• 한국자기학회지
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• 제16권5호
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• pp.245-248
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• 2006

Sol-gel법을 이용하여 단일상을 갖는 $Tb_{3-x}Bi_xFe_5O_{12}$ 분말 시료를 제조하였으며, 그 결정학적 및 자기적 특성을 x-선 회절법(XRD), 진동 시료 자화율 측정법(VSM), $M\"{o}ssbauer$ 분광법으로 연구하였다. XRD 분석 결과 결정구조는 Ia3d의 공간그룹을 갖는 cubic 구조임을 알 수 있었고, Bismuth의 치환량이 x=0.5, 0.75, 1.0 및 1.25로 증가할수록 격자상수가 각각 $a_0=12.466{\AA},\;12.487{\AA},\;12.499{\AA},\;12.518{\AA}$으로 선형적으로 증가함을 확인할 수 있었다. VSM을 이용한 온도에 따른 자기모멘트 측정 결과 Bismuth의 치환량이 증가하면 $N\'{e}el$ 온도는 증가하며 compensation 온도는 감소함을 확인할 수 있었다. 또한 field cooled 조건에서 비정상적인 음의 자화값이 관측되었다. $M\"{o}ssbauer$ 스펙트럼은 4.2 K에서부터 $N\'{e}el$ 온도까지 측정하였으며, 분석 결과 상온에서 모든 시료의 이성질체 이동치의 값은 평균적으로 0.27mm/s로 철의 이온상태가 +3가 임을 확인할 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.32-35
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• 1979

SnO2- amorphous Sb 5 thin film-Sn structure에서 SnO2 창으로 photon을 입사시켰을 때 photo-voltaic 효과를 발견했으며 photon의 energy에 따라 photowltage의 부호가 반전 되었다. 이러한 현상은 SnO2- Sb S 사이에서 n-n heterojunction이, Sb S Sn사이에서 schottky junction이 형성되기 때문인 것으로 여겨진다.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권1호
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• pp.41-45
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• 2014

다양한 공정 조건으로 $SiN_x$와 $SiO_2$ 박막을 형성하고 이에 대한 패시베이션 특성에 대한 연구를 수행하였다. Plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)을 이용하여 증착된 $SiN_x$ 박막의 경우, 증착 두께가 증가함에 따라 페시베이션 특성이 향상되는 것을 관찰하였다. 이는 PECVD 증착 공정 중 유입되는 수소 원자들이 실리콘 표면에 존재하는 Dangling bond와 결합하여 소수 캐리어의 재결합 현상을 효과적으로 감소시켰기 때문이다. 건식 산화법으로 형성된 $SiO_2$ 박막은 습식 산화법으로 형성된 것 보다 치밀한 계면 구조를 가짐으로 인하여 약 20배 이상 우수한 패시베이션 특성을 나타내었다. 건식 산화 공정 온도가 증가함에 따라 패시베이션 특성이 열화되는 현상이 발생하였고, Capacitance-voltage(C-V) 및 Conductance-voltage(G-V) 분석을 통하여 $SiO_2$/실리콘 계면에 존재하는 계면 결함 밀도 증가에 의해 나타나는 현상임을 알 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제53권4호
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• pp.463-467
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• 2016

$Si^{4+}-N^{3-}$ was incorporated into $Ce^{3+}-doped$ lutetium aluminum garnet ($Lu_{2.965}Ce_{0.035}Al_5O_{12}$, $LuAG:Ce^{3+}$) lattices, resulting in the formation of $Lu_{2.965}Ce_{0.035}Al_{5-x}Si_xO_{12-x}N_x$ [(Lu,Ce)AG:xSN]. For x = 0-0.25, the synthesized powders consisted of the LuAG single phase, and the lattice constant decreased owing to the smaller $Si^{4+}$ ions. However, for x > 0.25, a small amount of unknown impurity phases was observed, and the lattice constant increased. Under 450 nm excitation, the PL spectrum of $LuAG:Ce^{3+}$ exhibited the green band, peaking at 505 nm. The incorporation of $Si^{4+}-N^{3-}$ into the $Al^{3+}-O^{2-}$ sites of $LuAG:Ce^{3+}$ led to a red-shift of the emission peak wavelength from 505 to 570 nm with increasing x. Corresponding CIE chromaticity coordinates varied from the green to yellow regions. These behaviors were discussed based on the modification of the $5d^1$ split levels and crystal field surroundings of $Ce^{3+}$, which arose from the Ce-(O,N)8 bonds.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제21권6호
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• pp.583-587
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• 2000

Depletion kinetics of ground state FeO molecules by $0_2$, $N_2O$ and $N_2$ has been studied at room temperature. The ground state FeO molecules were generated by photolysis of a $Fe$(CO)_5$/M(O_2$, $N_2O)/He$ mixture using an unfocused weak UV laser beam. The formation of ground state FeO molecules was identified by a laser-induced fluorescence (LIF) method. The intensity distribution of those undisturbed rotational lines suggests that the rotational temperature of the ground state FeO molecules is lower than room temperature. The LIF intensities of FeO molecules at different partial pressures of $0_2$, $N_2O$ and $N_2$ were monitored as a function of the time delay between the photolysis and probe laser pulses to obtain the depletion rate constants for the ground state FeO. They were 1.7+ 0.2x $10^{-12}$, 4.8 $\pm0.4$ x $10^{-12}$, and $1.4\pm$ 0.2x $10^{-12}cm^3$molecule^{-1}s^{-1}$$ by $0_2$, $N_20$, and $N_2$, respectively.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.518-521
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• 2003

Bi$_2$Sr$_2$Ca$_{n-1}$Cu$_{n}$O$_{x}$ superconducting thin films have been fabricated by atomic layer-by-layer deposition using IBS(Ion Beam Sputtering) method. During the deposition, 90 mol% ozone gas of typical pressure of 1~9 $\times$ 10$^{-5}$ Torr are supplied with ultraviolet light irradiation for oxidation. XRD and RHEED investigations reveal out that a buffer layer with some different compositions is formed at the early deposition stage of less than 10 units cell and then Bi-2201 oriented along the c-axis is grown.grown.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.259-260
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• 2006

$Bi_2Sr_2Ca_{n-1}Cu_nO_x$ superconducting thin films have been fabricated by atomic layer-by-layer deposition using IBS(Ion Beam Sputtering) method During the deposition, 90 mol% ozone gas of typical pressure of $1{\sim}9{\times}10^{-5}$ T orr are supplied with ultraviolet light irradiation for oxidation. XRD and RHEED investigations reveal out that a buffer layer with some different compositions is formed at the early deposition stage of less than 10 units cell and then Bi-2201 oriented along the c-axis is grown.

• Journal of the Korean Statistical Society
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• 제25권1호
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• pp.153-159
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• 1996

Sums of independent random variables $S_n = X_1 + X_ + cdots + X_n$ are considered, where the X$_{n}$ are chosen according to a stationary process of distributions. Given the time t .geq. O, let N (t) be the number of indices n for which O < $S_n$ $\geq$ t. In this set up we prove that N (t)/t converges almost surely and in $L^1$ as t longrightarrow $\infty$, which generalizes classical renewal theorem.m.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.370-370
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• 2010

The effects of adding higher-valence impurities on the bipolar resistive switching characteristics of Pt/$NiO_{1+x}$/TiN MIM stacks and physical properties were investigated. $NiO_{1+x}$ films with 14% W deposited at 20% oxygen partial pressure exhibited the bipolar resistance switching characteristics in Pt/$NiO_{1+x}$/TiN MIM stacks, while $NiO_{1+x}$ films with 8.2% W show unipolar resistance switching behavior. The relationship of W-doping and the crystallinity was studied by X-ray diffraction. The metallic Ni contents and $WO_x$ binding states with W amount was investigated by XPS. Our result showed that the metallic Ni, $WO_x$ binding states, and crystallinity in $NiO_{1+x}$ played an important role on the bipolar resistive switching.

• 공업화학
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• 제5권1호
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• pp.24-29
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• 1994

모더나이트와 크리노프티로라이트가 혼재되어 있는 한국산 천연 제올라니트(경북 구룡포산)로부터 제올라이트 X를 합성하였다. 원료를 열처리한 결과 크리노프티로라이트는 없어지고 모더나이트만 남았다. 2N-8N의 염산으로 알루미늄을 추출하거나 혹은 열처리한 국산 천연 제올라이트에 NaCl과 $NaAlO_2$ 및 NaOH를 첨가한 혼합용액을 $95^{\circ}C$에서 12~36시간 동안 반응시켜 제올라이트 X를 얻었다. 염산으로 전처리한 시료 25g을 3.5g NaCl, 8g $NaAlO_2$와 6N NaOH 50ml의 혼합용액으로 $95^{\circ}C$에서 24시간 반응시킨 것이 제올라이트 NaX의 최대수율을 나타내었다.