Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.105-105
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2012
본 논문에서는 전세계적으로 차세대 에너지절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN 소자의 연구개발 동향에 관하여 발표하고자 한다. GaN 반도체는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$)등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. 고출력용 GaN RF 전력증폭 소자의 전력밀도는 기존 Si-기반 LDMOS 트랜지스터보다 10배 이상 높아 제품의 소형화와 경량화를 통하여 30% 이상의 전력절감이 가능하며, 레이더, 위성등 송수신 트랜시버 모듈에 GaN 전력증폭기를 이용할 경우 기존 GaAs-기반 전력증폭기에 비하여 높은 전력밀도(>x8)와 높은 효율(>20%)로 인하여 모듈 크기를 50% 이상 줄임과 동시에 경량화를 이룰 수 있어 비행기, 위성등 탑재체의 에너지 절감에 크게 기여할 수 있다. 고전력용 GaN 전력 스위칭 소자는 기존 Si-기반 IGBT에 비하여 스위칭 손실과 온-저항 손실이 낮아 30% 이상의 에너지 절감이 가능하다. 뿐만 아니라, 일본 도요타 자동차사의 보고에 의하면 HEV등 전기자동차의 DC-DC 부스터 컨버터나 DC-AC 인버터에 GaN 전력반도체를 적용할 경우 경량화, 변환효율 향상, 전용 냉각시스템을 제거할 수 있어 연료소모를 10% 이상 줄일 수 있어 연간 400불 이상의 에너지 절감 효과를 가진다. 이러한 에너지절감 효과는 미국, 유럽, 일본등 선진국을 중심으로 차세대 GaN 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 치열한 경쟁 구도의 구동력이 될 것이며, 본 논문을 통하여 GaN 반도체의 연구개발 방향과 상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.
In this paper, 1700 V EPDT (Extended P+ shielding floating gate Double Trench) MOSFET structure, which has a smaller switching time and loss than CDT (Conventional Double Trench) MOSFET, is proposed. The proposed EPDT MOSFET structure extended the P+ shielding area of the source trench in the CDT MOSFET structure and divided the gate into N+ and floating P- polysilicon gate. By comparing the two structures through Sentaurus TCAD simulation, the on-resistance was almost unchanged, but Crss (Gate-Drain Capacitance) decreased by 32.54 % and 65.5 %, when 0 V and 7 V was applied to the gate respectively. Therefore, the switching time and loss were reduced by 45 %, 32.6 % respectively, which shows that switching performance was greatly improved.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.27
no.7C
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pp.641-652
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2002
We introduce a new ultra-large capacity time- and wavelength-division hybrid optical switching system, called ESCIMONET(Easily SCalable Interconnected Multiwavelength Optical NETwork). We describe its architecture, principle of operation, and performance characteristics. ESCIMONET is very effective system in terms of its handling capacity versus number of wavelength needed. It can handle n$^3$number of channels using only n number of different wavelengths. The insertion loss of the whole system is less than conventional optical switching system so that the number of optical amplifiers in the system can be minimized. We analyzed the performance of the system by investigation the characteristics of the buffer used in the system such as throughput and average waiting time of the signal in a buffer.
The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.6
no.1
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pp.28-36
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1995
In this paper, a design method of multiple n-way low loss power divider for x-band is propossed. To decrease loss, only two-stages of transmission lines are used with isolation resistors for match. Ex- perimental results for 3-way and 4-way power dividers have the divided power of 5.54~6.17dB and 6.76~7.37 dB, the return loss of more than 17dB and 12dB, and the isolation of more than 18dB and 10dB at center frequency, respectively, The measured results show good agreement with the theoretical analysis.
Proceedings of the Korean Society for Agricultural Machinery Conference
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2002.02a
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pp.29-34
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2002
주요 결과를 요약하면 다음과 같다. 가. 벼 종자, 상토, 흔합 접착액 등 펠렛재료를 스크류 컨베이어에 의해 회전 성형롤에 공급, 압축성형 배출함으로써 직경 12 mm의 구형 벼 펠렛종자를 제조할 수 있는 벼 펠렛종자 제조장치를 설계·제작하였다. 나. 설계·제작된 벼 펠렛종자 제조장치의 제조능력은 시간 당 약 13,000 개 ∼ 37,000 개인 것으로 나타났고 이때 성형률은 약 61% ∼ 71%였다. 하지만 벼 종자 손실률은 약 17% ∼ 48%로 매우 큰 것으로 나타나, 펠렛재료의 손실과 종자손상을 줄이기 위한 성형롤 및 펠렛재료 공급장치의 개선이 필요한 것으로 보인다. 다. 제조된 펠렛종자의 무게는 제조 직후에는 1.66 g, 완전 건조 후에는 약 1.3 g으로 나타났으며, 제조된 펠렛종자의 직경은 약 12.0 mm에서 건조 후 약 11.2 mm로 축소되었다. 라. 제조된 한 개의 벼 펠렛종자 내 포함된 벼 종자의 개수는 상토와 벼 종자의 혼합비에 따라 다르게 나타났는데 혼합비 6 : 1에서 펠렛종자 당 종자 개수는 4.1 립, 혼합비 7 : 1에서 3.6 립, 그리고 혼합비 8 : 1에서는 3.1 립으로 나타났다. 마. 건조 후 벼 펠렛종자의 압축강도를 측정한 결과 건조기를 이용한 경우는 118 N ∼ 137 N, 음지 건조의 경우는 88 N ∼ 108 N으로 조사되었으며, 대체적으로 운반 및 파종 과정에서의 취급성은 문제가 없을 것으로 보인다.
In this paper, we report the design and the measurement of a X-band low noise amplifier (LNA) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) using a 0.25 ㎛ gate length microstrip GaN-on-SiC high electron mobility transistor (HEMT) technology. The developed X-band GaN-based LNA MMIC achieves small signal gain of 22.75 dB ~ 25.14 dB and noise figure of 1.84 dB ~ 1.94 dB in the desired band of 9 GHz to 10 GHz. Input and output return loss values are -11.36 dB ~ -24.49 dB and -11.11 dB ~ -17.68 dB, respectively. The LNA MMIC can withstand 40 dBm (10 W) input power without performance degradation. The chip dimensions are 3.67 mm × 1.15 mm. The developed GaN-based LNA MMIC is applicable to various X-band applications.
Kim, Hyun-Sik;Lee, Hae-Yon;Lee, Geane;Kim, Choon-Bae;Oh, Young-Woo
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.369-370
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2009
전력선 통신용 접촉식 커플러의 제조 방법 확립과 응용 가능성을 파악하기 위해 440V이하의 저압용 3상 4선식 접촉식 커플러를 설계 및 제조하였다. 60Hz의 교류 전압 신호를 차단하는 캐패시터의 용량이 증가할수록 삽입 손실의 증가하였으며, 68nF의 캐패시터를 적용하여 90~450kHz, 2~30MHz의 전력선통신 주파수 대역에서 최소 삽입 손실 특성을 얻었다. 커플링 트랜스의 권선수 증가는 전자계 결합계수의 상승으로 자기유도 효율이 증가하여 삽입 손실 특성이 증가하였으며. 6턴 이상의 권선수에서는 거의 일정한 삽입 손실 특성을 나타내었다. 설계 완료된 접촉식 커플러를 이용하여 전력선 통신 주파수인 90~450kHz, 2~30MHz 대역에서 $-2\pm1dB$의 삽입 손실 특성을 얻었다.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.4
no.1
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pp.19-25
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1999
To achieve high efficiency in high power and high frequency applications, reduction of switching losses and noise is very important. In this paper, an improved zero voltage switching forward dc/dc converter is proposed. The proposed converter is constructed by using energy recovery snubbers in parallel with the main switches and output diodes of the conventional forward dc/dc converter. Due to the use of the energy recovery snubbers in the primary and secondary side, the proposed converter achieves zero-voltage-switching turn-off without switching losses for switching devices and output rectification diodes. The complete operating principles and experimental results will be presented.
Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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2012.06a
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pp.311-312
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2012
도시 컴퓨팅에서의 파일 시스템은 하나의 메타 데이터 서버와 여러 개의 데이터 저장 서버로 구성되어 있다. 이 데이터 저장 서버의 자료구조를 사용자의 두 가지 질의에 맞게 구성함으로써 미리읽기의 성능을 향상시킨다. 또한 데이터의 손실을 방지하기 위해 복사본을 만들 때, 두 가지의 형태로 바꿔 저장함으로써 데이터의 손실을 막고 여러 질의에 대응하여 좋은 성능을 낼 수 있다.
Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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2012.06d
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pp.172-174
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2012
본 논문에서는 광대역 무선 네트워크 환경에서 제공되는 스트리밍 서비스의 품질 보장을 위한 적응적 전송률 제어 기법을 제안한다. 기존 기법들은 다수의 사용자들이 존재하는 광대역 무선 네트워크 환경에서 적응적으로 전송률을 조절하지 못하여 네트워크 자원 활용도가 낮고 패킷 손실률이 큰 문제점이 있다. 이를 해결하기 위해 제안하는 기법은 기지국에 접속한 단말의 수와 네트워크 상태를 고려하여 전송률을 조절한다. 실험 결과를 통해 낮은 패킷 손실률과 전송률 향상을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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