• 방사성폐기물학회지
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• 제11권2호
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• pp.157-178
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• 2013

사용후핵연료 최종처분을 위해 심층처분은 세계적으로 가장 선호되는 방법이다. 이를 위해 선진국들은 자국 여건에 가장 잘 부합되는 고유의 처분시스템 개발에 주력하고 있거나, 일부 확보하여 상용처분사업에 적용하고 있다. 현재까지 알려진 대부분의 심층처분시스템은 공학적 및 천연방벽으로 구성된 다중방벽시스템이다. 이들 처분시스템은 수 천 년 ~ 수 십만 년 이상의 성능기간이 대하여 성능 안전성의 입증이 확인되어야 후속 상용처분사업에 적용 가능하다. 입증 현안과제들은 처분시스템의 상능 안전성 확보를 위해 수행되는 모든 행위 즉, 조사, 분석, 해석, 평가, 설계, 건설, 운영 및 폐쇄에 이르는 전 과정에 있어서 추진 과정과 결과에 대한 실현 가능성과 실증에 필요한 내용들이 해당된다. 이를 위해 대부분의 선진국들은 자국내 분포하는 대표적인 선호암종 지역에서 지하연구시설(URL)을 건설하여 실증 시연프로그램을 수행하거나 완성단계에 있다. 이 과정과 결과들은 후속되는 최종처분장 부지선정 과정에 평가기준으로 활용될 것이며, 최종처분시설의 성능 안전성평가에 필수적으로 적용하게 된다. 지하연구시설은 또한 규제-일반대중-전문가 등 다양한 이해당사자들로 하여금 심층처분의 안전성 수준에 대한 이해제고와 토론의 마당으로서 핵심적인 역할과 기능을 할 것으로 기대된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 추계종합학술대회
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• pp.800-803
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• 2002

The MONOS capacitor are fabricated to investigate the carrier trapping due to Fowler-Nordheim tunneling injection. The carrier trapping in scaled multi-dielectric(ONO) depends on the nitride and Op oxide thickness under Fowler_Nordheim tunneling injection. Carriers captured at nitride film could not escape from nitride to gate, but be captured at top oxide and nitride interface traps because of barrier height of top oxide. Therefore, it is expected that the MONOS memory devices using multi dielectric films enhance memory effect and have a long memory retention characteristic.

• 자원환경지질
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• 제56권2호
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• pp.167-183
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• 2023

사용 후 핵연료(SNF: spent nuclear fuel) 지하 처분장에서 발생된 가스는 처분장 내에서 자체로 이동성이 클 뿐 아니라, 처분장 내 방사성핵종 거동에도 영향을 줄 수 있다. 지하 처분장 방벽 내에서 가스-핵종 발생 및 거동 기작에 대한 연구와 가스 거동이 처분장의 안전성에 미치는 영향에 대한 연구가 처분장 건설 이전에 충분히 수행되어져야 함에도 불구하고, 처분장 다중 방벽내 가스-핵종 거동에 대한 연구는 국내는 물론 국외에서 조차 매우 초보적인 단계이다. 본 연구에서는 지하 SNF 처분장 내 가스 발생과 거동 특성과 관련된 국내외 선행연구 결과들을 고찰하여, 가스 발생/거동 기작을 처분장의 수리지질학적 진화과정에 따라 분류하여 설명하였다. 처분장 내 가스 발생을 크게 SNF의 핵분열에 의한 방사성 가스 생성, SNF 저장 용기의 부식에 의한 가스 발생, 지하수의 산화-환원 반응에 의한 가스 생성, 미생물 활동과 천연 방벽 내 지화학적 반응에 의한 가스 생성 등 총 5가지 유형으로 구분하여 정리하였다. 처분장 다중 방벽 내 가스 거동과 관련된 선행연구 자료들을 정리하여, 방벽 내 가스 거동 시나리오를 다공성 매체에서 일어나는 거동 형태에 따라, 총 4가지 형태(① visco-capillary 흐름을 포함하는 공극 내 자유상 가스 이동, ② 공극 수 내 용존상 기체로서 이류 및 확산 이동, ③ 체적팽창에 의한 거동(dilatant pathway), ④ 가압파쇄에 의한 인장 절리 흐름 등)로 구분하여 제시하였다. 본 연구를 통해 고찰한 SNF 처분장의 다중 방벽 시스템 내 가스 발생 기작과 거동 특성자료들은, 향 후 지하 SNF 처분장 내 가스-핵종 거동관련 다양한 실험 및 모델링 연구를 계획하고, 국내 건설할 처분장의 안전성을 가스 거동관점에서 평가하는데 유용하게 사용될 것으로 기대한다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 1997년도 추계학술대회 논문집
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• pp.1061-1064
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• 1997

Micro injection molding technology is very important fiw mass product of micro structures or micro parts. And, it is so difficult that the molding technology of micro pole or thin wall(barrier rib) structures with high aspect ratio. In this stud). \vc intend to research on the basic technology of micro wall structure part:< with high aspect ratio by the inject~on moldins method. The mold for esperimenrs with micro multi-square structures was made by L, I(;A process. One square polc's size is 157 157pm. height 50011111. And the distance of each poles is 5011n1. 7'hus. molding products will be for~nctl like as the net structure with thin wall of about 50pn thickness.(aspect ratio 10) Ihrough the e~lxriment. \be obtained the prociuctr of micro multi-square slructure with bout 37.000 cell per a piece. 'Ihe micro injection molding process technolog for thin wall by multi-square structure mold was analy~cd.

• 아태비즈니스연구
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• 제6권2호
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• pp.97-114
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• 2015

This study classify and compare leisure activities migrants women multi-cultural family member includes husband and children. Their common leisure activities is normal daily activity life comparable non leisure daily activity life. Those of common leisure actives is watching type of leisure such as reading book, eat out, visit relatives which reflect passive and egocentric. Therefore need to ownself active, self creative, as well as its family harmony oriented is more signigicant. Future study will be find out the barrier of cultural activities and advanture activities leisure for multi-cultural family.

• 한국기계가공학회지
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• 제8권3호
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• pp.38-45
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• 2009

Recently, LCD Backlight Unit is being replaced from cold cathode fluorescent lamp(CCFL) to external electrode fluorescent lamp(EEFL) because the EEFL has high energy efficiency and long life. Also, it can reduce energy consumption and weight. So far, external electrode ring for EEFL is produced by sheet metal press forming process. Therefore it had low precision and much material loss. To solve these problems, Multi-Forming process that has five step forming process was invented. However, low productivity is another barrier. Product speed that is controlled by the rotational speed cannot be increased due to the unsatisfied design specification. The reason is that the gap between rolled two edge parts of the sheet plate is tightly inspected. Regarding this factor, the understanding of forming behavior to each process is inevitable. This paper describes the CAE analysis of the multi-forming process by PAM-STAMP.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.243-246
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• 2000

The sputtering systems mainly consist of the three-target holder. The target and substrate were the on-axis type. The MgO and STO substrate were used for the deposition of each layer. The optimum conditions of single-layer thin film were investigated from the SEM images and the XRD patterns. Based on the above conditions, the multi-layer thin films such as YBaCuO/LaGaO/Au/Nb and YBaCuO/Au/Nb were fabricated. The crystalline, the electrical Properties, the energy gap structure and the characteristics of the tunneling barrier on the multi-layer thin film have been investigated and characterized.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.129-132
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• 2000

The PDP(Plasma Display Panel) barrier rib material on the glass substrate was patterned for fabrication of the PDP cell using Nd:YAG laser(1064 nm) which can generate the second(532 nm) and forth(266 nm) harmonic wave by HGM(harmonic generation modules). At a scan speed of 20 ${\mu}m/s$ with the second harmonic wave(532 nm) of Nd:YAG laser, the etching threshold laser fluence of the PDP material was 6.5 $mJ/cm^2$ and a sample(thickness = 180 ${\mu}m$) on the glass substrate was removed clearly at a laser fluence of 19.5 $mJ/cm^2$. In order to increase the throughput of the fabrication we divided a single-beam into multi-beams by using a metal mask between the sample and the focusing lens. As a result, 10 lines of PDP cell were formed by one laser beam scanning at a scan speed of 200 ${\mu}m/s$ and a laser fluence of 2.86 $J/cm^2$.

• 한국안전학회지
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• 제38권6호
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• pp.9-15
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• 2023

Hydrogen is gaining attention as a sustainable and renewable energy source, potentially replacing fossil fuels. Its high diffusivity, wide flammable range, and low ignition energy make it prone to ignition even with minimal friction, potentially leading to fire and explosion risks. Workplaces manage ignition risks by classifying areas with explosive atmospheres. However, the effective installation of a blast wall can significantly limit the spread of hydrogen, thereby enhancing workplace safety. To optimize the wall installation of this barrier, we employed the response surface methodology (RSM), considering variables such as wall distance, height, and width. We performed 17 simulations using the Box-Behnken design, conducted using FLACS software. This process yielded two objective functions: explosion likelihood near the barrier and explosion overpressure affecting the blast wall. We successfully achieved the optimal solution using multi-objective optimization for these two functions. We validated the optimal solution through verification simulations to ensure reliability, maintaining a margin of error of 5%. We anticipated that this method would efficiently determine the most effective installation of a blast wall while enhancing workplace safety.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.134-135
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• 2008

Ultra-thin $SiO_2/ZrO_2$ dielectrics were deposited by atomic layer chemical vapor deposition (ALCVD) method for non-volatile memory application. Metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors were fabricated by stacking ultra-thin $SiO_2$ and $ZrO_2$ dielectrics. It is found that the tunneling current through the stacked dielectric at the high voltage is lager than that through the conventional silicon oxide barrier. On the other hand, the tunneling leakage current at low voltages is suppressed. Therefore, the use of ultra-thin $SiO_2/ZrO_2$ dielectrics as a tunneling barrier is promising for the future high integrated non-volatile memory.