• 한국전산구조공학회논문집
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• 제31권6호
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• pp.373-380
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• 2018

본 논문에서는 다중적층 유리의 고속 충돌체에 의한 충돌/침투 파괴 현상을 해석하기 위해 페리다이나믹 동적 해석 기법을 적용한다. 대부분의 다중적층 유리 구조물들은 다수의 주요 유리층들이 상대적으로 매우 얇은 탄성 필름으로 접착되어서 만들어진다. 따라서 다중적층 구조물의 수치해석 모델을 구성하는 것은 까다롭고 비용이 많이 든다. 본 연구에서는 실제 절점을 대신하여 가상의 절점들을 주요층들 사이에 위치시키고 상호작용시키는 비국부 가상 층간구조 모델링을 도입하여 보다 효율적으로 다중적층 구조를 모델링하였다. 또한 고속 충돌체와의 충돌 및 침투 현상을 해석하기 위해 페리다이나믹 비국부 접촉 모델이 고려되었다. 7개의 유리층과 하나의 탄성 백킹층이 폴리비닐부티랄 필름으로 부착된 다중적층 유리의 충돌 파괴 해석을 통해 제안된 해석 모델의 손상 파괴 적용 가능성을 확인하였다.

• 한국고분자학회:학술대회논문집
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• 한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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• pp.192-192
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• 2006

Organic/organic and organic/inorganic multilayer films composed of organic polyelectrolytes (PE) and inorganic nanoparticles/platelets were prepared from the layer-by-layer (LbL) deposition using both spinning and dipping. The difference in both LbL methods is quantitatively compared in terms of internal layer ordering and physical properties of the multilayered films. Additionally, we suggest that the patterned multilayer films can be easily prepared by the combination of the spin SA and the lift-off method. Freestanding films were also prepared with the LbL deposition on low energy substrates, which allows the detailed analysis of composition within the films. Other LbL thin films prepared with block copolymer micelles will be discussed.

• 한국자기학회지
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• 제6권3호
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• pp.170-173
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• 1996

3-gun 마그네트론 스퍼터 장치로 Co-Zr 다층 박막을 제작하여 저온 비정질화를 시도하였다. 박막 x-ray와 단면 투과 전자현미경 분석에 의해 지르코늄 층이 코발트의 확산에 의해 비정질화 됨과 그의 위쪽 계면의 지르코늄 비정질화 속도가 아래쪽 계면의 그것보다 두 내지 세배 빠른 것을 발견하였다. 이 현상은 스퍼터링 중의 분자 섞임으로 설명되었다.

• 한국광학회지
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• 제1권1호
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• pp.73-86
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• 1990

The technique of Spectroscopic Ellipsometry (SE) has been examined with emphasis on its inherent sensitivity to the existence of thin films or surface equivalents. A brief review of related theories like the Fresnel reflection coefficients, the effect of a multilayer upon reflectivities, together with the validity of the effective medium theory and the modelling procedure, is followed by a short description of the experimental setup of a rotating polarizer type SE as well as the necessful expressions which lead to tan and cos. Out of its numerous, successful applications, a few are exampled to convince a reader that SE can be applied to a variety of research fields related to surface, interface and thin films. Specifically, those are adsorption and/or desorption on metals or semiconductors, oxidation process, formation of passivation layers on an electrode, thickness determination, interface between semiconductor and its oxide, semiconductor heterojunctions, surface microroughness, void distribution of dielectric, optical thin films, depth profile of multilayered samples, in-situ or in-vitro characterization of a solid surface immersed in electrolyte during electrochemical, chemical, or biological treatments, and so on. It is expected that the potential capability of SE will be widely utilized in a very near future, taking advantage of its sensitivity to thin films or surface equivalents, and its nondestructive, nonperturbing characteristics.

• ETRI Journal
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• 제37권6호
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• pp.1135-1142
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• 2015

Multilayered ZnO-$SnO_2$ heterostructure thin films consisting of ZnO and $SnO_2$ layers are produced by alternating the pulsed laser ablation of ZnO and $SnO_2$ targets, and their structural and field-effect electronic transport properties are investigated as a function of the thickness of the ZnO and $SnO_2$ layers. The performance parameters of amorphous multilayered ZnO-$SnO_2$ heterostructure thin-film transistors (TFTs) are highly dependent on the thickness of the ZnO and $SnO_2$ layers. A highest electron mobility of $43cm^2/V{\cdot}s$, a low subthreshold swing of a 0.22 V/dec, a threshold voltage of 1 V, and a high drain current on-to-off ratio of $10^{10}$ are obtained for the amorphous multilayered ZnO(1.5nm)-$SnO_2$(1.5 nm) heterostructure TFTs, which is adequate for the operation of next-generation microelectronic devices. These results are presumed to be due to the unique electronic structure of amorphous multilayered ZnO-$SnO_2$ heterostructure film consisting of ZnO, $SnO_2$, and ZnO-$SnO_2$ interface layers.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 춘계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.44.2-44
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• 2003

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2002년도 제22회 학술발표회 초록집
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• pp.166-166
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• 2002

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제13권4호
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• pp.208-211
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• 2012

In the present study, a ZnO thin film, as a buffer layer of ITO (indium tin oxide) film was deposited on glass substrates by RF magnetron sputtering at low temperature of $150^{\circ}C$. In order to estimate the optical characteristics and compare with the experimental results in Glass/ZnO(100 nm)/ITO(35 nm) multilayered film, the simulation program, EMP (Essential Macleod Program) was adopted. The sheet resistance and optical transmittance of the films were measured using the four-point probe method and spectrophotometer, respectively. From X-ray diffraction patterns, all the films deposited at $150^{\circ}C$ demonstrated only the amorphous phase. Optical transmittance was the highest at a ZnO thickness of 100 nm. The ITO(35 nm)/ZnO(100 nm) film exhibits an optical transmittance of >92% at 550 nm. The multilayered film showed an electrical sheet resistance of 407 ${\Omega}/sq.$, which is significantly better than that of a single-layer ITO film without a ZnO buffer layer (815 ${\Omega}/sq.$).

• 한국자기학회지
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• 제4권3호
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• pp.256-262
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• 1994

코발트 단위층의 두께가 $2{\AA}$ 및 $4{\AA}$인 두 경우에 대해 막의 총두께가 약 $200{\AA}$인 Co/Pd 다층막을 제조하였으며 이 때 스퍼터링 압력이 자화반전 및 수직자기이방성에 미치는 영향에 대해 연구 하였다. 수직자기이방성 에너저지가 최대치를 보이는 압력이 존재하였으며 $2{\AA}$ 코발트층의 경우 $4{\AA}$ 경우 보다 낮은 압력에서 최대치가 나타났다. 자화시 자구벽 이동은 압력이 높을수록 어려워졌으며 높은 압력에서 는 자구벽 이동으로부터 자기모멘트 회전으로 자화반전기구가 바뀌었다. 또한 코발트층의 두께가 $2{\AA}$인 경우가 $4{\AA}$인 경우보다 수직자기이방성 에너지가 큰 것으로 나타났다.

• 한국자기학회지
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• 제3권4호
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• pp.269-276
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• 1993

Co/Pd 다층박막에서 두 sublayer의 층수비($n_{Co}/n_{Pd}$ = 1/4, 2/4, 3/4, 5/4), 기판온도 ($실온,\;100,\;150,\;200\;^{\circ}C$)를 달리하는 시료를 열진공 증착방법으로 제작하고 이에 대한 Hall 이력곡선을 측정하였다. 이때 나타나는 다야한 형태의 이력곡선을 Co와 Pd sublayer의 자화에 의한 transverse Hall effect 항과 magnetoresistivity 항이 중첩된 것으로 보고 이를 최적 fiting 방법으로 분해하였다. 이 결과 시료 전체의 계면 영역에 걸쳐 강자성과 반강자성인 두 자화상태가 공존하며 이들의 exchange anisotropy의 크기와 반강자성 물질에 의한 강자성 물질의 자벽 고착 효과에 따라 uniaxal 또는 unidirectional easy axis 형의 Hall 이력곡선을 형성하는 것으로 나타났다.