본 논문에서는 의료영상 뿐만 아니라 비파괴검사 등에 활용되고 있는 CMOS x-ray 라인 스캔 센서를 설계하였다. x-ray 라인 스캔 센서는 512열${\times}$4행의 픽셀 어레이(pixel array)를 갖고 있으며, DC-DC 변환기(converter)를 내장하였다. Binning 모드를 이용하여 픽셀 사이즈가 $100{\mu}m$, $200{\mu}m$, $400{\mu}m$이 되도록 선택할 수 있도록 하기 위해 no binning 모드, $2{\times}2$ binning 모드와 $4{\times}4$ binning 모드를 지원하는 픽셀 회로를 새롭게 제안하였다. 그리고 power supply noise와 입력 common mode noise에 둔감한 이미지 신호인 fully differential 신호를 출력하도록 설계하였다. $0.18{\mu}m$ x-ray CMOS 이미지 센서 공정을 이용하여 설계된 라인 스캔 센서의 레이아웃 면적은 $51,304{\mu}m{\times}5,945{\mu}m$ 이다.
Cutting and planarization of diamond films have been performed using copper vapor laser under air at-mosphere. Diamond films of about 350${\mu}{\textrm}{m}$ and 800 ${\mu}{\textrm}{m}$ thick have been synthesized with DC plasma assisted chemical vapor deposition. The position of a specimen has been controlled by computer-driven stage. With copper vapor laser beam of 7W cutting depth increases rapidly and saturates with increasing scan number and decreasing scan speed. 8 repetitive scans at scan speed 0.5 mm/sec produce the maximum cutting depth without focus shifting Rod-shape copper vapor laser beam can be made and used effectively in planar-ization of rough diamond surface.
파괴역학적 고려에 의하여 구조용 세라믹에서 $100{\mu}m$보다 작은 크기의 결함을 검출하는 것이 요구되고 있다. 미세결함이 삽입된 세라믹 시편을 준비하여 고주파수 검출장에서 C-scan을 수행하였다. 두께 4m의 SiC 세라믹 시편들을 입도가 $100{\mu}m$에서 $200{\mu}m$ 범위의 Fe, 입도 $36{\mu}m$에서 $50{\mu}m$ 범위의 Fe와 $50{\mu}m$ 크기의 pore를 용침법(infiltration)으로 삽입하여 준비하였고 또 입도 $100{\mu}m$에서 $200{\mu}m$ 범위의 WC, 입도 $36{\mu}m$에서 $50{\mu}m$ 범위의 WC, 입도 $100{\mu}m$에서 $200{\mu}m$ 범위의 Si, 입도 $36{\mu}m$에서 $50{\mu}m$ 범위의 Si 입자들을 소결법(sintering)으로 삽입하여 준비하였다. 준비된 시편에 대해 중심주파수 80MHz의 polyvinylidene fluoride(PVDF) 초음파탐촉자를 사용하여 C-scan을 수행한 결과 100MHz 범위까지의 고주파수 성분을 지닌 검출장에서는 $36{\mu}m$에서 $200{\mu}m$ 범위의 미세결함들이 검출되었으나 60MHz 이하의 주파수 성분만으로 구성된 저주파수 검출장에서는 검출되지 않았다. 중심 주파수에서의 파장에 대하여 검출된 최소 결함의 비는 약 0.25로 Rayleigh 산란 영역이었다.
A new high-speed drive method for the plasma display panel is proposed. In this method, the address period is inserted for the rest period of the sustain pulses and the priming pulse is applied on the entire panel at the same time overlapping with the sustain period. The ramp shaped priming pulse can be made with a simple drive circuit in this technology and the stable sustain discharge can be induced even by a narrow scan pulse in help of the space charge generated from the address discharge. From the experiments, it is ascertained that the priming pulse hardly influences the sustain discharge. Moreover, the voltage margin of the sustain discharge is almost constant though that of the address discharge broadens with narrowing the scan pulse width. And, if the time interval between the scan pulse and the sustain pulse is within $6{\mu}s$, the voltage margin of the address and the sustain discharges are unaffected though the applied position of the scan pulse is changed. High-speed driving with the address pulse of $0.7{\mu}s$ width was achieved and the address voltage margin of 20V and the sustain voltage margin of 10V were obtained.
$H_{\infty}$ Controller of seeker scan-loop is designed using LSDP proposed by McFarlane. The performance and robustness of $H_{\infty}$ controller are analyzed using robustness theorems by Lehtomaki and compared with those of the LQG/LTR controller. Especially, structured singular value .mu. -test of Doyle is used to evaluate robust performance of seeker scan-loop. It is demonstated that seeker scan-loop by $H_{\infty}$ controller is very robust to model uncertainties described by additive and multiplicative perturbations.
The addressing time should be reduced by modifying cell structure and/or driving method in order to replace the dual scan system by single scan and increase the luminance in large ac plasma display panel(PDP). In this paper, the effects of the addressing time was decreased with decreasing thickness of dielectric layer on the front glass and thickness of white dielectric layer on the rear glass. the decreasing rate were 160ns/10$\mu\textrm{m}$ and 270ns/10$\mu\textrm{m}$, respectively Also in case of decreasing the height of barrier rib, addressing time was decreased at the rate of Sons/10$\mu\textrm{m}$.
This paper describes the development of a software tool LCD FRAME that may guide the analyzing process for the electrical characteristics and the design procedure for constructing the thin film transistor liquid crystal display(TFT/LCD) packages. LCD FRAME can analyze its electrical characteristics from the TFT/LCD system package configuration, and provide the design variables to meet the user's requirements. These analysis and design procedure can be done in real time according to the model at simplified package level of TFT/LCD. LCD_FRAME is an object-oriented expert system which considers package elements as objects. With this LCD_FRAME software tool, we analyzed the I-V characteristics of a-Si TFT and its signal distortion which has maximum 1.58 $\mu$s delay along the panel scan line of the package containing 480 ${\times}$ 240 pixels. We designed the package structure of maximum 6.35 $\mu$s signal delays and 3360 ${\times}$ 780 pixels, and as a result we showed that the proper structure of 20 $\mu$m scan line width, 60$\mu$m panel TFT gate width and 8 $\mu$m gate length. This LCD_FRAME software tool provides results of the analysis and the design in the form of input files of the SPICE program, text data files, and graphic charts.
원적외선 영역인 $8-12.\mu$m 대역의 열상장비 주사광학계를 설계 제작하였다. 검출기로 5개 소자의 SP-RITE HgCdTe를 사용하는 직병렬 주사를 위해 수평 및 수직주사에는 각각 회전다면거울과 진동평면거울을 사용하였으며, 주사연결거울로는 구면거울을 사용하여 주사거울의 크기 및 입사동에서의 동수차를 최소화 하였다. 주사광학계는 $40^{\circ}\times26.67^{\circ}$의 넓은 주사시야를 갖는다. 회절 변조전달함수의 계산결과 회절한계의 성능을 만족하였으며 제작 및 시험 결과 고분해능의 열영상을 얻을 수 있었다.
초음파 C-scan 기법에 의해 스폿(spot)용접의 품질 평가를 위한 비파괴진단 평가에 관한 기초적인 실험적 검토를 하였다. 먼저, 스폿용접부 초음파탐상에 앞서 뉴우톤링의 모델링 실험을 통해 미소 간극을 갖는 접합계면에서의 초음파 반사 거동의 해석 결과를 근거로 스폿용접부의 너겟 형상과 크기, void 결함등의 정량적 평가와 corona bond의 정확한 식별에 최적한 초음파시험방법 및 조건의 설정을 시도하였다. 초음파시험 후 용접시험편을 절단하고, 그 절단면을 초음파현미경(SAM)과 광학현미경의 단면 관찰을 통해 스폿용접 품질 평가를 위한 초음파 비파괴평가법의 유용 가능성 유무, 적용 한계 등을 검토하였다. 그 결과 본 실험에 사용한 집속 초음파탐촉자(25MHz)에 의한 너겟 내부에 존재하는 void 크기의 검출한계는 $10{\mu}m$였으며 너겟 크기는 초음파시험의 경우가 최대 1mm정도 크게 측정되어 corona bond의 정확한 식별과 너겟 직경의 정량적 평가에 접근하기 위해서는 초음파 C-scan 데이터의 각종 화상 처리 기술의 적용에 의한 corona bond부의 명확한 식별 방법에 대한 연구 검토가 요망됨을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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