본 논문에서는 수치해석을 사용하여 반도체용 패키지에 적용된 인쇄회로기판 (PCB(printed circuit board)) 구조를 다층 구조의 소재 특성을 모델링한 것과 단일 구조라고 가정한 모델링을 적용하여 warpage를 해석함으로써 단일 구조 PCB 모델링의 유용성을 분석하였다. 해석에는 3층과 4층 회로층을 갖는 PCB가 사용되었다. 또한 단일 구조 PCB의 재료 특성값을 얻기 위해 실제 제품을 대상으로 측정을 수행하였다. 해석 결과에 의하면 PCB를 다층 구조로 모델링한 경우에 비해 단일 구조로 모델링한 경우에 warpage가 증가하여 PCB 구조의 모델링에 따른 warpage 분석결과가 분명한 유의차가 있었다. 또한, PCB의 회로층이 증가하면 PCB의 기계적 특성인 탄성계수와 관성모멘트가 증가하여 패키지의 warpage가 감소하였다.
Several new via structures in printed circuit boards are proposed, fabricated and characterized in RF regime. The new structure with a larger inductance component in the bottom layer shows 3㏈ improvement over the conventional structure. The ADS simulation with model parameters extracted from 3D fie]d solver matches with the characterization of these vias
This paper describes the open frame type high power density switching converter. It is based on active clamp forward converter with synchronous rectifier, and packaged by using the open frame and multi-layer printed circuit board (PCB) techniques to achieve the high power density. Furthermore, windings of transformer and inductor are also realized by multi-layer PCB so that it achieves the higher power density. Through the experiment on the proto-type converter of 50[W], it is confirmed that power density of $50[W/in^3]$ and maximum efficiency of over 91 [%] are obtained.
The capacity of the drilling process in Multi-Layer PCB fabrication can be affected by various process parameters determining material flows in the unit operations. The ratio of mass-lamination to pin lamination and the number of stacks as the most critical paramaters, among them, were chosen on the basis of exhaustive field evaluation to study their effects on the capacity of the process. The best alternative condition for maximum capacity of the process was selected by simulation of process.
The most costly and time-consuming process in the fabrication of today's multi-layer circuit board is drilling interconnection holes between adjacent layers and via holes within a layer. Decreasing size of via holes being demanded and growing number of via holes per panel increase drilling costs. Component density and electronic functionality of today's multi-layer circuit boards can be improved with the introduction of cost-effective, variable depth laser drilled blind micro via holes, and interconnection holes. Laser technology is being quickly adopted into the circuit board industry but can be accelerated with the introduction of a true production laser drilling system. In order to get optimized condition for drilling to FPCB (Flexible Printed Circuit Board), we use various drill pattern as drill step. For productivity, we investigate drill path optimization method. And for the precise drilling the thermal drift of scanner and temperature change of scan system are tested.
In this paper, a highly miniaturized and performed UWB bandpass filter has been newly designed and implemented by embedding all the passive elements into a multi-layered PCB substrate with high dielectric $SrTiO_3$ composite film for 3.1 - 4.75 GHz compact UWB system applications. The high dielectric composite film was utilized to increase the capacitance densities and quality factors of capacitors embedded into the PCB. In order to reduce the size of the filter and avoid parasitic EM coupling between the embedded filter circuit elements, it was designed by using a $3^{rd}$ order Chebyshev circuit topology and a capacitive coupled transformation technology. Independent transmission zeros were also applied for improving the attenuation of the filter at the desired stopbands. The measured insertion and return losses in the passband were better than 1.68 and 12 dB, with a minimum value of 0.78 dB. The transmission zeros of the measured response were occurred at 2.2 and 5.15 GHz resulting in excellent suppressions of 31 and 20 dB at WLAN bands of 2.4 and 5.15 GHz, respectively. The size of the fabricated bandpass filter was $2.9{\times}2.8{\times}0.55(H)mm^3$.
Micro-sized bumps on a multi-layered build-up PCB were fabricated by pulse-reverse copper electroplating. The values of the current density and brightener content for the electroplating were optimized for suitable performance with maximum efficiency. The micro-bumps thus electroplated were characterized using a range of analytical tools that included an optical microscope, a scanning electron microscope, an atomic force microscope and a hydraulic bulge tester. The optical microscope and scanning electron microscope analyses results showed that the uniformity of the electroplating was viable in the current density range of $2-4\;A/dm^2$; however, the uniformity was slightly degraded as the current density increased. To study the effect of the brightener concentration, the concentration was varied from zero to 1.2 ml/L. The optimum concentration for micro-bump electroplating was found to be 0.6 ml/L based on an examination of the electroplating properties, including the roughness, yield strength and grain size.
Lee, Ho. Y.;Kyung. H. Nam;Joo. S. Yoon;Jeon. G. Han;Young. H. Jun
한국표면공학회:학술대회논문집
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한국표면공학회 2001년도 춘계학술발표회 초록집
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pp.3-3
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2001
Recently TiN, TiAlN, CrN hardcoatings have adapted many industrial application such as die, mold and cutting tools because of good wear resistant and thermal stability. However, in terms of high speed process, general hard coatings have been limited by oxidation and thermal hardness drop. Especially in the case of PCB drill, high speed cutting and without lubricant process condition have not adapted these coatings until now. Therefore more recently, superhard nanocomposite coating which have superhard and good thermal stability have developed. In previous works, WC-TiAlN new nanocomposite film was investigated by cathodic arc ion plating system. Control of AI concentration, WC-TiAlN multi layer composite coating with controlled microstructure was carried out and provides additional enhancement of mechanical properties as well as oxidation resistance at elevated temperature. It is noted that microhardness ofWC-TiA1N multi layer composite coating increased up to 50 Gpa and got thermal stability about $900^{\circ}C$. In this study WC-TiAlN nanocomposite coating was deposited on PCB drill for enhancement of life time. The parameter was A1 concentration and plasma cleaning time for edge sharpness maintaining. The characteristic of WC-TiAlN film formation and wear behaviors are discussed with data from AlES, XRD, EDS and SEM analysis. Through field test, enhancement of life time for PCB drill was measured.
Even though the fabrication methods of metal oxide based thin film capacitor have been well established such as RF sputtering, Sol-gel, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), ion beam assisted deposition (IBAD) and pulsed laser deposition (PLD), an applicable capacitor of printed circuit board (PCB) has not realized yet by these methods. Barium Strontium Titanate (BST) and other high-k ceramic oxides are important materials used in integrated passive devices, multi-chip modules (MCM), high-density interconnect, and chip-scale packaging. Thin film multi-layer technology is strongly demanded for having high capacitance (120 nF/$mm^2$). In this study, we suggest novel multi-layer thin film capacitor design and fabrication technology utilized by plasma assisted deposition and photolithography processes. Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) was used for the dielectric material since it has high dielectric constant and low dielectric loss. 5-layered BST and Pt thin films with multi-layer sandwich structures were formed on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate by RF-magnetron sputtering and DC-sputtering. Pt electrodes and BST layers were patterned to reveal internal electrodes by photolithography. SiO2 passivation layer was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD). The passivation layer plays an important role to prevent short connection between the electrodes. It was patterned to create holes for the connection between internal electrodes and external electrodes by reactive-ion etching (RIE). External contact pads were formed by Pt electrodes. The microstructure and dielectric characteristics of the capacitors were investigated by scanning electron microscopy (SEM) and impedance analyzer, respectively. In conclusion, the 0402 sized thin film multi-layer capacitors have been demonstrated, which have capacitance of 10 nF. They are expected to be used for decoupling purpose and have been fabricated with high yield.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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