HI-InGaN 박막은 GaN(0002)로부터 $2.98^{\circ}$ 분리된 위치에서 회절 신호를 관찰 할 수 있다. 그리고 GaN와 HI-InGaN 신호 사이의 넓은 범위에서 미약하지만 신호가 관찰 되는데, 이는 InN와 GaN 계면에서 발생하는 상호확산 확률의 차이에 기인한 In 조성이 다른 InGaN 신호로 해석할 수 있다. 열처리 온도를 $775^{\circ}C$로 고정하고 시간을 10, 20, 30초로 각각 변화시켜 RTA를 진행한 DCXRD 스펙트럼에서 GaN(0002)로부터 $0.7{\sim}1.1^{\circ}$ 떨어진 위치에서 InGaN 피크를 확인 할 수 있다. RTA 시간이 증가 할수록 HI-InGaN 신호의 위치가 GaN 피크 방향으로 이동하며, 세기가 증가하는 것을 확인 할 수 있다. HI-InGaN의 PL 스펙트럼에서 상온 발광파장은 1369 nm 이며, 반치폭(Line-width)은 51.02 nm을 보였다. RTA 수행 후 발광파장에 따른 광세기가 각각 달라졌으며, 특히 900 nm 부근의 신호가 상대적으로 크게 증가하는 것을 확인할 수 있었다. RTA에 따른 HI-InGaN의 구조 및 광학적 특성 변화를 InN와 GaN 계면에서 In, Ga 원자의 상호확산 효과현상으로 논의할 예정이다.

• 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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• 제10권5호
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• pp.155-162
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• 2021

n-스텝 시간차 학습은 몬테카를로 방법과 1-스텝 시간차 학습을 결합한 것으로, 적절한 n을 선택할 경우 몬테카를로 방법과 1-스텝 시간차 학습보다 성능이 좋은 알고리즘으로 알려져 있지만 최적의 n을 선택하는 것에 어려움이 있다. n-스텝 시간차 학습에서 n값 선택의 어려움을 해소하기 위해, 본 논문에서는 Q의 과대평가가 초기 학습의 성능을 높일 수 있다는 특징과 Q ≈ Q^* 경우, 모든 n-스텝 누적 보상이 비슷한 값을 가진다는 성질을 이용하여 1 ≤ k ≤ n에 대한 모든 k-스텝 누적 보상의 최댓값과 평균으로 구성된 새로운 학습 타겟인 Ω-return을 제안한다. 마지막으로 OpenAI Gym의 Atari 게임 환경에서 n-스텝 시간차 학습과의 성능 비교 평가를 진행하여 본 논문에서 제안하는 알고리즘이 n-스텝 시간차 학습 알고리즘보다 성능이 우수하다는 것을 입증한다.

• 대한수학회논문집
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• 제34권1호
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• pp.1-16
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• 2019

Let a, b, P, and Q be real numbers with $PQ{\neq}0$ and $(a,b){\neq}(0,0)$. The Horadam sequence $\{W_n\}$ is defined by $W_0=a$, $W_1=b$ and $W_n=PW_{n-1}+QW_{n-2}$ for $n{\geq}2$. Let the sequence $\{X_n\}$ be defined by $X_n=W_{n+1}+QW_{n-1}$. In this study, we obtain some new identities between the Horadam sequence $\{W_n\}$ and the sequence $\{X_n\}$. By the help of these identities, we show that Diophantine equations such as $$x^2-Pxy-y^2={\pm}(b^2-Pab-a^2)(P^2+4),\\x^2-Pxy+y^2=-(b^2-Pab+a^2)(P^2-4),\\x^2-(P^2+4)y^2={\pm}4(b^2-Pab-a^2),$$ and $$x^2-(P^2-4)y^2=4(b^2-Pab+a^2)$$ have infinitely many integer solutions x and y, where a, b, and P are integers. Lastly, we make an application of the sequences $\{W_n\}$ and $\{X_n\}$ to trigonometric functions and get some new angle addition formulas such as $${\sin}\;r{\theta}\;{\sin}(m+n+r){\theta}={\sin}(m+r){\theta}\;{\sin}(n+r){\theta}-{\sin}\;m{\theta}\;{\sin}\;n{\theta},\\{\cos}\;r{\theta}\;{\cos}(m+n+r){\theta}={\cos}(m+r){\theta}\;{\cos}(n+r){\theta}-{\sin}\;m{\theta}\;{\sin}\;n{\theta},$$ and $${\cos}\;r{\theta}\;{\sin}(m+n){\theta}={\cos}(n+r){\theta}\;{\sin}\;m{\theta}+{\cos}(m-r){\theta}\;{\sin}\;n{\theta}$$.

• 접착 및 계면
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• 제24권2호
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• pp.60-63
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• 2023

AlGaN/GaN 이종접합 구조는 이차원 전자 가스층(2-DEG)으로 인해 높은 전자이동도를 갖고 있으며, 넓은 밴드갭을 갖기 때문에 고온에서 높은 항복전압을 갖는 특성을 가지고 있어, 고전력, 고주파 전자 소자로 주목받고 있다. 이러한 이점을 갖고 있음에도 불구하고, 전류 붕괴 등의 다양한 소자 신뢰성에 영향을 주는 인자들이 있기 때문에 이를 해결하고자, 본 논문에서는 금속-유기-화학기상증착법을 이용하여 AlGaN/GaN 이종 접합구조와 SiN 패시베이션 층을 연속 증착시켰다. 이를 통해 HEMTs소자에 SiN패시베이션이 미치는 재료 특성 및 전기적 특성을 분석했으며, 결과를 바탕으로 저주파 잡음 특성을 측정해 소자의 전도 메커니즘 모델과 채널 내의 결함의 원인에 대해서 분석하였다.

• Journal of Trauma and Injury
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• 제36권3호
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• pp.206-209
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• 2023

Purpose: Since its implementation, flexible fiberoptic bronchoscopy (FBS) has played an important role in the diagnosis and treatment of tracheobronchial tree and pulmonary disease. Although FBS is often performed by endoscopists, it has also been performed by surgeons, albeit rarely. This study investigated FBS from the surgeon's perspective. Methods: This retrospective study included patients who underwent FBS performed by a single thoracic surgeon between March 2017 and December 2021. Accordingly, the epidemiology, purpose, results, and complications of FBS were analyzed. Results: A total of 47 patients received FBS, whereas 13 patients underwent repeat FBS. Their mean age was 60.7 years. The main organs injured involved the chest (n=22), brain (n=9), abdominal organ (n=7), cervical spine (n=4), extremities (n=4), and face (n=1). The average Injury Severity Score was 22.5. Indications for FBS included atelectasis or haziness on chest x-ray (n=34), pneumonia (n=17), difficult ventilator management (n=7), percutaneous dilatory tracheostomy (n=3), blood aspiration (n=2), foreign body removal (n=2), and intubation due to a difficult airway (n=1). The findings of FBS were mucous plugs (n=36), blood and blood clots (n=16), percutaneous dilatory tracheostomy (n=3), foreign bodies (n=2), granulation tissue at the tracheostomy site (n=2), tracheostomy tube malposition (n=1), bronchus spasm (n=1), difficult airway intubation (n=1), and negative findings (n=5). None of the patients developed complications. Conclusions: FBS is an important modality in the trauma field that allows for the possibility of diagnosis and therapy. With sufficient practice, surgeons may safely perform FBS at the bedside with relative ease.

• Kyungpook Mathematical Journal
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• 제43권4호
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• pp.513-518
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• 2003

In this paper, we have proved a theorem on Hausdorff summability of Fourier series which generalizes various known results. We prove that if $${\int}_{o}^{t}\;{\mid}{\phi}(u){\mid}\;du=o(t)\;as\;t{\rightarrow}0\; and\;\lim_{n{\rightarrow}{\infty}}{\int}^{\eta}_{{\pi}/n}{\frac{{\mid}{\phi}(t)-{\phi}(t+{\pi}/n){\mid}}{t}}dt=o(n)$$ where 0 < ${\eta}$ < 1, then the Fourier series is (H, ${\mu}_n$) summable to s at t = x where the sequence ${\mu}_n$ is given by ${\mu}_n={\int}^1_0x^n{\chi}(x)\;dx\;n=0,1,2\;and\;K_n(t)=\limits\sum_{{\nu}=0}^n(\array {n\\{\nu}})({\Delta}^{{n}-{\nu}}{\mu}_{\nu}){\frac{sin{\nu}t}{t}}$.