In this paper, the programming characteristics of the multi-bit devices based on SONOS structure are investigated. Our devices have been fabricated by 0.35 $\mu\textrm{m}$ complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process with LOCOS isolation. In order to achieve the multi-bit operation per cell, charges must be locally frapped in the nitride layer above the channel near the source-drain junction. Programming method is selected by Channel Hot Electron (CUE) injection which is available for localized trap in nitride film. To demonstrate CHE injection, substrate current (Isub) and one-shot programming curve are investigated. The multi-bit operation which stores two-bit per cell is investigated. Also, Hot Hole(HH) injection for fast erasing is used. The fabricated SONOS devices have ultra-thinner gate dielectrics and then have lower programming voltage, simpler process and better scalability compared to any other multi-bit storage Flash memory. Our programming characteristics are shown to be the most promising for the multi-bit flash memory.
플래시 메모리 기반 저장장치인 SSD(solid state disk)는 높은 집적도와 빠른 데이터 처리가 가능한 장점을 가지고 있다. 따라서 급격하게 증가하고 있는 빅데이터를 관리하는 고용량 데이터 저장 시스템의 저장장치로 활용되고 있다. 그러나 저장 미디어인 플래시 메모리에 일정 횟수 이상 반복해서 쓰기/지우기 동작을 반복하면 셀이 마모되어 사용하지 못하는 물리적 한계가 있다. 본 논문에서는 플래시 메모리의 불량률을 줄이고 수명을 연장하기 위해 불량이 발생한 다중 비트 셀을 단일 비트 셀로 변환하여 사용하는 방법을 제안한다. 제안하는 아이디어는 물리적 특징이 다르지만 동일하게 불량으로 처리되고 있는 다중 비트 셀과 단일 비트 셀의 불량 및 처리 방법을 구분하였다. 그리고 불량이 예상되는 다중 비트 셀을 단일 비트 셀로 변환하여 불량률을 개선하고 전체적인 수명을 연장하였다. 마지막으로 시뮬레이션을 통해 SSD의 증가한 수명을 측정하여 제안하는 아이디어의 효과를 증명하였다.
멀티레벨 홀로그래픽 데이터 저장장치는 한 픽셀에 1비트 이상의 데이터 저장이 가능하여 한정된 공간에서 저장 밀도를 높일 수 있기 때문에 차세대 대용량 저장장치로 부각되고 있다. 한편 레벨의 증가는 동일한 픽셀개수에서 코드워드의 수를 증가시킬 수 있기 때문에 적절히 코드워드를 선택하면 변조부호의 최소거리를 증가시킬 수 있다. 최소거리의 증가는 노이즈 마진이 증가하므로 변조부호의 오류 정정 능력이 향상된다. 본 논문에서는 부호율이 1인 세 가지 변조부호를 제안하고, 이들의 최소거리에 따른 성능을 비교한다. 레벨의 증가로 코드워드간의 최소거리를 증가시켜 노이즈 마진을 증가시켰지만, 픽셀의 레벨이 증가할수록 문턱값 검출이 어렵기 때문에 낮은 레벨에 대한 변조부호가 더 좋은 성능을 보였다.
In this paper, the programming characteristics of the multi-bit devices based on SONOS structure are investigated. Our devices have been fabricated by $0.35\;{\mu}m$ complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process with LOCOS isolation. In order to achieve the two-bits per cell operation, charges must be locally trapped in the nitride layer above the channel near the junction. Channel hot electron (CHE) injection for programming can operate in multi-bit using localized trap in nitride film. CHE injection in our devices is achieved with the single power supply of 5 V. To demonstrate CHE injection, substrate current (Isub) and one-shot programming curve were investigated. The multi-bit operation which stores two-bit per cell is investigated with a reverse read scheme. Also, hot hole injection for fast erasing is used. Due to the ultra-thin gate dielectrics, our results show many advantages which are simpler process, better scalability and lower programming voltage compared to any other two-bit storage flash memory. This fabricated structure and programming characteristics are shown to be the most promising for the multi-bit flash memory.
Majumdar, Abhishek;Biswas, Arpita;Baishnab, Krishna Lal;Sood, Sandeep K.
KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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제13권7호
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pp.3794-3820
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2019
In recent years, a cloud environment with the ability to detect illegal behaviours along with a secured data storage capability is much needed. This study presents a cloud storage framework, wherein a 128-bit encryption key has been generated by combining deoxyribonucleic acid (DNA) cryptography and the Hill Cipher algorithm to make the framework unbreakable and ensure a better and secured distributed cloud storage environment. Moreover, the study proposes a DNA-based encryption technique, followed by a 256-bit secure socket layer (SSL) to secure data storage. The 256-bit SSL provides secured connections during data transmission. The data herein are classified based on different qualitative security parameters obtained using a specialized fuzzy-based classification technique. The model also has an additional advantage of being able to decide on selecting suitable storage servers from an existing pool of storage servers. A fuzzy-based technique for order of preference by similarity to ideal solution (TOPSIS) multi-criteria decision-making (MCDM) model has been employed for this, which can decide on the set of suitable storage servers on which the data must be stored and results in a reduction in execution time by keeping up the level of security to an improved grade.
홀로그래픽 데이터 저장장치에서 데이터는 줄 단위가 아닌 페이지 단위처리하기 때문에, 짧은 접근 시간, 고용량, 빠른 전송 능력을 갖는다. 또한 멀티레벨 홀로그래픽 데이터 저장장치에서는 하나의 픽셀은 1bit이상 저장이 가능하다. 하지만 인접한 심볼간의 레벨의 차이가 클수록 인접 심볼간 간섭 문제가 발생한다. 그러므로 가장 큰 심볼과 가장 작은 심볼이 인접하는 것을 방지해야 한다. 본 논문에서는 인접 심볼간 간섭을 줄이기 위해 4-레벨 홀로그래픽 데이터 저장장치를 위한 12/16 변조부호를 제안한다.
멀티레벨 홀로그래픽 데이터 저장장치는 한 픽셀에 1비트 보다 많은 데이터를 저장할 수 있다. 본 논문에서는 부호율이 8/6=1.33 (bit/pixel)이고 한 픽셀이 4-레벨을 갖는 6픽셀 변조부호를 제안하고 기존에 제안된 4-레벨 6/9 변조부호, 2/3 변조부호의 성능을 비교한다. 제안된 6픽셀 변조부호는 하나의 코드워드가 6픽셀로 구성되어 있고 최소 유클리디안 거리가 3 이상인 변조부호이다. 6픽셀 변조부호는 기존에 제안된 변조부호들 보다 약 1dB 정도의 성능 이득이 있었다.
Today, most of data storage devices use digital storage type. In this thesis, a new digital storage media called rainbow disk was introduced. It doesn't use 1-bit digital signal, but 2 or 4 bits digital signal using colors, so it can increase $2{\sim}4$ times more capacity than existing digital media in case of having the same spot size. It has made possible by means of technological advancement of devices and software. The photo quality paper was used for writing data by color inkjet or laser printing, and high resolution scanner was used for reading data. To extract data from image, the converting program was used. This paper shows the concept of rainbow disk as well as its performance and capacity. Axiomatic design was used for evaluating and developing the whole system.
최근 엔터프라이즈 및 데이터 센터에서는 급격하게 증가하고 있는 빅데이터를 관리하기 위한 자원 최적화 연구가 활발하게 진행되고 있다. 특히 고정 할당된 저장 자원과 비교하여 많은 자원을 할당하는 씬프로비저닝은 초기 비용을 줄이는 효과가 있으나 실제로 사용하는 자원이 증가할수록 비용의 효과는 감소하고 자원을 할당하기 위한 관리 비용이 증가하는 문제가 있다. 본 논문에서는 플래시 메모리의 물리적 블록을 단일 비트 셀과 다중 비트 셀로 구분하여 하이브리드 기법으로 포맷하고, 빈번하게 사용하는 핫 데이터와 사용량이 적은 콜드 데이터를 구분하여 관리하는 기법을 제안한다. 제안하는 기법은 씩프로비저닝과 같이 물리적으로 자원과 할당된 자원이 동일하여 추가적인 비용 증가 없이 사용할 수 있으며, 사용량이 적은 자원을 다중 비트 셀 블록에 관리하여 씬프로비저닝과 같이 일반적인 저장장치보다 더 많은 자원을 할당할 수 있는 장점이 있다. 마지막으로 시뮬레이션을 기반으로 실험을 통해 제안하는 기법의 자원 최적화 효과를 측정하였다.
In PRAM applications, the devices can be made for both binary and multi-state storage. The ability to attain intermediate stages comes either from the fact that some chalcogenide materials can exist in configurations that range from completely amorphous to completely crystalline or from designing device structure such a way that mimics multiple phase chase phenomena in single cell. We have designed stack-structured phase change memory cell which operates as multi-state storage. Amorphous $Ge_xTe_{100-x}$ chalcogenide materials were stacked and a diffusion barrier was chosen for each stack layers. The device is operated by crystallizing each chalcogenide material as sequential manner from the bottom layer to the top layer. The amplitude of current pulse and the duration of pulse width was fixed and number of pulses were controlled to change overall resistance of the phase change memory cell. To optimize operational performance the thickness of each chalcogenide was controlled based on simulation results.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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